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公开(公告)号：CN118969824A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411099134.3
申请日：2024-08-12
申请人： 重庆邮电大学
IPC分类号： H01L29/45 , H01L29/47 , H01L29/423 , H01L29/778
摘要： 本发明涉及一种抑制阈值电压漂移的p‑GaN HEMT器件，属于半导体技术领域。本发明器件栅极采用肖特基/欧姆混合接触，对位于势垒层上方的p‑GaN层进行凹槽刻蚀，刻蚀出两个凹槽，凹槽使用氮化物进行填充，使得p‑GaN层整体形状为“ш”形，从而分离出三个栅极。其中两边的靠近源漏的栅极采用肖特基接触，形成肖特基势垒，中间的栅极采用欧姆接触，形成高阻区。当器件承受漏极高压偏置应力时，p‑GaN层会产生电荷积累现象，积累的电荷可以通过中间的欧姆栅极高阻区释放出去，减轻电荷积累效应，达到抑制阈值电压漂移的目的，而因为两边栅极肖特基势垒的存在可以在保证抑制阈值电压漂移的同时，保证整体栅控能力。
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公开(公告)号：CN118263321A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410349899.1
申请日：2024-03-26
申请人： 重庆邮电大学
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/16
摘要： 本发明涉及一种集成沟道二极管和肖特基二极管结构的SiC‑MOSFET器件及制备方法，属于半导体器件技术领域。该器件集成的沟道二极管由虚拟栅、N‑区、N‑drift区、N+衬底区以及栅氧化层组成，其中N‑区作为漏极，N+衬底区作为源极，虚拟栅作为栅极，形成沟道二极管。通过在低掺杂的N‑区上淀积金属形成肖特基结，并且可以通过改变肖特基结长度来改变虚拟栅的作用。该器件在反向恢复时，体二极管被沟道二极管与肖特基二极管抑制，大幅降低了寄生PN结二极管空穴的注入，消除SiC‑MOSFET的双极退化效应，同时虚拟栅的引入可以有效减少电极间电容耦合，使反馈电容和栅极电荷大大降低。
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公开(公告)号：CN118016728A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410157818.8
申请日：2024-02-04
申请人： 重庆邮电大学
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/868 , H01L21/329
摘要： 本发明涉及一种氧化镓基混合PIN‑肖特基二极管及其制备方法，属于半导体器件技术领域。该二极管器件包括：作为该二极管器件衬底的N‑buffer区；形成于N‑buffer区下表面的金属阴极区；形成于N‑buffer上表面的N‑drift区；形成于N‑drift区上表面的P+接触区；形成于P+接触区中的第二阳极区，其中第二阳极区作为该二极管器件的肖特基接触阳极；以及形成于P+接触区和第二阳极区上表面的第一阳极区，其中第一阳极区作为该二极管器件的欧姆接触阳极。本发明采用氧化工艺制备P型NiO层，相比于现有技术，本发明能够避免造成器件导通电阻变大，并使器件具有低导通电阻、低泄漏电流以及高阻断电压的特性。
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公开(公告)号：CN117830338A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410030007.1
申请日：2024-01-09
申请人： 重庆邮电大学
摘要： 本发明涉及一种红外小目标检测算法的FPGA实现方法，属于图像处理技术领域。本发明根据FPGA硬件计算特性，将RDLCM算法部署到FPGA硬件平台上；将RDLCM算法中的图像分块操作转换为FPGA中的移位寄存器进行两级行缓存来实现；将软件上进行的浮点数运算在FPGA中进行定点化；算法中涉及到的排序操作在FPGA使用分块流水化的并行全排序算法来完成，充分利用FPGA的并行处理优势；归一化操作时，使用FPGA片上BRAM对数据进行缓存，充分利用FPGA丰富的片上存储资源。最终得到了实时的红外图像目标检测系统，能够实时的对红外图像中的小目标进行增强，并抑制复杂背景，最终输出显示分割目标与背景的二值图。
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公开(公告)号：CN113611738B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202110914932.7
申请日：2021-08-10
申请人： 重庆邮电大学
IPC分类号： H01L29/20 , H01L29/06 , H01L29/739
摘要： 本发明涉及一种异质结注入的沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管，属于功率半导体器件领域。该晶体管呈左右对称结构，左半边结构包括P+集电极、N‑漂移区、P‑沟道区、N+发射极衬底、绝缘介质层、栅极金属接触区、集电极金属接触区、发射极金属接触区Ⅰ、发射极金属接触区Ⅱ和Al组分渐变区。本发明基于N+型GaN衬底材料上，采用从上至下为P/N/P/N的沟槽型IGBT垂直器件结构，通过较低掺杂的P+AlGaN集电极层就可以实现P+AlGaN/GaN较高的空穴注入比，同时，还在P+AlGaN/GaN异质结界面处引入x渐变的AlxGa1‑xN渐变层，以减少器件导通压降，提高器件输出电流。
