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    基于硅波导的电光超快空间调制器
    2.
    发明公开
    基于硅波导的电光超快空间调制器 无效

    公开(公告)号：CN106873192A

    公开(公告)日：2017-06-20

    申请号：CN201710182891.0

    申请日：2017-03-24

    申请人： 北京交通大学

    发明人： 白冰 ,  裴丽 ,  王吉 ,  张艳 ,  徐春霞

    IPC分类号： G02F1/015 ,  G02F1/025

    CPC分类号： G02F1/015 ,  G02F1/025 ,  G02F2001/0153

    摘要： 基于硅波导的电光空间超快调制器，涉及电光超快调制器领域。导光硅波导2覆于SiO2平板基底1之上中间位置，P+区3与N+区4周期性排列至基底表面两端，正电极5与负电极6与P区N区接触，用于施加电压。将调制信号编辑成随时间变化的空间电信号阵列，正电极阵列5的各单元正电极与负电极阵列6的各单元正电极分别连接于P区N区施加该空间电信号阵列。通过对各正负电极对间电压的控制施加随时间变化的空间电信号阵列，可以将任意的调制信号加载到载波上。

    导电性。光波导器件及其制造方法
    3.
    发明公开
    导电性。光波导器件及其制造方法 无效

    公开(公告)号：CN106461986A

    公开(公告)日：2017-02-22

    申请号：CN201480077838.9

    申请日：2014-04-07

    申请人： 株式会社藤仓 ,  新加坡科技研究局

    发明人： 小川宪介 ,  五井一宏 ,  卢国强 ,  廖仲扬 ,  屠晓光

    IPC分类号： G02F1/025 ,  G02B6/10

    CPC分类号： G02F1/025 ,  G02B2006/12097 ,  G02F1/0018 ,  G02F1/015 ,  G02F2001/0151 ,  G02F2001/212

    摘要： 一种光波导器件(111)包括：衬底(111)；布置在衬底上的下包覆层(112)；脊形波导(100)，包括布置在下包覆层上的平板(115)以及布置在平板上的与平板邻接的单个脊(114)；以及布置在脊形波导上的上包覆层(113)。脊形波导包括：跨脊和平板的具有表现出P型导电性的第一导电性的第一掺杂区(101)；以及跨脊和平板的与第一掺杂区邻接的具有表现出N型导电性的第二导电性的第二掺杂区(102)。第一掺杂区与第二掺杂区之间的边界(103)提供在与衬底的表面垂直的方向上形成的PN结，并且在衬底的平面视图中边界沿着被引导光在脊形波导中的传播方向以波纹线形式(例如曲折)被布置。而且，脊形波导包括第一低导电区和第二低导电区中的至少一个，第一低导电区邻接脊中的与第二掺杂区相反的一侧并表现出比第二掺杂区(106)更低的导电性，第二低导电区(105)邻接脊中的与第一掺杂区相反的一侧并且表现出比第一掺杂区更低的

    一种太赫兹石墨烯微结构调制器
    4.
    发明公开
    一种太赫兹石墨烯微结构调制器 无效

    公开(公告)号：CN106200016A

    公开(公告)日：2016-12-07

    申请号：CN201610586405.7

    申请日：2016-07-25

    申请人： 上海师范大学

    发明人： 何晓勇 ,  刘峰 ,  林方婷 ,  石旺舟

    IPC分类号： G02F1/015

    CPC分类号： G02F1/015 ,  G02F2203/13

    摘要： 本发明提供了一种以石墨烯互补型微结构作为有源区的太赫兹调制器，包括衬底；在衬底上生长的掺杂半导体层；依次叠加的绝缘层和有源区层；其中最底部绝缘层在掺杂半导体层上生长，顶部为有源区层；所述有源区层为具有为互补微结构的石墨烯层；生长在最顶部有源区的电极。本发明还提供了所述太赫兹调制器的制作方法。本发明能够通过外加偏压改变石墨烯费米能级，从而实现对入射THz波实现深度调制。

    电光集总调制器
    5.
    发明公开
    电光集总调制器 有权 转让

    公开(公告)号：CN105974613A

    公开(公告)日：2016-09-28

    申请号：CN201610562556.9

    申请日：2016-07-15

    申请人： 北京大学

    发明人： 周治平 ,  李心白

    IPC分类号： G02F1/015 ,  G02F1/21

    CPC分类号： G02F1/015 ,  G02F1/21 ,  G02F2001/0154 ,  G02F2001/212 ,  G02F2001/215

    摘要： 本发明涉及一种电光集总调制器，包括光学结构、电光结构和电学结构；所述电光结构用于产生电光效应；所述光学结构用于根据所述电光效应产生相应的调制效果；所述电学结构用于为所述电光结构供电；所述电学结构的驱动方式为单驱动方式；所述电学结构包括电极，所述电极用于接收正向和/或反向传输的电信号。本发明的电光集总调制器，通过将集总调制器的电学结构的驱动方式改进为单驱动方式，可以将调制器的结电容减半，串联电阻加倍，可实现降低能耗、减小调制器尺寸、降低插损，以及提高对驱动电压的利用效率，并能够提升电光带宽，满足实际应用需求。

