芳族异硫氰酸酯
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN116601265B

    公开(公告)日:2025-02-25

    申请号:CN202180073528.X

    申请日:2021-10-25

    Abstract: 本发明涉及一种如权利要求1所定义的式G化合物,#imgabs0#涉及包含式G化合物的液晶介质及包含这些介质的高频组件,特别是用于高频装置的微波组件,所述装置诸如微波相移装置、可调谐滤波器、可调谐超材料结构及电子式波束操控天线,例如相位阵列天线。

    液晶介质和包含其的液晶显示器
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119463893A

    公开(公告)日:2025-02-18

    申请号:CN202411613326.1

    申请日:2020-12-18

    Abstract: 本发明涉及液晶介质和包含其的液晶显示器。具体地,本发明涉及液晶介质,其优选具有向列相且介电各向异性为0.5或更大,其包含一种或多种式T化合物和一种或多种选自式I,CT,CLY,VI,VI I,VI I I和IX化合物的化合物#imgabs0##imgabs1#其中参数具有权利要求和文本中给出的含义,其在电光显示器,特别是在基于IPS或FFS效应的有源矩阵显示器中的用途,包含此类液晶介质的这种类型的显示器以及式T和∈{CS,CLY,VI,VI I,VI I I和IX}的化合物及它们用于改进包含一种或多种另外的介晶化合物的液晶介质的透射率和/或响应时间的用途。

    液晶介质
    5.
    发明公开
    液晶介质 审中-实审

    公开(公告)号:CN119463892A

    公开(公告)日:2025-02-18

    申请号:CN202411613323.8

    申请日:2018-12-18

    Abstract: 本发明涉及一种液晶介质,其包含至少一种式I化合物,#imgabs0#及选自式IIA、IIB及IIC的化合物的组的一种或多种化合物,#imgabs1#其中所出现的基团及参数具有权利要求1中所指示的含义,且涉及其用于特别地基于VA、PSA、PA‑VA、SS‑VA、SA‑VA、PS‑VA、PALC、IPS、PS‑IPS、UB‑FFS、U‑IPS、FFS或PS‑FFS效应的有源矩阵式显示器的用途。

    铁电性近晶型液晶介质
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119301215A

    公开(公告)日:2025-01-10

    申请号:CN202380043806.6

    申请日:2023-05-30

    Abstract: 本发明涉及展现新的自发、自撑式铁电性近晶相的新介质。其通常包含一种或多种在说明书中进一步描述的介电中性芳族化合物,该芳族化合物处于对于铁电性向列型混合物典型的高度极性主体混合物中。该混合物可用于电光学、电子学、机电及其他有关具有非常高介电电容率的材料的应用。此外本发明涉及含有根据本发明的液晶介质的液晶装置、电气组件及电子组件。

    可切换光学器件和可切换窗玻璃单元

    公开(公告)号:CN114026491B

    公开(公告)日:2025-01-10

    申请号:CN202080047778.1

    申请日:2020-06-29

    Abstract: 提供可切换光学器件(10),其依次包括第一基板(12)、第一导电层(14)、可切换层(18)、第二导电层(22)和第二基板(24)。可切换光学器件(10)还包括以下一个或两个方面:在第一方面i)中,第一导电层(12)包括第一接触区(30)和第二接触区(32),其中第一接触区(30)与第二接触区(32)电绝缘,并且其中可切换光学器件(10)包括用于将第一导电层(14)的第二接触区(32)与第二导电层(22)电连接的电互连(38)。在第二方面ii)中,可切换光学器件(10)包括层压到第一基板(12)和/或第二基板(24)的至少一个其他片材(28),其中第一基板(12)、第二基板(24)和至少一个其他片材(28)具有基本相同的热膨胀系数。在本发明的其他方面中提供可切换窗玻璃单元(200),其包括至少一个玻璃窗格和至少一个可切换光学器件(10)。

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