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公开(公告)号：CN116364823A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310380548.2
申请日：2023-04-11
申请人： 重庆邮电大学
摘要： 本发明涉及GaN基光电器件领域，具体公开了一种GaN基纳米多孔结构Micro‑LED器件，包括n‑GaN层、量子阱InGaN层、p‑GaN层、Si衬底、纳米多孔GaN和偶极子源；所述p‑GaN层、量子阱InGaN层、n‑GaN层和纳米多孔GaN由下到上依次设置在Si衬底上；所述偶极子源设置在量子阱InGaN层内；所述纳米多孔GaN含有周期性纳米多孔结构阵列。本发明的器件工作在TE模的偶极子源下，由于GaN纳米多孔结构阵列，可打破界面全反射，促进光子从逃逸锥中辐射出来，更易激发载流子的自发辐射效应，达到提高Purcell因子和光提取效率的目的。
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公开(公告)号：CN113540224B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202110812047.8
申请日：2021-07-19
申请人： 重庆邮电大学
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/20 , H01L29/06
摘要： 本发明涉及一种N衬底沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管，属于功率半导体器件领域。该晶体管呈左右对称结构，左半边结构包括P+集电极、N‑漂移区、P‑沟道区、N+发射极衬底、绝缘介质层、栅极金属接触区、集电极金属接触区、发射极金属接触区Ⅰ和发射极金属接触区Ⅱ。本发明基于N+型GaN衬底材料上，从上至下采用P/N/P/N的沟槽型IGBT垂直器件结构，综合提升导通电阻、关断时间等器件电学特性。
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公开(公告)号：CN111710745B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202010599721.4
申请日：2020-06-28
申请人： 重庆邮电大学
IPC分类号： H01L31/072 , H01L31/036 , B81B7/00 , B81C1/00
摘要： 本发明涉及一种锰掺杂纯无机钙钛矿‑Au纳米晶异质结及其制备方法和应用，属于纳米材料技术领域。本发明的锰掺杂纯无机钙钛矿‑Au纳米晶异质结，将球形的Au颗粒直接生长在锰掺杂纯无机钙钛矿形成的纳米晶上形成一种异质结，具有分散性好、结晶性好、光学性能优异的特点，同时还具有较好的光学稳定性，在太阳能电池或光催化等领域具有广泛的应用前景。本发明一种锰掺杂纯无机钙钛矿‑Au纳米晶异质结的制备方法，具有制备方法简单、可控等优点，适合工业生产。
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公开(公告)号：CN110610986B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN201910954779.3
申请日：2019-10-09
申请人： 重庆邮电大学
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/739
摘要： 本发明涉及一种利用结终端集成横向续流二极管的RC‑IGBT器件，属于半导体技术领域。该器件包括栅极接触区1、发射极接触区2、金属场板3、N型集电极接触区4、P型集电极接触区4’、发射极5、元胞区P型阱6、过渡区P型阱7、第一场限环8、第二场限环9、第三场限环10、N型集电极11、N型缓冲层12、P型集电极13、N型漂移区14、栅氧化层15、场氧化层16。本发明在保证较低关断损耗、反向导通性能及较高的阻断电压的前提下，能够消除在传统器件导通时存在的负阻效应，提高器件的工作稳定性和电流导通能力，同时还能降低制造成本。
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公开(公告)号：CN114927576A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210547499.2
申请日：2022-05-18
申请人： 重庆邮电大学
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/267 , H01L29/24 , H01L21/34
摘要： 本发明涉及一种低漏电耐高温氧化镓异质结二极管及制备方法，属于功率半导体器件领域。该二极管为垂直结构，包括阳极金属接触区、P型NiO材料层、N‑漂移区、N+衬底、阴极金属接触区和绝缘层。本发明基于垂直结构Ga2O3异质结功率二极管，采用高温氧化工艺制备P型NiO层薄层，综合提升器件导通电阻、提升击穿电压、高温下低漏电流等特性。
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