-
公开(公告)号：CN117096247A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311184084.4
申请日：2023-09-14
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明提供LED倒装芯片的制备方法及LED倒装芯片，所述LED倒装芯片的制备方法包括提供一衬底；在所述衬底上沉积外延层；在所述外延层上制备电极导电层；在所述电极导电层上制备电极层；采用光控法在所述电极层上制备DBR反射层，其中，所述DBR反射层包括周期性交替层叠的第一膜层和第二膜层，所述DBR膜层的首层和尾层均为所述第一膜层，任一周期内的所述第一膜层的厚度大于所述第二膜层的厚度；在所述DBR反射层上制备焊盘层，通过简化LED倒装芯片DBR的膜层结构，在所需的波段内提高LED倒装芯片DBR的反射率，提高芯片出光率，进而使LED倒装芯片的亮度提升，节约了制备时间。
-
公开(公告)号：CN118943257A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411022801.8
申请日：2024-07-29
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种倒装LED芯片及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：提供外延片；在外延片上形成电流扩展层、第一电极和第二电极；沉积反射层并开孔暴露第一电极和第二电极，分别在第一电极和第二电极上形成第一焊盘和第二焊盘，得到LED芯片；将基板与LED芯片键合；剥离LED芯片的衬底并将第一半导体层减薄；在减薄后的第一半导体层上沉积出光层；在基板上开孔并暴露第一焊盘和第二焊盘，刷锡焊接形成欧姆接触，得到倒装LED芯片。实施本发明，可以大幅提高倒装LED芯片的透光率，从而提高器件的发光亮度。
-
公开(公告)号：CN117317113A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311587567.9
申请日：2023-11-27
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种提高芯片钎缝界面可靠性的LED芯片及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，该方法包括：提供UBM结构晶圆，包括依次层叠的芯片层、焊盘层、粘结层与润湿层；对UBM结构晶圆进行刷锡处理以形成凸焊点晶圆；在凸焊点晶圆上远离芯片层一侧的表面形成金属间过渡层与共晶钎料层；提供UBM结构基板，在UBM结构基板与凸焊点晶圆的表面分别形成抗氧化层；对凸焊点晶圆与UBM结构基板进行回流焊，以使凸焊点晶圆固定于UBM结构基板上，得到LED芯片。本发明旨在LED芯片的制备过程中降低焊盘材料Au的使用，从而降低芯片与焊盘钎缝界面出现空洞与反湿润的概率，提升焊盘与芯片之间的钎缝界面组织性能，从而保证焊盘与芯片之间的连接可靠性。
-
公开(公告)号：CN117766646A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202410079463.5
申请日：2024-01-19
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种高可靠性倒装LED芯片及其制备方法，涉及发光二极管技术领域。制备方法包括：提供外延片；刻蚀形成第一孔洞，依次形成透明导电层、刻蚀阻挡层、DBR层和光刻胶层，采用掩膜板曝光，然后显影，烘烤固化光刻胶层；刻蚀DBR层；去除光刻胶层；形成第一电极和第二电极，得到高可靠性倒装LED芯片成品。掩膜板包括透光区域和阻光区域，透光区域包括光刻图形透光区域和非图形透光区域；非图形透光区域包括环绕光刻图形透光区域设置的透光环，透光环与光刻图形透光区域之间设有阻光环；紫外光通过图形透光区域照射光刻胶层，形成曝光区域；紫外光透过透光环照射光刻胶层，形成欠曝光区域。实施本发明，可提升倒装LED芯片的可靠性。
-
公开(公告)号：CN117276439A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311489563.7
申请日：2023-11-09
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光二极管及其制备方法，所述发光二极管包括衬底，及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、P型GaN层、电流扩展层、保护层、P电极和N电极；所述P型GaN层远离所述衬底一侧刻蚀有周期性阵列的纳米凹槽，所述纳米凹槽与所述多量子阱层之间具有预设距离，所述纳米凹槽内还包括依次层叠的介质层和金属层，所述介质层和金属层的厚度总和与所述纳米凹槽的深度相同；所述介质层的折射率小于所述电流扩展层的折射率；所述介质层的折射率小于所述P型GaN层的折射率。实施本发明，可以提高内量子效率，从而提高发光二极管的发光效率。
