公开(公告)号：CN116364823B

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202310380548.2

申请日：2023-04-11

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 黄义 ,  杨稳 ,  王琦

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L33/16

Abstract: 本发明涉及GaN基光电器件领域，具体公开了一种GaN基纳米多孔结构Micro‑LED器件，包括n‑GaN层、量子阱InGaN层、p‑GaN层、Si衬底、纳米多孔GaN和偶极子源；所述p‑GaN层、量子阱InGaN层、n‑GaN层和纳米多孔GaN由下到上依次设置在Si衬底上；所述偶极子源设置在量子阱InGaN层内；所述纳米多孔GaN含有周期性纳米多孔结构阵列。本发明的器件工作在TE模的偶极子源下，由于GaN纳米多孔结构阵列，可打破界面全反射，促进光子从逃逸锥中辐射出来，更易激发载流子的自发辐射效应，达到提高Purcell因子和光提取效率的目的。

公开(公告)号：CN116364823A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202310380548.2

申请日：2023-04-11

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 黄义 ,  杨稳 ,  王琦

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L33/16

Abstract: 本发明涉及GaN基光电器件领域，具体公开了一种GaN基纳米多孔结构Micro‑LED器件，包括n‑GaN层、量子阱InGaN层、p‑GaN层、Si衬底、纳米多孔GaN和偶极子源；所述p‑GaN层、量子阱InGaN层、n‑GaN层和纳米多孔GaN由下到上依次设置在Si衬底上；所述偶极子源设置在量子阱InGaN层内；所述纳米多孔GaN含有周期性纳米多孔结构阵列。本发明的器件工作在TE模的偶极子源下，由于GaN纳米多孔结构阵列，可打破界面全反射，促进光子从逃逸锥中辐射出来，更易激发载流子的自发辐射效应，达到提高Purcell因子和光提取效率的目的。

公开(公告)号：CN114927576A

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202210547499.2

申请日：2022-05-18

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 黄义 ,  周科宏 ,  王东升 ,  杨稳 ,  王琦 ,  张红升

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/267 ,  H01L29/24 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明涉及一种低漏电耐高温氧化镓异质结二极管及制备方法，属于功率半导体器件领域。该二极管为垂直结构，包括阳极金属接触区、P型NiO材料层、N‑漂移区、N+衬底、阴极金属接触区和绝缘层。本发明基于垂直结构Ga2O3异质结功率二极管，采用高温氧化工艺制备P型NiO层薄层，综合提升器件导通电阻、提升击穿电压、高温下低漏电流等特性。