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公开(公告)号:CN104570402B
公开(公告)日:2018-05-29
申请号:CN201310476509.9
申请日:2013-10-12
申请人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号: G02F1/01
CPC分类号: G02F1/0018 , G02B1/002 , G02B1/14 , G02B26/00 , G02F1/0081 , G02F1/015 , G02F1/19 , G02F2001/0155 , Y10S977/721 , Y10S977/888 , Y10S977/89 , Y10S977/932
摘要: 本发明公开了一种基于超颖材料结构的空间光调制器及其制备方法。该空间光调制器包括光功能元件阵列和控制电路,所述光功能元件包含超颖材料结构,所述超颖材料结构至少包括金属纳米结构层和金属反射镜层,所述金属纳米结构层和金属反射镜层之间设有介质层与非金属导电材料层;其制备方法包括:在衬底上制备控制电路,然后制备金属反射镜层、介质层、非金属导电材料层,然后再加工形成金属纳米结构层和透明保护层,并进行电互联。本发明空间光调制器结构简单,集成度高,易于制作,成本低廉,能实现高速调制,调制深度易于调控,并且最低可以将驱动电压控制在1V以下。
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公开(公告)号:CN106873192A
公开(公告)日:2017-06-20
申请号:CN201710182891.0
申请日:2017-03-24
申请人: 北京交通大学
CPC分类号: G02F1/015 , G02F1/025 , G02F2001/0153
摘要: 基于硅波导的电光空间超快调制器,涉及电光超快调制器领域。导光硅波导2覆于SiO2平板基底1之上中间位置,P+区3与N+区4周期性排列至基底表面两端,正电极5与负电极6与P区N区接触,用于施加电压。将调制信号编辑成随时间变化的空间电信号阵列,正电极阵列5的各单元正电极与负电极阵列6的各单元正电极分别连接于P区N区施加该空间电信号阵列。通过对各正负电极对间电压的控制施加随时间变化的空间电信号阵列,可以将任意的调制信号加载到载波上。
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公开(公告)号:CN106461986A
公开(公告)日:2017-02-22
申请号:CN201480077838.9
申请日:2014-04-07
CPC分类号: G02F1/025 , G02B2006/12097 , G02F1/0018 , G02F1/015 , G02F2001/0151 , G02F2001/212
摘要: 一种光波导器件(111)包括:衬底(111);布置在衬底上的下包覆层(112);脊形波导(100),包括布置在下包覆层上的平板(115)以及布置在平板上的与平板邻接的单个脊(114);以及布置在脊形波导上的上包覆层(113)。脊形波导包括:跨脊和平板的具有表现出P型导电性的第一导电性的第一掺杂区(101);以及跨脊和平板的与第一掺杂区邻接的具有表现出N型导电性的第二导电性的第二掺杂区(102)。第一掺杂区与第二掺杂区之间的边界(103)提供在与衬底的表面垂直的方向上形成的PN结,并且在衬底的平面视图中边界沿着被引导光在脊形波导中的传播方向以波纹线形式(例如曲折)被布置。而且,脊形波导包括第一低导电区和第二低导电区中的至少一个,第一低导电区邻接脊中的与第二掺杂区相反的一侧并表现出比第二掺杂区(106)更低的导电性,第二低导电区(105)邻接脊中的与第一掺杂区相反的一侧并且表现出比第一掺杂区更低的
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公开(公告)号:CN106200016A
公开(公告)日:2016-12-07
申请号:CN201610586405.7
申请日:2016-07-25
申请人: 上海师范大学
IPC分类号: G02F1/015
CPC分类号: G02F1/015 , G02F2203/13
摘要: 本发明提供了一种以石墨烯互补型微结构作为有源区的太赫兹调制器,包括衬底;在衬底上生长的掺杂半导体层;依次叠加的绝缘层和有源区层;其中最底部绝缘层在掺杂半导体层上生长,顶部为有源区层;所述有源区层为具有为互补微结构的石墨烯层;生长在最顶部有源区的电极。本发明还提供了所述太赫兹调制器的制作方法。本发明能够通过外加偏压改变石墨烯费米能级,从而实现对入射THz波实现深度调制。
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公开(公告)号:CN105974613A
公开(公告)日:2016-09-28
申请号:CN201610562556.9
申请日:2016-07-15
申请人: 北京大学
CPC分类号: G02F1/015 , G02F1/21 , G02F2001/0154 , G02F2001/212 , G02F2001/215
摘要: 本发明涉及一种电光集总调制器,包括光学结构、电光结构和电学结构;所述电光结构用于产生电光效应;所述光学结构用于根据所述电光效应产生相应的调制效果;所述电学结构用于为所述电光结构供电;所述电学结构的驱动方式为单驱动方式;所述电学结构包括电极,所述电极用于接收正向和/或反向传输的电信号。本发明的电光集总调制器,通过将集总调制器的电学结构的驱动方式改进为单驱动方式,可以将调制器的结电容减半,串联电阻加倍,可实现降低能耗、减小调制器尺寸、降低插损,以及提高对驱动电压的利用效率,并能够提升电光带宽,满足实际应用需求。
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公开(公告)号:CN105974612A
公开(公告)日:2016-09-28
申请号:CN201610134132.2
申请日:2016-03-09
申请人: 国际商业机器公司
发明人: D·M·基尔
