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公开(公告)号：CN117711935A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311711095.3
申请日：2023-12-13
申请人： 聚灿光电科技(宿迁)有限公司
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/67
摘要： 本申请提供一种降低外延片翘曲程度的方法及装置，该方法包括在退火步骤之前，采集第一参数对应的第一历史参数值，以及采集第二参数对应的第二历史参数值；对第一历史参数值及第二历史参数值进行拟合，得到第一参数与第二参数的第一拟合关系；将第二参数的第一标准值代入第一拟合关系中，得到第一参数的第二标准值；采集第一参数对应的第一实时参数值；基于第一实时参数值及第二标准值，计算退火步骤对应的目标退火温度的数值；以目标退火温度执行退火步骤。该方法可以基于当前生产过程中外延片的实际翘曲程度，以及结合此前已完成生产的历史外延片的翘曲程度，确定退火步骤的退火温度，以降低当前生产的外延片的翘曲程度，提升外延片良率。
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公开(公告)号：CN117650210A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311844706.1
申请日：2023-12-29
申请人： 聚灿光电科技(宿迁)有限公司
摘要： 本发明公开了一种具有应力释放层的LED外延结构，包括衬底、以及依次生长于衬底之上的缓冲层、UGaN层、NGaN层、应力释放层、MQW层、EBL层和P层，所述应力释放层是由自下而上依次生长的InGaN层、停顿层和GaN盖帽层重复交叠组成的周期性复合层。本LED外延结构的生长方法使应力释放层中InGaN/停顿层/GaN结构循环生长，利用停顿层高温烘烤InGaN层，使In析出或者逃逸形成空位pits，进一步阻断底层衍生的位错，生成多层叠加Pits，有利于应力释放，提升上层晶格质量，且电流扩散效果好、利于大电流通过，从而提升光效。
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公开(公告)号：CN113410364B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202110675865.8
申请日：2021-06-18
申请人： 聚灿光电科技(宿迁)有限公司
摘要： 本发明揭示了一种微LED及其制备方法。微LED包括衬底、外延层、电流阻挡层、透明导电层、第一金属pad、第二金属pad、绝缘层、DBR反射层、第一金属电极及第二金属电极。绝缘层设置于所述透明导电层上，且包覆所述透明导电层除去所述第一金属pad的区域。本发明的微LED在透明导电层与DBR反射层之间增加了一层绝缘层，绝缘性更佳，能够改善第一金属pad与第二金属pad之间的漏电，并且，进一步的，绝缘层为通过PVD技术镀膜而成的AlN层，如此条件制备而得的AlN层拥有较好的膜质密度，能起到更好的绝缘性，杜绝第一金属pad和第二金属pad之间的漏电，同时增强DBR反射层和透明导电层之间的粘附效果，从而提升微LED的可靠性。
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公开(公告)号：CN113314647B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202110585972.1
申请日：2021-05-27
申请人： 聚灿光电科技(宿迁)有限公司
摘要： 本发明揭示了一种LED外延结构、LED芯片及LED外延结构制备方法。所述LED外延结构从下向上依次包括衬底、第一缓冲层、第一UGaN层、剥离保护层、第二缓冲层、第二UGaN层、N型GaN层、多量子阱发光层、P型GaN层。本发明增加剥离保护层的设计，现有的剥离技术不会对上层外延结构造成破坏，可改善因剥离技术不成熟导致上层外延结构损伤导致漏电率增加，不会影响垂直芯片的电性能，从而增强垂直结构激光剥离成功率和良率。
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公开(公告)号：CN113851565A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202111295833.1
申请日：2021-11-03
申请人： 聚灿光电科技(宿迁)有限公司
摘要： 本发明揭示了一种图形化衬底、其制备方法及具有其的LED。所述制备方法包括步骤S1：提供一衬底；步骤S2：于衬底上进行第一次蚀刻，得到具有第一图案的凸起的第一图形化衬底；步骤S3：于第一图形化衬底的第一图案间C面相邻图形间底座间隙进行第二次蚀刻，得到具有第二图案的凹坑，形成具有第一图案及第二图案的第二图形化衬底。本发明二次蚀刻的倒图形化凹坑可以增加外延层在C面(相邻图形间底座间隙)上生长时间，应力得到释放，且倒图形化凹坑侧壁是非极性面，降低位错密度，提高其上生长外延层晶格质量；并且，还能增加光反射，提升出光率，从而提升外量子效率。
