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公开(公告)号：CN117711935A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311711095.3
申请日：2023-12-13
申请人： 聚灿光电科技(宿迁)有限公司
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/67
摘要： 本申请提供一种降低外延片翘曲程度的方法及装置，该方法包括在退火步骤之前，采集第一参数对应的第一历史参数值，以及采集第二参数对应的第二历史参数值；对第一历史参数值及第二历史参数值进行拟合，得到第一参数与第二参数的第一拟合关系；将第二参数的第一标准值代入第一拟合关系中，得到第一参数的第二标准值；采集第一参数对应的第一实时参数值；基于第一实时参数值及第二标准值，计算退火步骤对应的目标退火温度的数值；以目标退火温度执行退火步骤。该方法可以基于当前生产过程中外延片的实际翘曲程度，以及结合此前已完成生产的历史外延片的翘曲程度，确定退火步骤的退火温度，以降低当前生产的外延片的翘曲程度，提升外延片良率。
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公开(公告)号：CN115656764B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211682748.5
申请日：2022-12-27
申请人： 聚灿光电科技(宿迁)有限公司
摘要： 本发明涉及半导体电变量测试与检测领域，具体涉及一种用于发光二极管的照明质量检测方法，包括：获取光通量时的子序列的光通量分布异常指标和局部描述子，得到子序列的光通量异常置信度，进而获得所有的异常子序列；根据异常子序列内光通量数据的异常判定指标与局部孤立程度获得光通量数据的异常置信度，并得到所有异常数据，进一步获得光通量异常检测指标；根据实际功率时序序列获得功率异常检测指标，根据光通量异常检测指标和功率异常检测指标检测发光二极管照明质量。本发明通过对电变量时序序列进行深入分析，提取较为准确的电变量特征指标，可有效提高检测的准确可靠性，成本低和操作简便的优点，不需要依赖测量仪器的校准和改进。
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公开(公告)号：CN114203876A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111516961.4
申请日：2021-12-07
申请人： 聚灿光电科技(宿迁)有限公司
摘要： 本申请示出一种AlN层及其制备方法，包括：在真空烘箱中对衬底层进行n次加热处理，其中，将所述衬底层以第一温度在真空烘箱中处理第一时长，继续通过第二温度在真空烘箱中处理第二时长，直至通过第n温度在真空烘箱中处理第n时长；n为正整数；将经过第n时长处理的所述衬底层放入特定温度下的温度反应室处理第一特定时长；将所述处理第一特定时长后的所述衬底层以恒定溅射功率和恒定溅射电压进行处理；当所述处理第一特定时长后的所述衬底层以恒定溅射功率和恒定溅射电压进行处理时，向所述衬底层通入氮气、氩气以及氧气，以在第二特定时长内获取AlN层。根据本申请示出的技术方案制备的AlN层表面均一，且其表面粗糙度能够较好的匹配LED外延片。
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公开(公告)号：CN115656764A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211682748.5
申请日：2022-12-27
申请人： 聚灿光电科技(宿迁)有限公司
摘要： 本发明涉及半导体电变量测试与检测领域，具体涉及一种用于发光二极管的照明质量检测方法，包括：获取光通量时的子序列的光通量分布异常指标和局部描述子，得到子序列的光通量异常置信度，进而获得所有的异常子序列；根据异常子序列内光通量数据的异常判定指标与局部孤立程度获得光通量数据的异常置信度，并得到所有异常数据，进一步获得光通量异常检测指标；根据实际功率时序序列获得功率异常检测指标，根据光通量异常检测指标和功率异常检测指标检测发光二极管照明质量。本发明通过对电变量时序序列进行深入分析，提取较为准确的电变量特征指标，可有效提高检测的准确可靠性，成本低和操作简便的优点，不需要依赖测量仪器的校准和改进。
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公开(公告)号：CN114023853A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111305222.0
申请日：2021-11-05
申请人： 聚灿光电科技(宿迁)有限公司
摘要： 本发明揭示了一种LED及其制备方法。一种LED包括衬底、高温成核层及NGaN层。高温成核层及NGaN层在衬底上依次生长。本发明LED的底层结构在高温成核层上直接生长NGaN层，膜层质量明显变好，并由于增加了底层的掺杂，降低了电压，可大幅增加发光效率。
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公开(公告)号：CN113913928A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111160900.9
申请日：2021-09-30
申请人： 聚灿光电科技(宿迁)有限公司
摘要： 本发明揭示了一种石墨盘，所述石墨盘的正面各区域的热辐射吸收率不完全相同，所述各区域的热辐射吸收率反比于所述各区域的受热值。本发明的石墨盘的正面可根据不同区域的受热情况设计出不同的热辐射吸收率，进而针对性地改善某一个或者某一些特定区域的温场，从而得到均匀的温场。
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公开(公告)号：CN113136563A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202010061940.7
申请日：2020-01-19
申请人： 聚灿光电科技(宿迁)有限公司
IPC分类号： C23C16/44
摘要： 本发明公开了一种用于Mocvd反应装置的钼罩，包括钼罩本体，钼罩本体安装在Mocvd反应装置的内腔，且钼罩本体的安装高度不低于Mocvd反应装置中加热器水平面，钼罩本体的高度为140‑160mm，钼罩本体的直径为708‑713mm，钼罩本体的底部设置有钼罩拖板，且钼罩本体与钼罩拖板一体成型，钼罩本体的侧壁安装有固定支撑片。本发明取缔了原厂设计的Extender（缓冲环）的结构，避免了缓冲环与工艺腔室保护罩间隙积聚颗粒的问题，提升Mocvd反应装置生产Run数及外延片工艺均匀性，同时解决了固定支撑片与钼罩的固定点位少，高温易脱落，并且钼罩会出现不定向变形的问题。
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