CPC分类号: G02F1/025 , G02F1/2255 , G02F1/2257 , G02F2001/212 , G02F2201/126 , H01L31/18 , G02F1/015 , G02F1/0327
摘要: 本申请的各实施例涉及受控电容全耗尽交错式PIN调制器。描述了一种利用射频(RF)信号调制光输入的方法、一种交错式调制器和一种包括该交错式调制器的电光调制器。该方法包括:将光输入分成第一光输入和第二光输入;利用第一光输入和第二光输入分别穿过第一区域和第二区域;以及在第一区域中利用RF信号调制第一光输入。该方法还包括:控制RF信号在第一区域中的传播速度;控制第一区域中的RF线路阻抗;以及控制第一光输入在第一区域中的光损耗。
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公开(公告)号:CN105866983A
公开(公告)日:2016-08-17
申请号:CN201610216678.2
申请日:2016-04-08
申请人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号: G02F1/015 , H01L31/115 , B82Y30/00
CPC分类号: G02F1/015 , B82Y30/00 , G02F2001/0154 , H01L31/115
摘要: 本发明提供一种锗银复合材料及其在光电器件中的应用,所述锗银复合材料包括本征锗及埋在所述本征锗中的银纳米颗粒。所述锗银复合材料可以通过离子注入法将银离子注入到本征锗中并退火得到。本发明可以利用银纳米颗粒的局域表面等离子体共振增强作用,以及纳米颗粒之间表面等离子体共振耦合排斥作用,调控共振增强峰位频率在近红外波段,从而增强锗在近红外波段的光电响应。通过控制纳米银颗粒在本征锗中的密度,可以有效的控制增强锗光电响应的频谱范围从可见光到近红外。
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公开(公告)号:CN105514134A
公开(公告)日:2016-04-20
申请号:CN201610004824.5
申请日:2016-01-04
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
IPC分类号: H01L27/146 , G02F1/133
CPC分类号: G02F1/134309 , G02F1/015 , G02F1/13624 , G02F1/1368 , G02F2001/134345 , G02F2201/56 , H01L27/1233 , H01L27/1251 , H01L27/14603 , G02F1/133
摘要: 本发明提供一种显示面板和显示装置,属于显示技术领域,其可解决现有的异形面板边缘可见的不平滑的边界线导致的显示面板边缘的视觉效果降低以及影响用户体验的问题。本发明的显示面板中,多行像素单元的边缘呈阶梯状排列,每行像素单元包括中心像素单元和边缘像素单元,每个中心像素单元包括与每个子像素对应的第一薄膜晶体管,第一薄膜晶体管具备第一半导体区;每个边缘像素单元包括与每个子像素对应的第二薄膜晶体管,第二薄膜晶体管具备第二半导体区;分别将第一半导体区的长度和宽度设置为第一设定长度和第一设定宽度,第二半导体区的长度和宽度设置为第二设定长度和第二设定宽度,以使边缘像素单元的亮度小于中心像素单元的亮度。
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公开(公告)号:CN105474077A
公开(公告)日:2016-04-06
申请号:CN201380078233.7
申请日:2013-10-22
申请人: 科锐安先进科技有限公司
CPC分类号: G02F1/025 , G02F1/01 , G02F1/011 , G02F1/015 , G02F1/035 , G02F1/0353 , G02F1/0356 , G02F1/2257 , G02F2001/0113 , G02F2001/0152
摘要: 本发明涉及新颖的移相器设计,它用于基于载流子耗尽机制的硅调制器,且它基于经过实验验证的模型。目前已经相信,以前被忽视的不完全电离的效果会对超敏感(ultra-responsive)移相器具有重大影响。预期将会观察到与值为20dB/cm的低传播损耗相关的值为0.3V·cm的低VπL乘积。所述移相器基于如下的重叠注入步骤:在这些步骤中,剂量和能量被仔细地选择以便利用反向掺杂来产生S形的结。这个结在实现了令人关注的低电容和低光学损耗的同时,还具有特别令人关注的VπL品质因数。这一改进将使得能够构建出明显更小的马赫-曾德尔调制器,但是该调制器依然会具有低的驱动电压且插入损耗显著降低。本发明所涉及的制造工艺的复杂程度最小;特别地,不需要高分辨率光刻步骤。
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公开(公告)号:CN105378548A
公开(公告)日:2016-03-02
申请号:CN201480000267.9
申请日:2014-03-31
申请人: 华为技术有限公司
IPC分类号: G02F1/025
CPC分类号: G02F1/015 , G02F2001/0152
摘要: 一种掺杂结构及其制作方法、电光调制器,用于解决现有电光调制器使用的掺杂结构中,光模场所在区域中没有与载流子耗散区重合的区域,会带来额外的吸收损耗的问题。掺杂结构包括第一掺杂区域(101)、第二掺杂区域(102)、第三掺杂区域(103)和第四掺杂区域(104);其中,第一掺杂区域(101)与第二掺杂区域(102)邻接;第二掺杂区域(102)与第三掺杂区域(103)邻接以形成PN结耗散区(106);第三掺杂区域(103)与第四掺杂区域(104)邻接;PN结耗散区(106)包括多个依次排列的U型结构,且相邻的U型结构的开口方向相反;其中,至少一个U型结构内包括无掺杂的本征区(105)。由于无掺杂的本征区(105)的存在,使得光波通过该PN结耗散区(106)之外的掺杂区域的距离很短,大大降低了吸收损耗。
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