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公开(公告)号：CN119384128A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411501930.5
申请日：2024-10-25
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H10H20/84 , H10H20/855 , G02B6/12 , G02B6/122
Abstract: 本发明涉及一种基于超表面的氮化硅波导与氮化镓可见光光源耦合结构，属于光电子集成技术领域。该结构从下自上包括硅衬底、二氧化硅包层、氮化硅波导层/超表面结构、BCB键合层、P型氮化镓层、氮化镓多量子阱层、N型氮化镓层和P/N型电极。本发明通过设计氮化硅波导的尺寸匹配可见光单模传输条件与氮化镓发光波长范围，在氮化硅波导层刻蚀制备周期性超表面结构调控氮化镓可见光的振幅、相位和偏振，实现可见光与氮化硅波导的高效率耦合，同时通过BCB键合层实现两种不同材料体系的集成。该设计可有效实现氮化硅光子集成芯片可见光源集成，解决氮化硅波导与可见光激光器耦合损耗较大、对准精度要求高等难题，为芯片级生物医疗检测和光谱分析提供光源实现方案。
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公开(公告)号：CN114927569B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202210553866.X
申请日：2022-05-20
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及一种具有双沟槽的4H‑SiC横向绝缘栅双极型晶体管器件，属于功率半导体器件技术领域。该器件包括沟槽氧化层、N‑drift区、轻掺杂P‑epi层、重掺杂P+epi层、N型4H‑SiC衬底、P‑base区、N+注入区、P+注入区Ⅰ、P+注入区Ⅱ、N‑buffer区、金属衬底电极、金属集电极、金属发射极、栅极氧化层和多晶硅沟槽栅。本发明基于高可靠性的N型4H‑SiC衬底，深入漂移区的氧化层沟槽在器件正向阻断时辅助耗尽漂移区、同时减小了发射极和集电极之间的寄生电容；延伸到P‑epi层的沟槽栅结构提高了器件的栅氧可靠性，并且与其他器件隔离，简化了制造工艺。
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公开(公告)号：CN115276864A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210621336.4
申请日：2022-06-01
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种基于LoRa技术的DMB终端状态信息接收系统，属于无线信号技术领域。针对DMB广播系统只能单向完成数据信息的传输，无法反馈运行错误或播报信息错误的问题，提出一种基于LoRa的数字多媒体广播(Digital Multimedia Broadcasting)状态检测系统和一种基于轮询的LoRa自组网方式。其中，在节点终端和网关设备增加了LoRa射频模块，可以将DMB终端运行的信息传输至中控端，实现终端在无法正常工作时能及时反馈到后台，为DMB应用提供技术支持。
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公开(公告)号：CN113540224A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110812047.8
申请日：2021-07-19
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/20 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及一种N衬底沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管，属于功率半导体器件领域。该晶体管呈左右对称结构，左半边结构包括P+集电极、N‑漂移区、P‑沟道区、N+发射极衬底、绝缘介质层、栅极金属接触区、集电极金属接触区、发射极金属接触区Ⅰ和发射极金属接触区Ⅱ。本发明基于N+型GaN衬底材料上，从上至下采用P/N/P/N的沟槽型IGBT垂直器件结构，综合提升导通电阻、关断时间等器件电学特性。
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公开(公告)号：CN111933985A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010747526.1
申请日：2020-07-29
Applicant: 国网甘肃省电力公司电力科学研究院 , 国网甘肃省电力公司 , 国家电网有限公司 , 国网北京市电力公司 , 重庆邮电大学 , 国家电网公司西南分部 , 国网甘肃省电力公司甘南供电公司
IPC: H01M8/18 , H01M10/0525 , H01M10/06 , H01M10/39
Abstract: 本发明公开了一种电化学储能研究方法，包括高温纳系电池研究、液流电池研究、铅蓄电池研究和锂离子电池研究，所述高温钠系电池包括钠硫电池(Na/S)和钠盐(Na/NiCl，Zebra)电池，所述高温钠系电池由固体电解质和隔膜的beta-氧化铝陶瓷管、钠负极、硫正极、集流体以及密封组件组成，钠硫电池的基本化学反应是：正极：2Na-2e-＝2Na+，负极：S+2e-＝S2-，总反应式：2Na+xS＝Na2Sx，所述高温钠系电池优点：循环寿命高。本发明通过对高温纳系电池、液流电池、铅蓄电池和锂离子电池的研究，并通过对各种电池的工作原理和电池的优缺点进行对比，有效的提高电化学储能的研究，提高电化学储存应用领域，从而有效的降低电化学使用的成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119542907A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411644079.1
