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公开(公告)号：CN118969926A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411173164.4
申请日：2024-08-26
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种LED芯片及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，该LED芯片包括衬底、外延层与芯片层，芯片层包括电流阻挡层、透明导电层、钝化层与电极层，电极层包括N型电极与P型电极；其中，电流阻挡层设于P型半导体层之上，电流阻挡层为非连续性结构，包括多个间隔设置的电流阻挡块，透明导电层设于电流阻挡层之上并在相邻电流阻挡块之间与P型半导体层接触，设于透明导电层之上的钝化层贯穿设有与电流阻挡块相对的钝化层通孔，设于钝化层之上的P型电极至少部分通过钝化层通孔与透明导电层接触。本发明旨在解决现有技术中位于钝化层底部的电流阻挡层区域存在遮光，影响LED芯片发光亮度的技术问题。
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公开(公告)号：CN118969922A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411448960.4
申请日：2024-10-17
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明涉及半导体材料的技术领域，公开了一种发光二极管的外延片及其制备方法，所述外延片包括衬底，在所述衬底上依次层叠的缓冲层、非掺杂GaN层、n型半导体层、多量子阱层、电子阻挡层和p型半导体层；其中，所述n型半导体层包括由下至上依次层叠的C‑Si共掺杂含镓氮化物层、第一Si掺杂/第二Si掺杂含镓氮化物层和非掺杂/第三Si掺杂含镓氮化物层。实施本发明，可以提供足够的Si掺杂浓度，同时使n型半导体层的晶体质量高，LED器件的亮度高，发光效率高。
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公开(公告)号：CN118957232A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411108548.8
申请日：2024-08-13
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种快速退火炉的复机方法，该方法包括：对快速退火炉的腔体加热功能进行校温；利用量产程序对快速退火炉进行空跑，后对用于退火炉复机的陪片沉积预设厚度的ITO膜层；将陪片一一摆放至快速退火炉的载盘上在设定条件下进行设定处理，以恢复退火炉内腔体的环境；重复预设次数将陪片一一摆放至快速退火炉的载盘上在设定条件下进行设定处理的步骤，后更换陪片再次在设定条件下进行设定处理直至陪跑完成。本发明解决了现有技术中快速退火炉校温方式导致腔体环境不稳定，加热灯负载过高失效，最后需要更换腔体，成本较高的问题。
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公开(公告)号：CN118943271A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411022803.7
申请日：2024-07-29
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种Mini LED面板及其制备方法、Mini RGB屏幕，所述Mini LED面板包括发光像素单元和驱动面板，多个发光像素单元沿水平方向间隔设置在驱动面板上，每个发光像素单元包括焊盘组件和Mini LED芯片；焊盘组件包括焊盘基体、第一焊盘和反射端面，第一焊盘沿焊盘基体的高度方向设置，第一焊盘用于固定Mini LED芯片，反射端面设于焊盘基体背离第一焊盘的一侧，第一焊盘与同一水平方向上的前一焊盘组件的反射端面相向设置，反射端面相对于驱动面板倾斜设置。实施本发明，可以缩小每个Mini LED像素单元的面积，从而提高器件的显示密度。
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公开(公告)号：CN118693197B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411187408.4
申请日：2024-08-28
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明涉及光电技术领域，公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述发光二极管外延片包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、SiN层、三维成核层、非掺杂GaN层、N型GaN层、有源层、电子阻挡层、P型GaN层；所述三维成核层包括依次层叠的C/Mg共掺杂氮化物层、第一C掺杂含Ga氮化物层、第二C掺杂含Ga氮化物层，所述C/Mg共掺杂氮化物层的生长温度＜所述第一C掺杂含Ga氮化物层的生长温度＜所述第二C掺杂含Ga氮化物层的生长温度。本发明提供的发光二极管外延片提高GaN外延层的晶体质量，降低量子阱非辐射复合效率，提升发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN118676273B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411147433.X
