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公开(公告)号：CN113485033B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202110494907.8
申请日：2019-02-21
申请人： 洛克利光子有限公司
摘要： 本文公开一种光电装置，所述光电装置包括：肋形波导，所述肋形波导包括：脊部分，所述脊部分包括对温度敏感的光学有源区，以及平板部分，所述平板部分邻近所述脊部分定位；所述装置还包括加热器，所述加热器安置在所述平板部分的顶部上，其中所述加热器的最靠近脊部分的部分距离所述脊部分至少2 μm。所述装置还可以具有设置有底部包覆层的加热器，并且还可以包括各种热绝缘增强腔。
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公开(公告)号：CN113316740B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202080009448.3
申请日：2020-01-08
申请人： 日本电信电话株式会社
IPC分类号： G02F1/025
摘要： 一个目的是解决由高频线和端接电阻之间的阻抗失配引起的光调制器的高频特性的劣化。半导体马赫‑曾德尔光调制器包括输入侧引出线(20～23)、相位调制电极线(24～27)、输出侧引出线(28～31)、将通过相位调制电极线(24～27)传播的调制信号施加到各个波导(16～19)的电极(32～35)，以及接地线(48～50)。此外，在衬底和输出侧引出线(28～31)下方的下层中的介电层之间，沿输出侧引出线(28～31)间断地形成至少一个n型半导体层或p型半导体层。
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公开(公告)号：CN113424100B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN201980092048.0
申请日：2019-02-14
申请人： 日本电信电话株式会社
摘要： 沿波导(16‑19)形成半导体马赫‑曾德光学调制器的相位调制电极线(24‑27)。输出侧引线(28至31)连接到终端电阻(51至54)，并且在与波导(16至19)在电介质层平面内延伸的方向交叉的方向上弯曲。输出侧引线(28‑31)以对应于期望的阻抗的恒定宽度形成，并且仅在其弯曲部分和其与波导(16‑19)交叉的部分中比恒定宽度窄。
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公开(公告)号：CN113281920B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202110495073.2
申请日：2021-05-07
申请人： 三明学院
发明人： 崔积适
摘要： 一种一阶电光效应硅调制器及其制备工艺，涉及电光效应硅调制器领域。制备工艺包括在硅波导区蚀刻形成非晶硅生长窗口，非晶硅生长窗口由硅波导区的上表面蚀刻形成；非晶硅生长窗口的底部还开设有辅助窗口，辅助窗口由非晶硅生长窗口的底部蚀刻形成；在非晶硅生长窗口中沉积非晶硅，并在沉积的非晶硅表面覆盖二氧化硅层；以波长为488nm的光辐照非晶硅生长窗口使非晶硅生长窗口中的非晶硅的至少一部分转变为单晶硅。制备得到的一阶电光效应硅调制器通过在硅结构中引入不对称应力而打破了中心反演对称结构对硅基电光调制器的功能限制，大大提高了硅基调制器的调制效率，有效减小了器件的尺寸、提高了带宽、降低了插损。
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公开(公告)号：CN113960814B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202011390878.2
申请日：2020-12-02
申请人： 联合微电子中心有限责任公司
IPC分类号： G02F1/025
摘要： 一种硅光调制器及其形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底的表面进行刻蚀以得到脊型结构，所述脊型结构具有相邻的P型掺杂区域以及N型掺杂区域；形成第一电极和第二电极，所述第一电极包含多个第一延伸结构，所述多个第一延伸结构覆盖并电连接所述P型掺杂区域，所述第二电极包括多个第二延伸结构，所述多个第二延伸结构覆盖并电连接所述N型掺杂区域；其中，沿所述脊型结构的轴向方向，所述多个第一延伸结构的面积逐渐增大，以及所述多个第二延伸结构的面积逐渐增大。本发明可以在沿脊型结构的轴向方向上，保证特征阻抗的稳定和微波折射率的稳定，减小阻抗失配，折射率匹配和提高调制效率，进而提升调制器的带宽。
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公开(公告)号：CN118377160A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202311608750.2
申请日：2023-11-28
申请人： 富士通光器件株式会社
发明人： 杉山昌树
摘要： 本公开涉及光学装置、光学发送装置和光学接收装置。光学装置包括：形成在基板上的脊形光学波导；形成在脊形光学波导的平板区域中的一个中的P掺杂区域；形成在脊形光学波导的平板区域中的另一个中的N掺杂区域；连接到P掺杂区域的第一电极；连接到N掺杂区域的第二电极；以及光学吸收结构。光学吸收结构根据在第一电极和第二电极之间流动的电流来实现对穿过脊形光学波导的信号光的光学吸收，并且使得在光学吸收中，穿过脊形光学波导的光学输入部的信号光的光学衰减率低于穿过脊形光学波导的不包括光学输入部的至少一部分的信号光的光学衰减率。
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公开(公告)号：CN112946929B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202110153267.4
申请日：2021-02-04
申请人： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
摘要： 基于切趾调制的一维光学相控阵涉及激光雷达领域，该相控阵包括：耦合器、分束器、移相器及光学天线，光源通过耦合器从光纤耦合到硅基光学相控阵中，通过分束器进入到移相器阵列，在移相器阵列对光束添加额外的附加相位，最终，具有不同相位的光经由光学天线阵列辐射到自由空间中，在远场进行相干叠加，实现光束的偏转；分束器采用多级多模干涉耦合器连接的方式，用于将光功率按照特定的分配比传输给下一级的移相器阵列；移相器通过改变波导的有效折射率对光添加额外的附加相位；光学天线为条状波导光栅结构，将光耦合到自由空间中，对波导进行侧壁刻蚀，刻蚀结构采用非均匀方式排布，调制天线近场发射强度，以获得所需的近场光强轮廓。
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公开(公告)号：CN110058433B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN201910048299.0
申请日：2019-01-18
申请人： 罗伯特·博世有限公司
摘要： 本公开涉及用于电光移相器的温度反馈。光学设备的发射器包括半导体波导，每一个在半导体波导中并入有电光移相器，该电光移相器可操作成改变波导的折射率，从而在通过波导传播的光中引入相移。电光器件连接到相移控制器和温度测量部件，诸如PTAT电路，该温度测量部件集成到承载波导的电子或光子芯片中。可以将由测量部件进行的温度测量与移相器的正常操作进行复用，使得温度测量功能不与移相功能发生干扰。
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公开(公告)号：CN113625475B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202110820080.5
申请日：2021-07-20
申请人： 厦门大学
摘要： 本发明公开了一种石墨烯/光波导结合的微型光谱器件及光谱分析方法，属于集成光子与硅基光电子学领域。器件包括基板、核心吸收单元和信号控制处理单元，其中核心吸收单元包括光栅耦合器、光波导、石墨烯吸收层、隔离层、介质层及调谐电极。光栅耦合器与光波导连接，石墨烯吸收层、隔离层与光波导构成空间夹心结构，调谐电极与石墨烯及介质层电连接用于电学信号施加获取。本发明的微型光谱器件将石墨烯材料与光波导进行结合，以串联结构形式对入射光谱信号进行吸收并对光电信号进行处理。所设计结构在显著提升石墨烯光吸收的同时，实现了器件面向宽光谱信号的选择性吸收及相应光电信号分析重构，对于片上微型光谱芯片和微型光谱设备的开发提供思路。
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