公开(公告)号：CN119013795A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202380033627.4

申请日：2023-03-20

Applicant: 国立大学法人京都大学 ,  斯坦雷电气株式会社

Inventor： 野田进 ,  石崎贤司 ,  村井俊介 ,  柏木宏之 ,  川上康之 ,  前村要介

IPC: H01L33/50 ,  G02B5/20 ,  H01L33/04 ,  H01L33/48 ,  H01L33/58

Abstract: 本发明的发光装置具备：半导体发光结构层，其具有光子晶体层；以及纳米天线荧光体，其载置在半导体发光结构层的出射面上，由对半导体发光结构层的放射光的波长进行转换而生成波长转换光的波长转换体和在波长转换体上周期性排列多个纳米天线而成的天线阵列构成。

公开(公告)号：CN118266092A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202280076604.7

申请日：2022-11-01

Applicant: 国立大学法人京都大学 ,  斯坦雷电气株式会社

Inventor： 野田进 ,  柏木宏之 ,  井出俊哉 ,  岩崎哲星 ,  川上康之 ,  横林裕介

IPC: H01L33/16 ,  H01L33/22

Abstract: 本发明具有：基板(11)，其在表面具有周期性形成有锥形突起的蛾眼型纳米结构(11M)；第一半导体层(21)，其形成在蛾眼型纳米结构(11M)上，具有光子晶体层(21P)；有源层(23)，其形成在第一半导体层(21)上，具有发光层(23A)；以及第二半导体层(25)，其形成在有源层(23)上。