    受控电容全耗尽交错式PIN调制器
    6.
    发明公开
    受控电容全耗尽交错式PIN调制器 有权

    公开(公告)号：CN105974612A

    公开(公告)日：2016-09-28

    申请号：CN201610134132.2

    申请日：2016-03-09

    申请人： 国际商业机器公司

    发明人： D·M·基尔

    IPC分类号： G02F1/015 ,  G02F1/03

    CPC分类号： G02F1/025 ,  G02F1/2255 ,  G02F1/2257 ,  G02F2001/212 ,  G02F2201/126 ,  H01L31/18 ,  G02F1/015 ,  G02F1/0327

    摘要： 本申请的各实施例涉及受控电容全耗尽交错式PIN调制器。描述了一种利用射频(RF)信号调制光输入的方法、一种交错式调制器和一种包括该交错式调制器的电光调制器。该方法包括：将光输入分成第一光输入和第二光输入；利用第一光输入和第二光输入分别穿过第一区域和第二区域；以及在第一区域中利用RF信号调制第一光输入。该方法还包括：控制RF信号在第一区域中的传播速度；控制第一区域中的RF线路阻抗；以及控制第一光输入在第一区域中的光损耗。

    用于耗尽模式硅调制器的超敏感移相器
    9.
    发明公开
    用于耗尽模式硅调制器的超敏感移相器 无效

    公开(公告)号：CN105474077A

    公开(公告)日：2016-04-06

    申请号：CN201380078233.7

    申请日：2013-10-22

    申请人： 科锐安先进科技有限公司

    发明人： 刘洋 ,  汤姆·贝尔-琼斯

    IPC分类号： G02F1/025 ,  H01L21/02

    CPC分类号： G02F1/025 ,  G02F1/01 ,  G02F1/011 ,  G02F1/015 ,  G02F1/035 ,  G02F1/0353 ,  G02F1/0356 ,  G02F1/2257 ,  G02F2001/0113 ,  G02F2001/0152

    摘要： 本发明涉及新颖的移相器设计，它用于基于载流子耗尽机制的硅调制器，且它基于经过实验验证的模型。目前已经相信，以前被忽视的不完全电离的效果会对超敏感(ultra-responsive)移相器具有重大影响。预期将会观察到与值为20dB/cm的低传播损耗相关的值为0.3V·cm的低VπL乘积。所述移相器基于如下的重叠注入步骤：在这些步骤中，剂量和能量被仔细地选择以便利用反向掺杂来产生S形的结。这个结在实现了令人关注的低电容和低光学损耗的同时，还具有特别令人关注的VπL品质因数。这一改进将使得能够构建出明显更小的马赫-曾德尔调制器，但是该调制器依然会具有低的驱动电压且插入损耗显著降低。本发明所涉及的制造工艺的复杂程度最小；特别地，不需要高分辨率光刻步骤。

    一种掺杂结构及其制作方法、电光调制器
    10.
    发明公开
    一种掺杂结构及其制作方法、电光调制器 有权

    公开(公告)号：CN105378548A

    公开(公告)日：2016-03-02

    申请号：CN201480000267.9

    申请日：2014-03-31

    申请人： 华为技术有限公司

    发明人： 王涛 ,  刘磊 ,  徐晓庚

    IPC分类号： G02F1/025

    CPC分类号： G02F1/015 ,  G02F2001/0152

    摘要： 一种掺杂结构及其制作方法、电光调制器，用于解决现有电光调制器使用的掺杂结构中，光模场所在区域中没有与载流子耗散区重合的区域，会带来额外的吸收损耗的问题。掺杂结构包括第一掺杂区域(101)、第二掺杂区域(102)、第三掺杂区域(103)和第四掺杂区域(104)；其中，第一掺杂区域(101)与第二掺杂区域(102)邻接；第二掺杂区域(102)与第三掺杂区域(103)邻接以形成PN结耗散区(106)；第三掺杂区域(103)与第四掺杂区域(104)邻接；PN结耗散区(106)包括多个依次排列的U型结构，且相邻的U型结构的开口方向相反；其中，至少一个U型结构内包括无掺杂的本征区(105)。由于无掺杂的本征区(105)的存在，使得光波通过该PN结耗散区(106)之外的掺杂区域的距离很短，大大降低了吸收损耗。