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公开(公告)号：CN118556300A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202280089351.7
申请日：2022-11-21
申请人： 株式会社日本显示器
发明人： 西村真澄
IPC分类号： H01L33/08 , G09F9/30 , G09F9/33 , H01L21/205 , H01L33/10 , H01L33/16 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/38
摘要： 发光装置包括在第1方向及与第1方向交叉的第2方向上以矩阵状配置的多个像素，以矩阵状配置的多个像素分别包括基板、基板之上的导电性取向层、导电性取向层之上的包含氮化镓的半导体层、半导体层之上的以岛状设置的发光层和发光层之上的电极层，发光层的侧面被绝缘层覆盖，在绝缘层之上设有与发光层的侧面对置的反射层。
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公开(公告)号：CN118382939A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202280003903.8
申请日：2022-10-28
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
发明人： 李东
摘要： 提供一种发光器件及其制备方法、显示基板。所述发光器件，包括：依次层叠设置的第一电极、电子传输层、发光层、空穴传输层和第二电极；所述电子传输层包括至少一层电子传输子层，所述至少一层电子传输子层中，最靠近所述发光层一侧的电子传输子层为C轴取向的电子传输子层；其中，C轴取向为垂直于发光层所在平面的方向，在所述C轴取向的电子传输子层中，沿垂直于所述发光层所在平面的方向上，与相邻的晶粒无交叠的晶粒的数量占总晶粒数量的比例大于85％。
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公开(公告)号：CN118367073A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202311753937.1
申请日：2023-12-19
申请人： 晶元光电股份有限公司
摘要： 本发明公开一种发光元件及其制造方法，其中该发光元件包含：一基板，包含一上表面以及多个侧表面，其中多个侧表面包含第一侧表面以及第二侧表面相对于第一侧表面；以及一半导体叠层，位于上表面；其中：第一侧表面包含多个第一改质区，且多个第一改质区组成第一改质条痕；基板包含单晶六方晶格结构，第一侧表面及第二侧表面倾斜于单晶六方晶格结构的m面，且第一侧表面与m面之间形成一锐角夹角；以及第一侧表面包含一褶曲结构。
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公开(公告)号：CN118266092A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202280076604.7
申请日：2022-11-01
申请人： 国立大学法人京都大学 , 斯坦雷电气株式会社
摘要： 本发明具有：基板(11)，其在表面具有周期性形成有锥形突起的蛾眼型纳米结构(11M)；第一半导体层(21)，其形成在蛾眼型纳米结构(11M)上，具有光子晶体层(21P)；有源层(23)，其形成在第一半导体层(21)上，具有发光层(23A)；以及第二半导体层(25)，其形成在有源层(23)上。
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公开(公告)号：CN118266090A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202280072182.6
申请日：2022-10-28
申请人： 艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司
发明人： 坦森·瓦尔盖斯
摘要： 本发明涉及一种用于处理光电部件的方法，该光电部件具有包括铟的半导体材料，该方法包括以下步骤：设置具有第一晶格常数的生长衬底，并且外延沉积基于GaN的牺牲层，该牺牲层具有高于1e18原子/cm3的掺杂浓度、具有不同于第一晶格常数的第二晶格常数。然后沉积基于GaN的顶部层，该顶部层的掺杂浓度低于牺牲层的掺杂浓度并且具有不同于第一晶格常数的第三晶格常数，其中，牺牲层和顶部层的生长在顶部层的表面上产生多个位错。将结构化掩膜设置到顶部层的表面上，其中，表面的第一部分被暴露并且表面的第二部分被覆盖，并且牺牲层通过暴露的部分上的位错而电化学多孔化，使得第二部分下方的牺牲层被至少部分地多孔化。最后，形成功能层堆叠。
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公开(公告)号：CN118213443A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202211575505.1
申请日：2022-12-08
申请人： 聚灿光电科技(宿迁)有限公司
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/02 , H01L33/16 , H01L21/205
摘要： 本申请一种发光二极管外延的生长方法包括：提供一层衬底，其中，衬底为Al2O3衬底、Al2O3/SiO2复合衬底、Si衬底、BN衬底和SiC衬底中的一种；在衬底上依次沉积生长u‑GaN层、位错中断层和n‑GaN层，其中，位错中断层包括在u‑GaN层上循环生长的SiC插入层和位错填平层，循环生长的次数为N，且，N≥1；其中，沉积SiC插入层所用的温度为1000～1550度；沉积SiC插入层所用的气体为硅源气体和碳源气体，硅源气体流速为1～1000sccm，碳源气体流速为1～1000sccm；沉积SiC插入层所用的气体载气，流速为10～500slm；SiC插入层的沉积压力为100～700torr。
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公开(公告)号：CN118156380A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202311663359.2
申请日：2023-12-06
申请人： 原子能与替代能源委员会
摘要： 本说明书涉及一种制造包括至少一个LED(L)和至少一个光电二极管(P)的光电子器件的方法，包括以下步骤：a)形成包括至少一个掺杂半导体层(210b)的半导体支撑堆叠(210)；b)在共同外延步骤期间同时形成LED(L)的有源发射半导体堆叠(103)和光电二极管(P)的有源接收半导体堆叠(103)；c)形成限定第一(SL)和第二(SP)支撑垫的沟槽(220)；以及d)对第一支撑垫(SL)中的掺杂半导体层(210b)进行多孔化而不对第二支撑垫(SP)中的该层进行多孔化，或者对第二支撑垫(SP)中的掺杂半导体层(210b)进行多孔化而不对第一支撑垫(SL)中的该层进行多孔化。
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公开(公告)号：CN118103985A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202280066105.X
申请日：2022-07-28
申请人： 波拉科技有限公司
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/00 , H01L33/16 , H01L33/32 , H05B45/20 , H01L25/16 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/24 , H01L33/62
摘要： 显示器件包含发光二极管(LED)，该发光二极管包括多孔半导体材料，其中该器件包含像素，该像素包含多个子像素，每个子像素具有发光层。第一子像素具有第一发光层，该第一发光层具有第一面积A1，并且第二子像素具有第二发光层，该第二发光层具有不同于第一面积A1的第二面积A2。第一子像素被配置成以第一峰值波长发射，并且第二子像素被配置成以不同于第一峰值波长的第二峰值波长发射。还提供了控制该显示器件的方法以制造所述显示器件的方法。
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公开(公告)号：CN118043978A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202280066094.5
申请日：2022-07-28
申请人： 波拉科技有限公司
IPC分类号： H01L33/32 , H01L33/16 , H01L33/00 , H01L27/15 , H05B45/20 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/20 , H01L33/24 , H01L33/62
摘要： 提供了一种可变波长发光二极管(LED)，该可变波长LED包含n掺杂部分、p掺杂部分和位于n掺杂部分与p掺杂部分之间的发光区域。发光区域包含发光层，该发光层在跨过其的电偏压下以峰值发射波长发光。LED被配置成接收电源，并且通过改变电源，LED的峰值发射波长在至少40nm的发射波长范围内是连续可控的。还提供了控制可变波长LED的方法和制造可变波长LED的方法。
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公开(公告)号：CN117637954B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410101775.1
申请日：2024-01-25
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。其中，发光二极管外延片依次包括衬底，依次层叠于所述衬底上的N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层；所述P型半导体层为周期性结构，周期数为3~25，每个周期均包括依次层叠的第一P型GaN层、第二P型GaN层和二维InSe层；其中，所述第一P型GaN层中GaN为立方闪锌矿结构，所述第二P型GaN层中GaN为六方纤锌矿结构。实施本发明，可提升发光二极管的发光效率，降低其工作电压。
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