申请日：2024-08-21
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述发光二极管外延片包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、有源层、电子阻挡层、P型GaN层；所述有源层包括至少一组交替层叠的长波量子阱层和长波量子垒层、至少一组交替层叠的中波量子阱层和中波量子垒层和至少一组交替层叠的短波量子阱层和短波量子垒层。本发明提供的发光二极管外延片能够降低有源层极化效应，提高势垒高度，减少电子溢流，促进载流子在有源层均匀分布，提高载流子在有源层复合效率，提高发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN118919613A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411006580.5
申请日：2024-07-25
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种高光效倒装LED芯片及其制备方法，制备方法包括以下步骤：提供一衬底，在衬底上形成外延层；在P型半导体层上形成透明导电层，蚀刻形成N型半导体台面和P型半导体台面；在N型半导体台面、P型半导体台面及台面侧壁上形成介质层；对P型半导体台面上的介质层开设周期性导电通孔，暴露透明导电层，在周期性导电通孔内及介质层上形成金属反射层；对N型半导体台面上的介质层开设通孔，暴露N型半导体台面；在金属反射层和介质层上形成透明保护层，对透明保护层开设电极通孔并分别暴露金属反射层和N型半导体台面；在电极通孔内形成P电极和N电极。实施本发明，可以实现倒装LED芯片的光效提升。
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公开(公告)号：CN118899377A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202411397218.5
申请日：2024-10-09
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种AlGaInP基反极性垂直发光二极管芯片及制备方法，该芯片包括由下至上依次设置的衬底、中间层、P型半导体层、有源层及N型半导体层，P型半导体层包括P型窗口层，P型窗口层包括呈周期性交替层叠设置的AlxGa0.5‑xIn0.5P子层和AlαGa0.5‑αIn0.5P子层，AlxGa0.5‑xIn0.5P子层和AlαGa0.5‑αIn0.5P子层均掺杂有Mg元素或Zn元素，AlαGa0.5‑αIn0.5P子层的禁带宽度大于AlxGa0.5‑xIn0.5P子层的禁带宽度，AlαGa0.5‑αIn0.5P子层的Mg元素或Zn元素的掺杂浓度大于AlxGa0.5‑xIn0.5P子层的Mg元素或Zn元素的掺杂浓度，本发明可提高LED器件的出光率，提高外量子率。
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公开(公告)号：CN118588824B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202411034871.5
申请日：2024-07-31
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种倒装发光二极管芯片及其制备方法，其中倒装发光二极管芯片的制备方法包括：提供一衬底，在衬底上制备第一半导体层；在第一半导体层上制备第一导电金属层；在第一半导体层以及第一导电金属层上制备布拉格反射层以及布拉格反射通孔；在布拉格反射层以及布拉格反射层通孔上制备第二导电金属层，第二导电金属层包括自下而上依次设置的反射子层、保护子层、导电子层以及阻挡BOE子层；在布拉格反射层以及第二导电金属层上制备第一绝缘层以及第一绝缘层通孔，第一绝缘层通孔的直径≤3um且角度≤30°；在第一绝缘层和第一绝缘层通孔上制备第二半导体层。
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公开(公告)号：CN116130576B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202310165600.2
申请日：2023-02-24
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种mini LED芯片接触电极及制备方法，mini LED芯片接触电极包括欧姆接触层及设置于欧姆接触层顶部的阻止刻穿层，阻止刻穿层包括自下而上依次设置的第一子层、第二子层及第三子层，第一子层、第二子层及第三子层由逐渐升高的镀率蒸镀形成。因mini LED芯片的工作电流较小，将传统工艺中的反射层、保护层及导电层去除，可在不影响mini LED芯片性能的情况下节约生产成本，在设置阻止刻穿层时，以不同的镀率蒸镀，在接近欧姆接触层处以低镀率蒸镀第一子层，可避免反应腔内的腔体温度升高太快，进而导致金属应力增加，使光刻胶开裂的情况发生，同时可避免因应力而产生的翘边，保障了mini LED芯片的质量。
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