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公开(公告)号：CN113009718A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN201911309146.3
申请日：2019-12-18
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 一种基于二维材料涂覆的工字型微结构光纤电光调制器。本发明属于通信用光纤器件领域，特别涉及光调制领域。调制器示意图如摘要附图，普通单模光纤包层3经过切割及研磨形成工字型结构，上下两层分别加工至距纤芯4相同的距离，保证光场主要部分在纤芯中传输；二维材料薄膜5分别刻写在硅基底1上表面及工字型光纤上侧，再将工字型光纤反向堆砌在基底上；电极2渡在硅支架6两侧以提供调制所需的电压。经过上述设置，通过对调制器施加不同电压，观察经过调制器后的光强变化，得到调制深度、调制电压、插入损耗等参数。该电光调制器通过工字型结构有效降低了插入损耗，双层涂覆二维材料能提高调制效率，降低调制电压。
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公开(公告)号：CN106950726A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710183753.4
申请日：2017-03-24
Applicant: 北京交通大学
CPC classification number: G02F1/0063 , G02F1/011 , G02F1/0126
Abstract: 基于石墨烯的硅基光空间超快调制器，涉及全光超快调制器领域。硅波导1以盘绕结构生长于SiO2平板基底3之上，石墨烯层2置于硅波导1的表面之上，包含调制信号的空间泵浦光图样4照射于石墨烯层2。通过以较低频率进行短时间长度空间泵浦光图样4与长时间长度满光图样的切换，可以将超高速调制信号加载到载波上，产生超快调制的效果。通过加载不同的空间泵浦光图样，可以实现任意信号的超快调制。
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公开(公告)号：CN109752345B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201910057172.5
申请日：2019-01-22
Applicant: 北京交通大学
IPC: G01N21/41
Abstract: 本发明公开了一种基于负曲率光子晶体光纤的SPR低折射率传感器，其特征在于：SPR传感器基于光子晶体光纤结构，光子晶体光纤基底为(1)，光子晶体光纤的芯子(2)由两层空气壁(3)、(4)围绕形成，每层空气壁由六个相同负曲率的扇形环构成，光子晶体光纤的包层外壁涂覆有金属(5)，金属由待测物质(6)包覆，金属材料具有金属表面等离子体谐振SPR效应，与光纤中的纤芯模式发生耦合，在谐振波长处出现损耗峰，当外部待测物质(6)发生变化时，损耗峰波长漂移，通过观测波长的漂移，实现折射率的测量，传感器具有偏振无关特性且适用于低折射率范围为1.2‑1.33，传感器灵敏度最高达到12000nm/RIU，该传感器为低折射率物质的测量与监测提供重要的器件支持。
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公开(公告)号：CN109752345A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201910057172.5
申请日：2019-01-22
Applicant: 北京交通大学
IPC: G01N21/41
Abstract: 本发明公开了一种基于负曲率光子晶体光纤的SPR低折射率传感器，其特征在于：SPR传感器基于光子晶体光纤结构，光子晶体光纤基底为(1)，光子晶体光纤的芯子(2)由两层空气壁(3)、(4)围绕形成，每层空气壁由六个相同负曲率的扇形环构成，光子晶体光纤的包层外壁涂覆有金属(5)，金属由待测物质(6)包覆，金属材料具有金属表面等离子体谐振SPR效应，与光纤中的纤芯模式发生耦合，在谐振波长处出现损耗峰，当外部待测物质(6)发生变化时，损耗峰波长漂移，通过观测波长的漂移，实现折射率的测量，传感器具有偏振无关特性且适用于低折射率范围为1.2-1.33，传感器灵敏度最高达到12000nm/RIU，该传感器为低折射率物质的测量与监测提供重要的器件支持。
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公开(公告)号：CN107015384A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201710183437.7
申请日：2017-03-24
Applicant: 北京交通大学
IPC: G02F1/035
CPC classification number: G02F1/035
Abstract: 基于石墨烯栅层硅波导的电光任意波形发生器，涉及任意波形发生器领域。该脊形波导调制器结构底层用绝缘体上硅SOI作为基底，若干层石墨烯与hBN层插入脊形波导中部，顶层蒸镀一层多晶硅，正负电极阵列在硅波导两侧与石墨烯层相连，形成一个调制单元，多个单元调制器重复排列。将所需波形编辑成随时间变化的空间电信号阵列，正电极阵列3的各单元正电极与负电极阵列4的各单元正电极分别连接石墨烯栅层2各单元的两端施加该空间电信号阵列。脊波导宽度600nm，高度250nm，石墨烯为双层，单元长度为300μm，相邻单元间距为280μm，单元数30，hBN层厚度7nm。石墨烯栅层2空间周期在微米量级。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112558330A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011440484.3
