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公开(公告)号：CN107615140A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201680031603.5
申请日：2016-06-01
申请人： 日本电信电话株式会社
CPC分类号： G02F1/2257 , G02F1/025 , G02F1/225 , G02F2001/212 , G02F2202/102 , G02F2202/107
摘要： 本发明提供一种能作为超高速且电稳定性优异的调制器来使用的马赫-策德尔型(MZ)半导体光调制元件。本发明的半导体光调制元件是通过对在光波导进行导波的光的折射率进行调制的折射率调制区域以及进行在该折射率调制区域分支的光的合分波的输入输出区域来进行光的调制的马赫-策德尔型半导体光调制元件，其特征在于，所述光波导在折射率调制区域中，在与闪锌矿型半绝缘性的半导体晶体基板的(100)面等效的基板面上，从上层层叠有n型包层、i芯层以及p型包层，所述n型包层在倒置台面方向形成为脊状，在该n型包层上设有电容加载电极。
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公开(公告)号：CN116097157A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202080104490.3
申请日：2020-07-29
申请人： 日本电信电话株式会社
IPC分类号： G02F1/015
摘要： 一种半导体光调制器，其特征在于，高频线路，与波导并行布置并且由用于传输高频调制信号的差分线路构成；连接用焊盘，与所述高频线路连续并且沿相同方向形成；以及终端电阻，由用于将来自所述连接用焊盘的所述高频调制信号差分终止的两个长方形的电阻体构成，这三个部分直线状地布置，并在片上终止，在经过所述终端电阻紧后形成差分对的所述高频线路短路。
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公开(公告)号：CN114365034A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN201980100316.9
申请日：2019-09-12
申请人： 日本电信电话株式会社
摘要： 一种半导体Mach‑Zehnder光调制器包括：输入侧引出线(20‑23)；相位调制电极线(24‑27)；以及电极(32‑35)，将通过相位调制电极线(24‑27)传播的调制信号分别施加到波导(16‑19)。半导体Mach‑Zehnder光调制器还包括：导电层，形成在衬底与波导(16‑19)之间；多个第一布线层(70)，连接到导电层；以及第二布线层(71)，连接电极焊盘(55)和多个第一布线层(70)。
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公开(公告)号：CN116018546A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202080104375.6
申请日：2020-08-03
申请人： 日本电信电话株式会社
IPC分类号： G02F1/025
摘要： 一种半导体IQ调制器，相位调制部由基于SS线路结构的差分容量加载型行波电极构造构成，其中，邻接信道间的相位调制部距离400μm以上，容量加载构造的主信号线间距离为60μm以下，在I侧与Q侧的相位调制部之间具有DC相位调整电极和PAD，DC相位调整电极距离相位调整部的信号线至少80μm以上，邻接信道间的串扰特性在所需要的频带内为－30dB以下。
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公开(公告)号：CN107710500A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201680036151.X
申请日：2016-06-24
申请人： 日本电信电话株式会社
摘要： 本发明提供一种具备抑制与光波导交叉的高频布线中的阻抗变化、电的过量损失发生的结构的高频线路。高频线路为微带线，其基本结构是在SI-InP基板(301)上依次层叠接地电极(302)、电介质层(304)、信号电极(305)而成。另外，如横向剖视图所示，在横切高频线路(305)的形态下，交叉着InP类半导体的光波导芯(303)。沿着高频线路的传输方向，在包含光波导交叉的固定区域内，使信号电极(305)的宽度局部扩大。在微带线中，信号电极(305)的宽度的局部从w1扩大至w2，相比宽度为均匀的w1，使特性阻抗降低。该宽度w2的第二信号电极部(325)的长度l2被设定为远短于所输入的高频电信号的波长的长度。
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公开(公告)号：CN115136516B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202080096761.5
申请日：2020-02-28
申请人： 日本电信电话株式会社
IPC分类号： H04B10/40
摘要： 就包括数字信号处理电路、以及光调制模块和光接收模块的光收发装置而言，采用了一种高速光收发装置，其中，将柔性基板用作所述光调制模块和所述光接收模块的高频接口，在数字信号处理电路的封装基板上设有将高频布线图案与所述柔性基板连接的机构，所述封装基板与所述光调制模块和所述光接收模块通过所述柔性基板连接。
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公开(公告)号：CN114365033A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN201980100217.0
申请日：2019-09-13
申请人： 日本电信电话株式会社
IPC分类号： G02F1/01
摘要： 一种具有嵌套构造的MZ光波导的IQ光调制器，所述嵌套构造的MZ光波导具有I/Q两个信道光调制区域，其中，IQ光调制器的输入光波导的端部和输出光波导的端部位于所述IQ光调制器的芯片的同一端面，所述IQ光调制器具备嵌套构造的MZ光波导的第一光合波器与第二光合波器之间的光波导和输入光波导交叉的光交叉波导，第一光分波器设于所述I信道光调制区域与所述Q信道光调制区域之间，所述第一光分波器内的光传输方向与所述光调制区域内的光传输方向为相反方向。
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公开(公告)号：CN107615140B
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201680031603.5
申请日：2016-06-01
申请人： 日本电信电话株式会社
摘要： 本发明提供一种能作为超高速且电稳定性优异的调制器来使用的马赫‑策德尔型(MZ)半导体光调制元件。本发明的半导体光调制元件是通过对在光波导进行导波的光的折射率进行调制的折射率调制区域以及进行在该折射率调制区域分支的光的合分波的输入输出区域来进行光的调制的马赫‑策德尔型半导体光调制元件，其特征在于，所述光波导在折射率调制区域中，在与闪锌矿型半绝缘性的半导体晶体基板的(100)面等效的基板面上，从上层层叠有n型包层、i芯层以及p型包层，所述n型包层在倒置台面方向形成为脊状，在该n型包层上设有电容加载电极。
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公开(公告)号：CN107710500B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201680036151.X
申请日：2016-06-24
申请人： 日本电信电话株式会社
摘要： 本发明提供一种具备抑制与光波导交叉的高频布线中的阻抗变化、电的过量损失发生的结构的高频线路。高频线路为微带线，其基本结构是在SI‑InP基板上依次层叠接地电极、电介质层、信号电极而成。另外，如横向剖视图所示，在横切高频线路的形态下，交叉着InP类半导体的光波导芯。沿着高频线路的传输方向，在包含光波导交叉的一定区域内，使信号电极的宽度局部扩大。在微带线中，信号电极的宽度的局部从w1扩大至w2，相比宽度为均匀的w1，使特性阻抗降低。
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公开(公告)号：CN110573940A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201880026064.5
申请日：2018-04-17
申请人： 日本电信电话株式会社
摘要： 本发明的半导体MZM具备：第一信号电极和第二信号电极，分别与第一臂波导和第二臂波导并联地形成；多个第一相位调制电极和第二相位调制电极，从第一信号电极和第二信号电极分支，分别沿第一信号电极和第二信号电极离散地设于第一臂波导和第二臂波导上；第一接地电极和第二接地电极，沿第一信号电极和第二信号电极并联地形成；以及多个连接配线，在多个点之间连接第一接地电极和第二接地电极，第一信号电极和第二信号电极被输入/输出差分信号，相邻的所述多个连接配线以在第一信号电极和第二信号电极中传输的信号的波长的1/4以下的间隔进行设置。
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