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公开(公告)号：CN119920262A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510092270.8
申请日：2025-01-21
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G10L21/0208 , G10L25/30
Abstract: 本发明涉及一种引入复数神经网络的窄带最小均方误差回声抑制方法，属于自适应回声消除领域。现有的神经网络方法仍存在先验知识建模不精确的问题，并且未充分利用复数信号中的相位信息。本发明采用复数DNN分别对步长、扬声器非线性失真和误差信号进行建模与估计。利用复数神经网络的高效参数学习能力，提高对复杂环境下回声信道的适应能力。该方法不仅充分利用了复数数据的相位信息，更能有效抑制扬声器非线性失真问题，同时保持模型参数量较小，实现高效的回声抑制，具有较强的实用性和硬件适配性，适用于多种实际应用场景。
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公开(公告)号：CN118038238A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410187614.9
申请日：2024-02-20
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G06V10/82 , G06V10/80 , G06V10/40 , G06F18/213 , G06F18/25 , G06F40/35 , G06N3/0464 , G06N3/08
Abstract: 本发明涉及一种视觉问答方法、装置及电子设备和存储介质，该方法利用多模态BERT结构的视觉问答网络得到问题答案，视觉问答网络包括特征提取网络、特征调制网络、多模态特征融合网络和前馈神经网络，该方法的具体步骤包括：获取问题的图像和与其对应的文本；对问题的图像和与其对应的文本进行数据处理，得到语言特征和视觉特征；将语言特征和视觉特征进行特征调制得到调制后的视觉特征；利用多模态特征融合网络对调制后的视觉特征和语言特征进行特征融合，得到融合特征；利用前馈神经网络对融合特征进行处理，输出问题的预测答案。采用本发明方法更大程度地保留数据有益特征，特征间融合更加充分，在视觉问答场景下提高预测答案的准确率。
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公开(公告)号：CN117830338A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410030007.1
申请日：2024-01-09
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种红外小目标检测算法的FPGA实现方法，属于图像处理技术领域。本发明根据FPGA硬件计算特性，将RDLCM算法部署到FPGA硬件平台上；将RDLCM算法中的图像分块操作转换为FPGA中的移位寄存器进行两级行缓存来实现；将软件上进行的浮点数运算在FPGA中进行定点化；算法中涉及到的排序操作在FPGA使用分块流水化的并行全排序算法来完成，充分利用FPGA的并行处理优势；归一化操作时，使用FPGA片上BRAM对数据进行缓存，充分利用FPGA丰富的片上存储资源。最终得到了实时的红外图像目标检测系统，能够实时的对红外图像中的小目标进行增强，并抑制复杂背景，最终输出显示分割目标与背景的二值图。
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公开(公告)号：CN117423737A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311391513.5
申请日：2023-10-25
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L27/07
Abstract: 本发明涉及一种集成自偏置NMOS快速关断的RC‑LIGBT器件，属于半导体器件领域。该器件主要包括沟槽栅区域、自偏置NMOS区域、P型埋层区域和LIGBT区域。其中沟槽栅区域包括栅极和栅二氧化硅层；P型埋层区域分布在LIGNT区域中；自偏置NMOS区域包括N+发射极、P‑body、N型漂移区和NMOS栅氧化层。本发明通过集成自偏置的NMOS和P型埋层，采用沟槽栅技术以及SiO2隔离层把集电极的P+和N+隔开，增加了两者之间的等效电阻，抑制了RC‑LIGBT的Snapback效应，能够降低器件的反向导通电压、减小关断时间和关断损耗并增强器件的耐压能力。
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公开(公告)号：CN116775558A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310963503.8
申请日：2023-08-02
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G06F15/78 , G06N3/0464 , G06N3/063
Abstract: 本发明涉及一种可重构DW卷积和普通卷积的FPGA实现方法及其加速器，属于计算机领域。该方法包括以下步骤：对FPGA部署卷积神经网络模型时，进行输入特征图的数据重排和权重数据重排；采用数据切片重排，一次将一个切片中的数据存储到FPGA的片上存储中。本发明的方法旨在通过ARM上权重排序程序的简单修改即可完成DW卷积和普通卷积在FPGA上的融合，且不需要再对FPGA上部署的加速器做更多的修改。即在不额外增加任何FPGA硬件资源的情况下，将DW卷积融合到针对普通卷积设计的加速器中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112953934B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202110184365.4