申请日：2020-12-11
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 本发明涉及一种基于氧化石墨烯薄膜相移光纤光栅的光调制器，属于通信用光纤器件领域。该装置包括：G.652单模光纤1、微纳光纤2、布拉格光纤光栅3、相移光栅4、氧化石墨烯薄层5、波分复用器6、解波分复用器7、垂直腔面发射激光器8、信号光源9以及泵浦光源10。通过泵浦光源10或者垂直腔面发射激光器8对氧化石墨烯薄层5的激励，改变相移光栅4的输出，使得调制信号加载在信号光源9输出的信号光上。所述测量装置是全光纤器件可与光网络低损耗连接。同时，氧化石墨烯作为调制材料，具有超短响应时间、超宽波长调制范围和低功耗的优势。此外，所述测量装置是窄带滤波器，对其他波长无影响，因此能实现多个调制器级联，省去波分复用器。
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公开(公告)号：CN106970475A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201710183623.0
申请日：2017-03-24
Applicant: 北京交通大学
IPC: G02F1/025
CPC classification number: G02F1/025
Abstract: 硅基石墨烯栅层电光空间超快调制器，涉及电光超快调制器领域。正电极7和负电极8周期性排列至基底表面两端，主硅波导4覆于SiO2平板基底1之上靠中间位置，表面硅波导5同样置于SiO2平板基底1之上，一端连接导光硅波导4，另一端连接负电极8。Al2O3层2覆于导光硅波导4、连接硅波导5和SiO2平板基底1表面之上。石墨烯栅层6覆于导光硅波导4和无连接硅波导5这一侧的Al2O3层2上直到连至正电极7。铂层3覆于石墨烯栅层6之上，且一端连接至正电极7，另一端离导光硅波导4的距离大于500nm。将调制信号编辑成随时间变化的空间电信号阵列，分别向正电极阵列7的各单元正电极与负电极阵列8两端施加空间电信号阵列。通过对各正负电极对间电压的控制，施加随时间变化的空间电信号阵列，可以将任意信号的快速调制。
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公开(公告)号：CN106873192A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710182891.0
申请日：2017-03-24
Applicant: 北京交通大学
CPC classification number: G02F1/015 , G02F1/025 , G02F2001/0153
Abstract: 基于硅波导的电光空间超快调制器，涉及电光超快调制器领域。导光硅波导2覆于SiO2平板基底1之上中间位置，P+区3与N+区4周期性排列至基底表面两端，正电极5与负电极6与P区N区接触，用于施加电压。将调制信号编辑成随时间变化的空间电信号阵列，正电极阵列5的各单元正电极与负电极阵列6的各单元正电极分别连接于P区N区施加该空间电信号阵列。通过对各正负电极对间电压的控制施加随时间变化的空间电信号阵列，可以将任意的调制信号加载到载波上。
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公开(公告)号：CN107015383A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201710183069.6
申请日：2017-03-24
Applicant: 北京交通大学
IPC: G02F1/035
CPC classification number: G02F1/035
Abstract: 基于石墨烯硅波导的超高速光信号发生器，特别涉及超高速通信器件范围。其特征在于：该结构包括盘绕生长的硅波导1、石墨烯层2(1)和2(2)、SiO2平板基底3、泵浦光4、掩膜版5。具体组合方式为：硅波导1以盘绕结构生长于SiO2平板基底3之上，石墨烯层2(1)和2(2)分别置于硅波导1和无硅波导1生长的SiO2平板基底3的表面之上，泵浦光4经过掩膜版5产生衍射条纹照射于石墨烯层2(1)和2(2)上，改变泵浦光的强度调节石墨烯对载波的吸收特性，产生超高速光信号。
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公开(公告)号：CN106932926A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201710184005.8
申请日：2017-03-24
Applicant: 北京交通大学
IPC: G02F1/035
CPC classification number: G02F1/035
Abstract: 基于石墨烯栅层硅波导的超高速电光信号发生器，设计超高速通信器件领域。正电极7和负电极8周期性排列至SiO2平板基底1表面两端，主硅波导4覆于SiO2平板基底1之上靠中间位置，表面硅波导5同样置于SiO2平板基底1之上，一端连接导光硅波导4，另一端连接负电极8。Al2O3层2覆于导光硅波导4、连接硅波导5和SiO2平板基底1表面之上。石墨烯栅层6覆于导光硅波导4和无连接硅波导5这一侧的Al2O3层2上直到连至正电极7。铂层3覆于石墨烯栅层6之上，且一端连接至正电极7，由正负电极提供电压，改变石墨烯栅层6对载波的吸收作用。
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