-
公开(公告)号：CN118943271A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411022803.7
申请日：2024-07-29
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种Mini LED面板及其制备方法、Mini RGB屏幕，所述Mini LED面板包括发光像素单元和驱动面板，多个发光像素单元沿水平方向间隔设置在驱动面板上，每个发光像素单元包括焊盘组件和Mini LED芯片；焊盘组件包括焊盘基体、第一焊盘和反射端面，第一焊盘沿焊盘基体的高度方向设置，第一焊盘用于固定Mini LED芯片，反射端面设于焊盘基体背离第一焊盘的一侧，第一焊盘与同一水平方向上的前一焊盘组件的反射端面相向设置，反射端面相对于驱动面板倾斜设置。实施本发明，可以缩小每个Mini LED像素单元的面积，从而提高器件的显示密度。
-
公开(公告)号：CN118553823A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410600067.2
申请日：2024-05-15
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明涉及半导体的技术领域，公开了一种ITO电流扩展层及其粗化提亮方法及含有其的LED芯片，所述ITO电流扩展层包括第一ITO电流扩展层和第二ITO电流扩展层，所述粗化提亮方法包括：(1)采用磁控溅射蒸镀第一ITO电流扩展层，并进行第一次退火；(2)于第一ITO膜上采用电子束蒸发蒸镀第二ITO电流扩展层，并进行第二次退火。本发明中结合磁控溅射和电子束蒸镀方式，沉积了两种表面粗糙度和折射率不同的ITO膜层，十分有效且稳定地提高了光提取效率，增强了LED芯片的发光亮度，能够适用于工业量产。
-
公开(公告)号：CN114864768A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210391644.2
申请日：2022-04-14
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种增大出光角度的发光二极管及其制备方法，该发光二极管包括衬底，依次层叠设于衬底之上的外延层和布拉格反射层；布拉格反射层包括第一布拉格反射层与第二布拉格反射层或包括第二布拉格反射层，第一布拉格反射层设于外延层上，第二布拉格反射层设于第一布拉格反射层或外延层上，第一布拉格反射层包括第一预设周期个交替层叠的第一反射子层和第二反射子层，第二布拉格反射层包括第二预设周期个交替层叠的第三反射子层和第四反射子层，且第三反射子层的长度小于第四反射子层的长度。本发明能够解决现有技术中布拉格反射层限制发光二极管边缘出光，影响发光二极管出光角度的技术问题。
-
公开(公告)号：CN114335279A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210244023.1
申请日：2022-03-14
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种倒装高压发光二极管芯片及制备方法，该芯片包括：衬底、外延层、以及将外延层隔离成至少两个独立发光单元的隔离槽、电流阻挡层、电流扩展层、电极层、布拉格反射层与焊盘层；隔离槽的角度为25°‑60°，独立发光单元至少包括X个第一发光单元与Y个第二发光单元，第一发光单元与第二发光单元相邻设置；电极层包括设于第一发光单元的P型电极与N型电极、设于第二发光单元的P型电极与N型电极，以及用于连接第一发光单元的N型电极与第二发光单元的P型电极的桥接电极。本发明能够解决现有技术中倒装高压芯片EOS能力较低，使得倒装高压芯片止步于照明应用、无法大量广泛的应用于背光显示领域的问题。
-
公开(公告)号：CN218039252U
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202222499024.9
申请日：2022-09-21
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种倒装高压发光二极管芯片，该芯片包括：衬底、外延层、以及将外延层隔离成至少两个独立发光单元的隔离槽、电流阻挡层、电流扩展层、电极层、布拉格反射层与焊盘层；隔离槽的角度为25°‑60°，独立发光单元至少包括X个第一发光单元与Y个第二发光单元，第一发光单元与第二发光单元相邻设置；电极层包括设于第一发光单元的P型电极与N型电极、设于第二发光单元的P型电极与N型电极，以及用于连接第一发光单元的N型电极与第二发光单元的P型电极的桥接电极。本实用新型能够解决现有技术中倒装高压芯片EOS能力较低，使得倒装高压芯片止步于照明应用、无法大量广泛的应用于背光显示领域的问题。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
11 条记录 (耗时 0.043 秒)
