公开(公告)号：CN118946974A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202380028254.1

申请日：2023-03-15

Applicant: 国立大学法人北海道大学

Inventor： 富冈克广 ,  蒲生浩宪

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明的场效应晶体管具备：基板，具有(111)面，并由被掺杂为第一导电型的IV族半导体构成；核壳纳米线，包含核心纳米线和壳层，该核心纳米线连接于所述基板的所述(111)面并由被掺杂为与所述第一导电型不同的第二导电型的III‑V族化合物半导体构成，该壳层以包覆所述核心纳米线的方式配置，并由被掺杂为所述第一导电型的III‑V族化合物半导体构成；第一电极，与所述壳层电连接；第二电极，与所述基板电连接；以及栅极电极，使电场作用于所述基板与所述核心纳米线的接合界面以及所述壳层。

公开(公告)号：CN111902920B

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN201980021326.3

申请日：2019-02-19

Applicant: 松下控股株式会社

Inventor： 宇治田信二 ,  柴田大辅 ,  田村聪之

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L21/337 ,  H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L29/778 ,  H01L29/80 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

Abstract: 氮化物半导体装置(10)具备依次被设置的基板(12)；漂移层(14)；第1基础层(16)；到达漂移层(14)的栅极开口部(22)；沿着栅极开口部(22)的内表面设置的电子传输层(24)和电子供给层(26)；以覆盖栅极开口部(22)的方式设置的栅极电极(30)；延伸到第1基础层(16)的源极开口部(32)；被设置在源极开口部(32)并且与第1基础层(16)连接的源极电极(34)；被设置在基板(12)的背面侧的漏极电极(36)；在基板(12)的最外周部(48)，贯通电子传输层(24)和电子供给层(26)并延伸到第1基础层(16)的外周开口部(38)；被设置在外周开口部(38)，与第1基础层(16)连接，不与电子传输层(24)和电子供给层(26)接触的电位固定电极(40)。

公开(公告)号：CN118591889A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202280089935.4

申请日：2022-12-21

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 田古部勋 ,  大岳浩隆

IPC: H01L29/812 ,  H01L21/28 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417 ,  H01L29/778 ,  H01L29/808

Abstract: 一种半导体装置，其具有：半导体基板；GaN晶体管，其形成在半导体基板上，包括漏极电极、源极电极和栅极电极；有源钳位电路，其形成在半导体基板上且与GaN晶体管电连接，包括基于GaN晶体管的漏极‑源极间电压的上升而进行动作的钳位用晶体管；与GaN晶体管的漏极电极电连接的漏极焊盘；与GaN晶体管的源极电极电连接的源极焊盘；和与GaN晶体管的栅极电极电连接的栅极焊盘。

公开(公告)号：CN118591886A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202280089939.2

申请日：2022-12-21

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 田古部勋 ,  大森谦伍

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/778 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

Abstract: 一种半导体模块(10)，其具有：第一芯片(20)，其包含主晶体管(21)，该主晶体管(21)包含成为主漂移层(24)的电子传输层；第二芯片(30)，其包含有源钳位电路(40)的至少一部分，该有源钳位电路(40)包含基于主晶体管的漏极‑源极间电压的上升而进行动作的钳位用晶体管(41)；连接部件(50)，其将主晶体管与有源钳位电路电连接；和密封树脂(60)，其密封第一芯片、第二芯片和连接部件。钳位用晶体管包含由与主漂移层不同的材料构成的副漂移层(45)。

公开(公告)号：CN113169227B

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN201880097214.1

申请日：2018-09-07

Applicant: 苏州晶湛半导体有限公司

Inventor： 程凯 ,  刘凯

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/338 ,  H01L21/205

Abstract: 提供了一种半导体结构及其形成方法。该半导体结构包括：衬底和设置在衬底上的外延层。外延层的至少一部分掺杂有金属原子，靠近衬底的外延层的下表面的金属原子的掺杂浓度高于1×1017atoms/cm3。

公开(公告)号：CN118541876A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202280083505.1

申请日：2022-10-21

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  国立研究开发法人情报通信研究机构 ,  信越化学工业株式会社