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公开(公告)号：CN113235070A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110586029.2
申请日：2021-05-27
申请人： 聚灿光电科技(宿迁)有限公司
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/18
摘要： 本发明揭示了一种CVD管路及具有其的CVD装置。所述CVD管路用于供应待在CVD工艺中使用的气体，所述CVD管路壁设置加热装置。由于Alkyl H2管路气体的气动阀会经常开关，造成Alkyl H2管路内壁上会有MO源附着，故本发明于CVD管路壁上增加加热装置，能够保证CVD管路的壁温到达一定的温度，从而MO源始终保持稳定的状态，不会在CVD管路的壁上附着，并且，也不会在某一节点载气带入现有技术中可能附着的MO源，从而保证产品表面涂层分布均匀。
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公开(公告)号：CN113186513A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110600189.8
申请日：2021-05-31
申请人： 聚灿光电科技(宿迁)有限公司
IPC分类号： C23C16/448
摘要： 本发明揭示了一种固态原材料源瓶及具有其的CVD装置。固态原材料源瓶用于CVD制程中提供固态原材料，所述固态原材料源瓶具有至少一层镂空挡板，所述至少一层镂空挡板悬设于所述固态原材料源瓶的内壁上。本发明于固态原材料源瓶中设置镂空挡板，载气会受到镂空挡板的阻挡，会有部分的载气行进到固态原材料源瓶的侧壁及底面，从而保证在整个使用周期内，载气会到达固态原材料源瓶的各个部位，即载气与固态原材料源的接触面积较大(例如大于S1)，达到一个稳定的源物质量的最大值，如此，源效率在整个周期会保持平稳，从而利于生产监控。
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公开(公告)号：CN117783803A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311809846.5
申请日：2023-12-27
申请人： 聚灿光电科技(宿迁)有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于EL测试系统的稳定且无损的外延片电性能测试装置及方法，包括电流源、与电流源连接的P极测试探针和N极测试电极；P极测试探针为可伸缩式P极测试探针，包括壳体，壳体内安装有导电弹簧，弹簧一端固定在壳体顶端并通过导线连接电流源，另一端连接P极测试电极，P极测试电极通过马达控制移动直接接触待测外延片表面；N极测试电极为柔性导电材质制成的环形N极测试电极，环形N极测试电极包覆在外延片侧壁裸露的N层上并通过导线连接电流源。通过装置进行测试的EL结果稳定、可靠，经过验证可作为判定外延片性能的标准，可以取消快测流程，缩短在制周期，避免异常发现不及时，并可准确赋以每片外延片电性等级。
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公开(公告)号：CN117613163B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202410090520.X
申请日：2024-01-23
申请人： 聚灿光电科技(宿迁)有限公司
摘要： 本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体发光元件的外延结构及制备方法，该外延结构包括多量子阱层；沉积在多量子阱层上的空穴提供层；空穴提供层包括由下至上依次沉积的第一电子阻挡层、第一SiC层、LTpGaN层、第二电子阻挡层、第二SiC层及HTpGaN层；其中，第一电子阻挡层及第二电子阻挡层的材料为AlN和AlGaN中的一种或者两种；LTpGaN层及HTpGaN层的材料为掺杂有镁Mg元素的GaN和掺杂有镁Mg元素的AlGaN中的一种或者两种。该外延结构可以形成低势垒层，以起到聚集空穴的作用，同时，由于该外延结构为无In结构，不会影响出光效率，可以提升发光元件的亮度。
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公开(公告)号：CN117106286B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311354446.X
申请日：2023-10-19
申请人： 聚灿光电科技(宿迁)有限公司
摘要： 本发明涉及一种LED复合封装材料及其制备方法，所述LED复合封装材料包括如下质量份数的成分：双酚A型环氧树脂20‑25份、海因环氧树脂15‑20份、改性碳化硅2‑4份、无机填料5‑8份、固化剂5‑10份、抗氧化剂3‑5份、稀释剂10‑15份；其中，所述改性碳化硅为没食子酸改性硅烷偶联剂与碳化硅反应所得。本发明采用没食子酸改性硅烷偶联剂与碳化硅进行反应，提高了组分的反应活性以及相容性，同时与环氧树脂、海因环氧树脂等成分复配，得到具有较好稳定性、机械性能优异的LED复合封装材料，克服了现有技术中存在的缺陷，具有良好的应用前景。
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