公开(公告)号：CN117644319A

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN202311663030.6

申请日：2023-12-05

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 左杨 ,  黄义 ,  黎靖宇

IPC: B23K35/40 ,  B23K1/00 ,  B23K1/20 ,  B23K101/36

Abstract: 本发明涉及易烧结且耐氧化的纳米铜焊膏的制备方法及其产品和应用，属于电力电子器件封装领域。本发明的制备方法制备的纳米铜焊膏包括至少两种抗氧化成分(钝化保护层和还原性有机溶剂)，另外还同时含有纳米级的铜颗粒和亚微米级的铜颗粒，因此在用于连接芯片和基板时，首先利用钝化层减少纳米铜在储存和升温过程中的氧化，其次利用还原性有机溶剂减少纳米铜在高温烧结过程中的氧化，最后还将通过纳米铜和少量亚微米铜混合的方式，提高纳米铜焊膏的烧结致密度。本发明制备的纳米铜焊膏具有高烧结致密度和高耐氧化性能，可在常规的低温低压、空气条件下连接芯片和基板，实现高强度、高可靠性连接。

公开(公告)号：CN119519443A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411653422.9

申请日：2024-11-19

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 左杨 ,  黎靖宇 ,  李谦 ,  张芷瑶 ,  黄义 ,  张红升

IPC: H02M7/00 ,  H01R25/14 ,  H02M1/00 ,  H02M1/32 ,  H01L23/48 ,  H01L23/498 ,  H01L23/52 ,  H01L23/538 ,  H01L25/07 ,  H10D80/20

Abstract: 本发明属于功率模块封装技术领域，具体涉及一种半导体功率模块封装结构，包括绝缘基板、金属铜层、功率端子、信号端子和功率芯片；所述金属铜层设置在所述绝缘基板表面，所述功率端子、信号端子、功率芯片均设置在所述绝缘基板上且与所述金属铜层电连接。本发明在功率回路中，采用连接铜夹的方式来代替传统键合线的方式可提高模块在高温工作下的热力可靠性；采用上桥芯片连接铜夹将上桥中功率芯片的源极与交流端子母排进行电连接方式；采用下桥芯片连接铜夹将功率芯片与直流负极端子母排直接电连接的方式，解决了半导体功率模块的寄生参数过高引起的电压过高以及高温工作下的热力可靠性问题。

公开(公告)号：CN117747591A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202311659962.3

申请日：2023-12-05

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 左杨 ,  黄义 ,  黎靖宇

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  B82Y40/00 ,  C25D11/04 ,  C25D11/24 ,  C25D3/46 ,  C25D5/00

Abstract: 本发明涉及垂直纳米银棒阵列芯片互连材料及其制备方法和互连方法，属于电力电子器件封装技术领域。互连材料的制备方法包括：(1)在金属化陶瓷基板表面上依次沉积制备银膜和铝膜；(2)在铝膜表面涂敷屏蔽剂，留出互连材料的生长区域；(3)对互连材料生长区域对应的铝膜进行阳极氧化，腐蚀出氧化铝通道模板；(4)碱液宽化氧化铝通道；(5)在氧化铝通道模板中电化学沉积出纳米银棒；(6)去除屏蔽剂和氧化铝通道模板。该方法将制备的直径、高度、间距、面积均可调节的垂直纳米银棒阵列用于芯片和基板的连接中，避免了有机溶剂介入和焊膏印刷过程，可简化芯片互连工艺流程，实现芯片大面积均匀互连，以及芯片和基板间垂直热‑电导通。

公开(公告)号：CN119480814A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411653438.X

申请日：2024-11-19

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 左杨 ,  李谦 ,  黎靖宇 ,  张芷瑶 ,  黄义 ,  张红升

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/473

Abstract: 本发明属于半导体功率模块技术领域，涉及一种半导体功率模块散热结构，包括散热基板，所述散热基板具有流体容腔，所述流体容腔内形成有流体通道，并在所述散热基板上还设有沿流体容腔中的流体流动方向，并位于所述散热基板两端的基板进液口和基板出液口，且所述基板进液口和所述基板出液口分别与所述流体通道的两端连通。本发明使位于半导体功率模块中心的芯片可以得到良好的冷却效果，使整体芯片温度更加均匀，同时解决了传统散热结构在靠近出口处，芯片温度较高的问题。

公开(公告)号：CN119384028A

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202411501935.8

申请日：2024-10-25

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 左杨 ,  李谦 ,  黎靖宇 ,  张芷瑶 ,  黄义 ,  张红升

IPC: H10D80/20 ,  H02M1/00 ,  H02M1/32 ,  H02M1/44

Abstract: 本发明涉及一种半导体功率模块，属于器件封装技术领域。该模块包括散热底板、绝缘基板、金属层、功率端子、信号端子、芯片和感温电阻。绝缘基板设置在散热底板表面，金属层设置在绝缘基板表面，功率端子、信号端子、芯片和感温电阻均设置在绝缘基板上且与金属层电连接。部分芯片在绝缘基板中间区域形成下桥，另一部分芯片在下桥两侧形成上桥，上、下桥芯片数量相等。功率端子、上桥芯片和下桥芯片共同在功率模块中形成大小相等、方向相反的功率回路。本发明可解决因电流分配不均匀导致个别芯片温度过高以及因寄生参数过大产生的电磁干扰问题。

公开(公告)号：CN119381343A

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202411501943.2

申请日：2024-10-25

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 黄义 ,  李谦 ,  左杨 ,  黎靖宇 ,  张芷瑶 ,  张红升

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/67 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明属于电力电子器件封装领域，涉及一种纳米金属无压烧结互连工艺，通过钢网印刷、氮气干燥、贴片机预连接及无压烧结等步骤，实现纳米金属焊膏与覆铜陶瓷基板及芯片的可靠连接；本发明省去了加压烧结设备，显著降低了成本，同时提高了生产效率；无压烧结工艺确保了纳米金属焊膏的充分烧结，形成了稳定的连接结构；该工艺满足了电力电子器件封装领域对高温封装技术的需求，为宽带隙半导体器件的广泛应用提供了有力支持。