申请日：2024-11-18
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01S5/026
Abstract: 本发明涉及一种基于混合集成的绿光半导体激光器，属于光电子集成技术领域。该激光器包括通过BCB键合层键合的氮化硅芯片和氮化镓芯片，其中氮化镓芯片用于产生激光并耦合进入氮化硅芯片中。氮化硅芯片中设置有接收单元、选模单元和反射输出单元。接收单元用于接收氮化镓芯片耦合进入的激光；选模单元用于实现激光的纵模选模压窄；反射输出单元用于实现激光的反射增强，并输出经过选模和线宽压窄的激光。本发明可以实现高质量的基于混合集成的绿光半导体激光器，可以避免氮化镓波导制备难度大，激光器线宽窄、与硅基光子芯片集成难等难题，为生物监测和可见光通信等应用提供一种绿光半导体激光器实现方案。
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公开(公告)号：CN114927569A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210553866.X
申请日：2022-05-20
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及一种具有双沟槽的4H‑SiC横向绝缘栅双极型晶体管器件，属于功率半导体器件技术领域。该器件包括沟槽氧化层、N‑drift区、轻掺杂P‑epi层、重掺杂P+epi层、N型4H‑SiC衬底、P‑base区、N+注入区、P+注入区Ⅰ、P+注入区Ⅱ、N‑buffer区、金属衬底电极、金属集电极、金属发射极、栅极氧化层和多晶硅沟槽栅。本发明基于高可靠性的N型4H‑SiC衬底，深入漂移区的氧化层沟槽在器件正向阻断时辅助耗尽漂移区、同时减小了发射极和集电极之间的寄生电容；延伸到P‑epi层的沟槽栅结构提高了器件的栅氧可靠性，并且与其他器件隔离，简化了制造工艺。
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公开(公告)号：CN113611738A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110914932.7
申请日：2021-08-10
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/20 , H01L29/06 , H01L29/739
Abstract: 本发明涉及一种异质结注入的沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管，属于功率半导体器件领域。该晶体管呈左右对称结构，左半边结构包括P+集电极、N‑漂移区、P‑沟道区、N+发射极衬底、绝缘介质层、栅极金属接触区、集电极金属接触区、发射极金属接触区Ⅰ、发射极金属接触区Ⅱ和Al组分渐变区。本发明基于N+型GaN衬底材料上，采用从上至下为P/N/P/N的沟槽型IGBT垂直器件结构，通过较低掺杂的P+AlGaN集电极层就可以实现P+AlGaN/GaN较高的空穴注入比，同时，还在P+AlGaN/GaN异质结界面处引入x渐变的AlxGa1‑xN渐变层，以减少器件导通压降，提高器件输出电流。
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公开(公告)号：CN116364823B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202310380548.2
申请日：2023-04-11
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及GaN基光电器件领域，具体公开了一种GaN基纳米多孔结构Micro‑LED器件，包括n‑GaN层、量子阱InGaN层、p‑GaN层、Si衬底、纳米多孔GaN和偶极子源；所述p‑GaN层、量子阱InGaN层、n‑GaN层和纳米多孔GaN由下到上依次设置在Si衬底上；所述偶极子源设置在量子阱InGaN层内；所述纳米多孔GaN含有周期性纳米多孔结构阵列。本发明的器件工作在TE模的偶极子源下，由于GaN纳米多孔结构阵列，可打破界面全反射，促进光子从逃逸锥中辐射出来，更易激发载流子的自发辐射效应，达到提高Purcell因子和光提取效率的目的。
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公开(公告)号：CN118016728A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410157818.8
申请日：2024-02-04
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/868 , H01L21/329
Abstract: 本发明涉及一种氧化镓基混合PIN‑肖特基二极管及其制备方法，属于半导体器件技术领域。该二极管器件包括：作为该二极管器件衬底的N‑buffer区；形成于N‑buffer区下表面的金属阴极区；形成于N‑buffer上表面的N‑drift区；形成于N‑drift区上表面的P+接触区；形成于P+接触区中的第二阳极区，其中第二阳极区作为该二极管器件的肖特基接触阳极；以及形成于P+接触区和第二阳极区上表面的第一阳极区，其中第一阳极区作为该二极管器件的欧姆接触阳极。本发明采用氧化工艺制备P型NiO层，相比于现有技术，本发明能够避免造成器件导通电阻变大，并使器件具有低导通电阻、低泄漏电流以及高阻断电压的特性。
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