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公开(公告)号：CN119174011A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202380039676.9
申请日：2023-04-11
Applicant: 株式会社日本显示器
Inventor： 西村真澄
IPC: H01L29/786 , C09K11/00 , C09K11/62 , H01L21/20
Abstract: 层叠构造体(100)具备缓冲层(106)、第1半导体层(108)及第2半导体层(110)。缓冲层和第1半导体层在上下方向上相互重叠。第2半导体层与第1半导体层的侧面相接，在与上下方向垂直的平面中将第1半导体层的至少一部分包围。第1半导体层和第2半导体层分别包含III－V族材料或III族氮化物材料。第1半导体层的结晶性比第2半导体层的结晶性高。缓冲层在上下方向上从第2半导体层露出。
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公开(公告)号：CN115440771A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210618767.5
申请日：2022-06-01
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 一实施方式的显示装置具备：基材；多个显示元件，配置于所述基材的上方，具备第一电极、与所述第一电极对置的第二电极以及根据所述第一电极与所述第二电极之间的电压而发光的有机层；隔壁，位于相邻的所述显示元件之间；沿着所述隔壁的金属层；以及无机层，由无机材料形成，覆盖所述显示元件、所述隔壁以及所述金属层。所述隔壁具有第一部分、以及位于所述第一部分的下方且宽度比所述第一部分小的第二部分。所述金属层覆盖所述第二部分的侧面的第一区域，所述无机层覆盖所述侧面的第二区域，所述第二区域位于所述第一区域与所述第一部分之间。
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公开(公告)号：CN110226192A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201780084096.6
申请日：2017-11-22
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 本发明的显示装置包括：绝缘片(134)，其从显示区域(42)形成至驱动部形成区域(46)，且在弯曲区域(120)中形成有具有比显示区域(42)的膜厚和驱动部形成区域(46)的膜厚薄的第一膜厚的第一膜厚区域(126)，并且还具有配置在显示区域(42)与第一膜厚区域(126)之间的第一台阶部(170)和配置在驱动部形成区域(46)与第一膜厚区域(126)之间的第二台阶部(172)；第一配线(116A)和第二配线(116B)，其在绝缘片(134)的上方横穿第一台阶部(170)和第二台阶部(172)，且将显示区域(42)与驱动部形成区域(46)电连接；和绝缘壁(200)，其在第一配线(116A)与第二配线(116B)之间，从第一台阶部(170)延伸至第二台阶部(172)。
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公开(公告)号：CN117882126A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202280057474.2
申请日：2022-08-02
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 发光装置包含在第1方向及与第1方向交叉的第2方向上以矩阵状配置的多个像素，以矩阵状配置的多个像素分别包含基板、基板之上的导电性取向层、导电性取向层之上的第1氮化物半导体层、第1氮化物半导体层之上的包含发光层的第2氮化物半导体层和第2氮化物半导体层之上的电极层，第1氮化物半导体层及第2氮化物半导体层设置为岛状，基板以为以矩阵状配置的多个像素所共用的方式设置。
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公开(公告)号：CN117836951A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202280057572.6
申请日：2022-08-02
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/778 , H01L21/205 , H01L21/336 , H01L21/337 , H01L21/338 , H01L21/363 , H01L29/78 , H01L29/786 , H01L29/808 , H01L29/812
Abstract: 晶体管包含非晶质基板、非晶质基板之上的导电性取向层、包含导电性取向层之上的半导体层和与半导体层接触的极化层的异质结结构体、以及异质结结构体之上的栅电极，异质结结构体在与栅电极重叠的区域中包含凹部。上述凹部可以设置于极化层，也可以设置于半导体层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104867956A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510083982.X
申请日：2015-02-16
Applicant: 株式会社日本显示器
CPC classification number: H01L51/5088 , H01L27/3244 , H01L27/3262 , H01L51/0008 , H01L51/002 , H01L51/0045 , H01L51/504 , H01L51/5044 , H01L51/5278
Abstract: 本发明提供一种有机EL显示装置，使用了能够用更低的电压驱动的有机EL元件。上述有机EL元件具有：第1发光部，其具有形成于阳电极与阴电极之间，且通过阳电极与阴电极的电位差而发光的第1发光层，及与阳电极相接触并由非晶碳构成的空穴注入层；第2发光部(320)，其具有形成于第1发光部与阴电极之间，且通过阳电极与阴电极的电位差而发光的第2发光层(322)；n型电荷产生层(331)，其形成于第1发光部与第2发光部之间且与第1发光部相接触，并向第1发光部提供电子；及p型电荷产生层(332)，其形成于n型电荷产生层与第2发光部之间并与第2发光部相接触，且由非晶碳构成，并向第2发光部提供空穴。
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公开(公告)号：CN117836959A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202280057169.3
申请日：2022-08-04
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 氮化镓系半导体器件包含无定形基板、无定形基板上的导电性取向层、导电性取向层上的氮化镓系半导体层、和与导电性取向层相接的辅助电极层。导电性取向层优选为经c轴取向的金属膜或金属氧化物膜，辅助电极层以将导电性取向层的外周部包围的方式设置。
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公开(公告)号：CN114695468A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202111587492.5
申请日：2021-12-23
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 一实施方式的显示装置，具备：第1绝缘层，配置在绝缘基板之上；下部电极，配置在上述第1绝缘层之上；第2绝缘层，配置在上述第1绝缘层之上，具有与上述下部电极重叠的开口部，形成为格子状；供电线，配置在上述第2绝缘层之上，具有在第1方向上延伸的第1布线部、在与上述第1方向交叉的第2方向上延伸的第2布线部、以及与上述第1布线部及上述第2布线部分别相连且具有与上述第1布线部及上述第2布线部各自的宽度不同的宽度的第3布线部；有机层，包含发光层，配置于上述开口部，将上述下部电极覆盖；以及上部电极，与上述第1布线部、上述第2布线部及上述第3布线部分别相接，将上述有机层覆盖。
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公开(公告)号：CN111448604B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201880077938.X
申请日：2018-09-11
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 提供一种能够确保保护膜的膜厚精度的显示装置。显示装置具备：显示面板，其包括显示区域、设有端子的端子区域、和位于所述显示区域与所述端子区域之间的能够弯曲的弯曲区域，所述弯曲区域弯曲，所述端子区域相对于所述显示区域而位于与显示面侧相反的背面侧；设于所述显示区域的所述显示面侧的显示面侧薄膜；设于所述显示面侧薄膜的所述显示面侧的透光板；以及设于所述弯曲区域的所述显示面侧的保护膜，所述显示面侧薄膜的端面与所述保护膜的端面相对置，所述透光板覆盖所述保护膜的端部，并与所述保护膜的端部粘接。
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公开(公告)号：CN110226192B
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN201780084096.6
申请日：2017-11-22
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 本发明的显示装置包括：绝缘片(134)，其从显示区域(42)形成至驱动部形成区域(46)，且在弯曲区域(120)中形成有具有比显示区域(42)的膜厚和驱动部形成区域(46)的膜厚薄的第一膜厚的第一膜厚区域(126)，并且还具有配置在显示区域(42)与第一膜厚区域(126)之间的第一台阶部(170)和配置在驱动部形成区域(46)与第一膜厚区域(126)之间的第二台阶部(172)；第一配线(116A)和第二配线(116B)，其在绝缘片(134)的上方横穿第一台阶部(170)和第二台阶部(172)，且将显示区域(42)与驱动部形成区域(46)电连接；和绝缘壁(200)，其在第一配线(116A)与第二配线(116B)之间，从第一台阶部(170)延伸至第二台阶部(172)。
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