Inventor： 吹留博一 ,  末光哲也 ,  渡边一世 ,  川原实 ,  秋山昌次 ,  飞坂优二 ,  川合信

IPC: H01Q23/00 ,  C01B32/184 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01P11/00 ,  H01Q1/38

Abstract: 提供一种适合用于从数10GHz至100GHz以上的信号频带的天线模块。所述天线模块包括：其中至少最上表面为碳化硅的单晶的基板；设置为与基板的最上面接触的单晶石墨烯层；和设置在基板上的氮化镓层。该天线模块的特征在于，通过将石墨烯层中未被氮化镓层覆盖的区域图案化而形成的天线元件部、在氮化镓层上形成的有源元件部、和连接天线元件部和有源元件部的连接部一体地形成。

公开(公告)号：CN118511285A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202280087494.4

申请日：2022-12-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 巽泰三

IPC: H01L29/812 ,  H01L21/28 ,  H01L21/338 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423

Abstract: 半导体装置具备：基板；源电极，在第一方向延伸，设于基板上；漏电极，在第一方向延伸，设于基板上；第一栅电极，在第一方向延伸，设于源电极与漏电极之间的基板上；第二栅电极，在第一方向延伸，设于源电极与漏电极之间的第一栅电极的第一方向上的基板上；栅极焊盘，被设置为使第一栅电极配置于栅极焊盘与第二栅电极之间，所述栅极焊盘与第一栅电极电连接；栅极布线，设于源电极的与基板相反的一侧的上方，在第一方向延伸，将栅极焊盘与第二栅电极电连接；以及屏蔽金属层，设于栅极布线与漏电极之间，在第一方向延伸，所述屏蔽金属层的至少一部分设于源电极的上方，并且所述屏蔽金属层与源电极电连接。

公开(公告)号：CN112335023B

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN201880094716.9

申请日：2018-06-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 角野翼

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明在半导体基板(1)之上涂覆抗蚀剂(4)，在抗蚀剂(4)形成第1开口(5)和宽度比第1开口(5)窄的第2开口(6)。使用抗蚀剂(4)作为掩膜来对半导体基板(1)进行湿蚀刻而在第1开口(5)和第2开口(6)之下形成连续的一个凹陷(7)。在形成凹陷(7)后，使收缩材料(8)与抗蚀剂(4)进行交联反应，而使得第1开口(5)没有被封堵而第2开口(6)被封堵。在封堵第2开口(6)后，经由第1开口(5)在凹陷(7)形成栅电极(11)。

公开(公告)号：CN118284980A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202280077519.2

申请日：2022-11-23

Applicant: 艾普诺瓦泰克公司

Inventor： 马丁·安德烈亚斯·奥尔松

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/417 ,  H01L29/06 ,  H01L27/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/12 ,  H01L29/423 ,  H01L21/338

Abstract: 垂直高电子迁移率晶体管HEMT(100)，包括：基板(310)；漏极接触部(410)，该漏极接触部是穿过所述基板的金属接触通孔；柱层(500)，该柱层(500)布置在漏极接触部(410)上方并且包括至少一个垂直柱(510)和横向包围至少一个垂直柱(510)的支承材料(520)；布置在柱层(500)上的异质结构台面(600)，该异质结构台面(600)包括一起形成异质结(630)的AlGaN层(610)和GaN层(620)；电连接至异质结构台面(600)的至少一个源极接触部(420a，420b)；栅极接触部(430)，该栅极接触部(430)布置在所述异质结构台面(600)上并且在至少一个垂直柱(510)上方；其中，至少一个垂直柱(510)在漏极接触部(410)与异质结(630)之间形成电子传输通道。

公开(公告)号：CN111433897B

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN201880079373.9

申请日：2018-11-26

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 山口敦司 ,  柏木淳一 ,  森山洋平

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872 ,  H02M7/12

Abstract: 通过本发明的一方案提供的半导体整流器具备晶体管以及二极管。上述晶体管具有源电极、漏电极以及栅电极。上述二极管具有阳电极以及阴电极。上述阳电极与上述栅电极导通，上述阴电极与上述源电极导通。