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公开(公告)号：CN118044786A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410055412.9
申请日：2024-01-15
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: A61B5/00 , A61B5/0205 , G06F18/2411 , G06F18/2131 , A47C21/00 , A47C23/00 , A47C27/00
Abstract: 本发明请求保护一种基于FPGA的光纤睡眠监测垫，属于医疗器械领域，包括床垫本体，其还包括设置于床垫本体内的信号采集模块、FPGA模块、数据传输存储模块、睡眠监测算法模块，所述信号采集模块用于使用高速模数转换器ADC对光纤传感器采集到的模拟信号进行数字化处理；所述FPGA模块用于对采集到的睡眠信号进行实时处理和计算，实现对睡眠状态的实时监测；数据传输存储模块：用于将FPGA模块处理后的数据通过高速通信接口传输到上位机和云端服务器；同时在云端存储数据；所述睡眠监测算法模块用于对睡眠进行监测，包括呼吸信号分析、心率变异性分析。
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公开(公告)号：CN118021253A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410055411.4
申请日：2024-01-15
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: A61B5/00 , A61B5/0205 , G06F18/23213 , G06F18/24 , G06N3/0464 , G06N3/09
Abstract: 本发明请求保护一种基于深度学习的光纤传感睡眠信号识别装置，其包括：信号采集装置、光纤光栅传感器及深度学习模块，其中所述信号采集装置用于通过将人在心跳和呼吸时候，胸腔产生的震动，实现生理信号的采集，采集的信号包括呼吸信号、心跳信号；所述光纤光栅传感器用于监测用户的呼吸信号和心跳信号；当用户呼吸或心率发生变化时，这些变化会影响光纤光栅的特性，光纤光栅传感器的测量通常通过监测光波长或干涉条纹的变化或光强的变化来测量；所述深度学习模块用于通过深度学习算法来进行区分和判别呼吸信号和心跳信号。本发明精度更好、信号传输效率高、成本更低、识别的信号可利用率更高。
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公开(公告)号：CN117830338A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410030007.1
申请日：2024-01-09
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种红外小目标检测算法的FPGA实现方法，属于图像处理技术领域。本发明根据FPGA硬件计算特性，将RDLCM算法部署到FPGA硬件平台上；将RDLCM算法中的图像分块操作转换为FPGA中的移位寄存器进行两级行缓存来实现；将软件上进行的浮点数运算在FPGA中进行定点化；算法中涉及到的排序操作在FPGA使用分块流水化的并行全排序算法来完成，充分利用FPGA的并行处理优势；归一化操作时，使用FPGA片上BRAM对数据进行缓存，充分利用FPGA丰富的片上存储资源。最终得到了实时的红外图像目标检测系统，能够实时的对红外图像中的小目标进行增强，并抑制复杂背景，最终输出显示分割目标与背景的二值图。
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公开(公告)号：CN115148806B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202210926822.7
申请日：2022-08-03
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及一种集成钳位二极管的超结4H‑SiC IGBT器件，属于功率半导体器件领域。该器件包括P+发射区、N+发射区、P‑body区、NCEL层、N‑drift区、N‑buffer区、P+集电区、P‑pillar区、P+shield区、金属集电极、金属浮空电极、栅极氧化层、多晶硅栅极、P+区、N+区和金属发射极。本发明引入P‑pillar区改善了漂移区内电场分布；注入P+shield区能够屏蔽栅极氧化层高电场；引入NCEL层作为空穴势垒层，具有载流子注入增强效应；器件顶部集成4H‑SiC PN二极管，既保证导通压降不增大，也减小了饱和电流密度，同时在器件关断时提供了一条空穴的快速抽取路径。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114927569B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202210553866.X
申请日：2022-05-20