申请日：2021-02-08
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种DAB低延迟实时语音广播的方法，属于数字信号广播技术领域，包括步骤：S1：采集音频；S2：采用码率为9.6kbps，带宽为NB、WB或SWB模式的EVS进行编码，将每个EVS帧封装进1个DAB的FIB中；S3：采用DAB模式III合成DAB传输帧，并将连续6个包含EVS帧的FIB按照一定规则分配在5个DAB传输帧内进行发射；S4：接收DAB帧，并采用EVS解码，播放音频。还涉及一种DAB低延迟实时语音广播系统。本发明免去了通过DAB主业务信道传输音频存在的时间交织延迟并大幅缩短了编解码时间，实际系统的整体延迟不超过100ms，低于人耳可感延迟，从而实现基于DAB的低延迟的实时语音广播。
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公开(公告)号：CN106599424B
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201611101611.0
申请日：2016-12-05
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种基于微电子工艺的智能化结构变换系统，包括控制单元、电源单元，以及八个或八个以上的受控单元；控制单元用于发出控制信号和时钟信号；每个受控单元包括壳体、电磁力发生器和信号响应模块，采用微电子工艺将壳体、信号响应模块和电磁力发生器集成在一起，可构成一种利用控制信号控制电磁力有无的受控单元，然后将大量的受控单元集成在一起，可通过控制设备发出控制信号控制受控单元的电磁力，使得受控单元能够相互移动和变换形成任意结构的模型。
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公开(公告)号：CN106528045A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201611040149.8
申请日：2016-11-11
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G06F7/50
CPC classification number: G06F7/504
Abstract: 本发明涉及一种基于可逆逻辑门的4位可逆加/减法器，该4位可逆数值比较器与所述4位可逆超前进位加法器连接；还包括一个4位可逆控制电路，该4位可逆控制电路分别与所述4位可逆超前进位加法器和4位可逆控制电路连接；其量子代价QC＝82+41+107＝230，输入/输出引脚16；输入引脚包含：一个进位输入端Cin、一个控制端Ctrl、6个常量输入端均为‘0’，操作数A、B各4位；输出引脚包含：10个垃圾输出位、1个进位输出端Cout、一个正负标志位sign’、4位输出‘和/差’。本发明能够大幅度减小器件的功耗，降低延时，同时具有加法、减法功能，并具有量子代价低、传输引脚少的特点。
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公开(公告)号：CN104914761A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510242776.9
申请日：2015-05-13
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G05B19/042
CPC classification number: G05B19/042 , G05B2219/25314
Abstract: 本发明提供了一种基于互联网的远程环境检测与电器控制系统，包括单片机主控模块、环境采集模块、电器控制模块、上位机模块、服务器终端和按键显示模块；单片机主控模块与环境采集模块、电器控制模块、上位机模块和按键显示模块相连，上位机模块连接服务器终端。本发明具备能动性智能化的交互平台，提供全方位的信息交换功能，优化我们的生活生产方式，帮助我们有效地安排时间，节约能源，实现高效可靠的资源管理，同时提高家居生活的安全性。
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公开(公告)号：CN117423738A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311391517.3
申请日：2023-10-25
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L27/07
Abstract: 本发明涉及一种集成MPS快恢复二极管的RC‑IGBT器件，属于半导体技术领域。该器件包括阴极P+区、阴极P‑well区、阴极N+区、漂移区、阳极N‑buffer区、阳极P+区、阳极N+区、阳极P‑well区、阴极MOS氧化层、阴极MOS多晶硅栅极、阴极MPS快恢复二极管和阳极MOS氧化层。其中阴极P+区、阴极P‑well区、阴极N+区、漂移区、阴极MOS氧化层和阴极MOS多晶硅栅极构成阴极MOS区，用于控制该器件的开启与关断；阳极N+区、阳极P‑well区和阳极MOS氧化层构成阳极MOS区，为该器件提供反向导通能力。本发明通过集成MPS快恢复二极管大大提高了器件的反向恢复性能。
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