半导体光调制元件
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107615140A

    公开(公告)日:2018-01-19

    申请号:CN201680031603.5

    申请日:2016-06-01

    IPC分类号: G02F1/025 G02F1/225

    摘要: 本发明提供一种能作为超高速且电稳定性优异的调制器来使用的马赫-策德尔型(MZ)半导体光调制元件。本发明的半导体光调制元件是通过对在光波导进行导波的光的折射率进行调制的折射率调制区域以及进行在该折射率调制区域分支的光的合分波的输入输出区域来进行光的调制的马赫-策德尔型半导体光调制元件,其特征在于,所述光波导在折射率调制区域中,在与闪锌矿型半绝缘性的半导体晶体基板的(100)面等效的基板面上,从上层层叠有n型包层、i芯层以及p型包层,所述n型包层在倒置台面方向形成为脊状,在该n型包层上设有电容加载电极。

    显示装置、显示装置制造方法和电子设备

    公开(公告)号:CN102929037A

    公开(公告)日:2013-02-13

    申请号:CN201210258533.0

    申请日:2012-07-24

    申请人: 索尼公司

    IPC分类号: G02F1/13357 G02F1/1335

    摘要: 本发明涉及显示装置、显示装置制造方法和电子设备。所述显示装置包括光源部和发光层,所述光源部与各像素对应地出射激发光,所述发光层包含量子点并且与各所述像素对应地出射发射光,所述量子点基于所述激发光生成波长比所述激发光的波长更长的所述发射光。所述电子设备设置有上述显示装置。所述显示装置制造方法包括如下步骤:形成上述光源部;并且利用量子点形成上述发光层,所述量子点被构造成基于所述激发光生成波长比所述激发光的波长更长的所述发射光。根据本发明,能够以简单的结构进行从所述激发光到所述发射光的波长转换。因此,能够促进光的利用效率的提高。