公开(公告)号：CN119384128A

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202411501930.5

申请日：2024-10-25

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王琦 ,  刘大鹏 ,  黄义 ,  张红升 ,  吉鹏程

IPC: H10H20/84 ,  H10H20/855 ,  G02B6/12 ,  G02B6/122

Abstract: 本发明涉及一种基于超表面的氮化硅波导与氮化镓可见光光源耦合结构，属于光电子集成技术领域。该结构从下自上包括硅衬底、二氧化硅包层、氮化硅波导层/超表面结构、BCB键合层、P型氮化镓层、氮化镓多量子阱层、N型氮化镓层和P/N型电极。本发明通过设计氮化硅波导的尺寸匹配可见光单模传输条件与氮化镓发光波长范围，在氮化硅波导层刻蚀制备周期性超表面结构调控氮化镓可见光的振幅、相位和偏振，实现可见光与氮化硅波导的高效率耦合，同时通过BCB键合层实现两种不同材料体系的集成。该设计可有效实现氮化硅光子集成芯片可见光源集成，解决氮化硅波导与可见光激光器耦合损耗较大、对准精度要求高等难题，为芯片级生物医疗检测和光谱分析提供光源实现方案。