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及一种具有双沟槽的4H‑SiC横向绝缘栅双极型晶体管器件，属于功率半导体器件技术领域。该器件包括沟槽氧化层、N‑drift区、轻掺杂P‑epi层、重掺杂P+epi层、N型4H‑SiC衬底、P‑base区、N+注入区、P+注入区Ⅰ、P+注入区Ⅱ、N‑buffer区、金属衬底电极、金属集电极、金属发射极、栅极氧化层和多晶硅沟槽栅。本发明基于高可靠性的N型4H‑SiC衬底，深入漂移区的氧化层沟槽在器件正向阻断时辅助耗尽漂移区、同时减小了发射极和集电极之间的寄生电容；延伸到P‑epi层的沟槽栅结构提高了器件的栅氧可靠性，并且与其他器件隔离，简化了制造工艺。
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公开(公告)号：CN117898737A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410055416.7
申请日：2024-01-15
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种基于光纤传感的非接触式心电信号处理系统，包括生理信号获取模块、信号归一化模块、散点图构建模块和数据传输模块。生理信号获取模块通过光纤传感器采集心电信号并转换为数字信号。信号归一化模块利用离散小波变换进行滤波、放大和降噪，提取有效心电信息。散点图构建模块通过有限差分构建心电信号散点图，采用动态或自适应阈值进行特征提取和分析，并通过神经网络实现心率分析与识别。最终，数据传输模块将识别结果传输至上位机进行存储和显示。该系统具有高效的心电信号处理和识别能力，适用于远程监测和医疗应用。
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公开(公告)号：CN115148806A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210926822.7
申请日：2022-08-03
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及一种集成钳位二极管的超结4H‑SiC IGBT器件，属于功率半导体器件领域。该器件包括P+发射区、N+发射区、P‑body区、NCEL层、N‑drift区、N‑buffer区、P+集电区、P‑pillar区、P+shield区、金属集电极、金属浮空电极、栅极氧化层、多晶硅栅极、P+区、N+区和金属发射极。本发明引入P‑pillar区改善了漂移区内电场分布；注入P+shield区能够屏蔽栅极氧化层高电场；引入NCEL层作为空穴势垒层，具有载流子注入增强效应；器件顶部集成4H‑SiC PN二极管，既保证导通压降不增大，也减小了饱和电流密度，同时在器件关断时提供了一条空穴的快速抽取路径。
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公开(公告)号：CN118330257A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410235747.9
申请日：2024-03-01
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种腔光力学石墨烯光纤加速度计、制备方法及测量系统，腔光力学石墨烯薄膜光纤加速度计包括单模光纤、光学微腔、光学薄膜和真空封装管，其中光纤FPI是光纤加速度计的敏感元件，由光纤端面、光学微腔和光学薄膜所组成；光学薄膜由石墨烯薄膜和质量块所组成。引入铬/金金属薄膜增强了光学薄膜的反射率，引入石墨烯薄膜，提高了光纤加速度计的灵敏度。本发明采用石墨烯/石英质量块组成的光学薄膜在光纤端面形成光纤FPI敏感外界加速度的变化，通过解调光纤FPI干涉光强实现光学薄膜机械谐振频率的探测，从而实现外界加速度测量，有利于传感器小型化、集成化，可以实现加速度的高精度测量，且具有抗电磁干扰的优点。
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公开(公告)号：CN114927569A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210553866.X
申请日：2022-05-20
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及一种具有双沟槽的4H‑SiC横向绝缘栅双极型晶体管器件，属于功率半导体器件技术领域。该器件包括沟槽氧化层、N‑drift区、轻掺杂P‑epi层、重掺杂P+epi层、N型4H‑SiC衬底、P‑base区、N+注入区、P+注入区Ⅰ、P+注入区Ⅱ、N‑buffer区、金属衬底电极、金属集电极、金属发射极、栅极氧化层和多晶硅沟槽栅。本发明基于高可靠性的N型4H‑SiC衬底，深入漂移区的氧化层沟槽在器件正向阻断时辅助耗尽漂移区、同时减小了发射极和集电极之间的寄生电容；延伸到P‑epi层的沟槽栅结构提高了器件的栅氧可靠性，并且与其他器件隔离，简化了制造工艺。
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