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公开(公告)号：CN118867828A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202310466385.X
申请日：2023-04-26
申请人： 青岛海信激光显示股份有限公司
IPC分类号： H01S5/026 , G03B21/20 , H01S5/0232 , H01S5/02345 , H01S5/0236
摘要： 本申请公开了一种激光器和激光投影设备，属于光电技术领域。所述激光器包括：封装壳体和发光组件。其中，封装壳体包括连接的底板和框体，发光组件位于底板上。底板靠近框体的一侧具有第一凹槽，框体靠近底板的一端的至少部分位于第一凹槽内。如此，可以通过将框体设置在底板的第一凹槽中，降低框体的整体高度，以减小封装壳体的厚度，解决了相关技术中激光器的封装壳体的尺寸较大的问题，有利于激光器的小型化。
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公开(公告)号：CN118368510B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410768352.5
申请日：2024-06-14
申请人： 宁波舜宇光电信息有限公司
IPC分类号： H04N23/54 , H04N23/55 , H04N23/65 , H04N23/60 , H01S5/026 , H01S5/042 , G01S7/481 , G01S17/08
摘要： 本申请公开了一种深度信息摄像模组及3D传感装置，包括封装主体、驱动芯片和光源芯片，封装主体具有一投射端，投射端内设置有线路板，驱动芯片外包覆有封装基底，线路板在靠近物侧上依次堆叠放置封装基底和光源芯片，驱动芯片和光源芯片之间通过多根第一导电线路连接，驱动芯片和线路板之间通过第二导电线路连接，光源芯片和线路板之间通过第三导电线路连接，第一导电线路的长度小于第二导电线路的长度，第一导电线路的长度小于第三导电线路的长度，第一导电线路包括电源线，电源线的长度小于除电源线外的其余第一导电线路的长度，本申请能够降低光源芯片处的寄生电感，从而提高光源芯片的启动时间，降低投射端处的芯片的工作功耗。
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公开(公告)号：CN113424378B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202080013809.1
申请日：2020-02-07
申请人： 古河电气工业株式会社
摘要： 本发明的目的在于，提供一种能够抑制来自半导体光放大器等正向偏置光元件的漏电流向反射镜的流入，并防止谱线宽度的宽大化的半导体光集成元件。半导体光集成元件是在半导体基板的上表面单片集成有正向偏置光元件和半导体激光器的半导体光集成元件，具备：无源波导部，其配置于所述正向偏置光元件与所述半导体激光器之间；以及接地电极，其配置于所述半导体基板的下表面，所述半导体激光器在所述正向偏置光元件侧具有具有长度的反射镜，所述正向偏置光元件在与所述半导体基板相接的一侧的相反侧具有正向偏置光元件电极，所述无源波导部在与所述半导体基板相接的一侧的相反侧具有无源波导电极，所述无源波导电极与所述接地电极电连接。
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公开(公告)号：CN118739014A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202411032166.1
申请日：2024-07-30
申请人： 山东大学
摘要： 本申请公开了一种片上集成的多频激光系统，涵盖热沉、衬底、绝缘层以及波导层，波导层包含增益区和倍频区，系由深紫外光刻工艺制备而成的带有微结构的晶体波导。本发明所提出的这种片上集成的多频激光系统具有体积小、稳定性与可靠性高、抗干扰能力强、损耗低、易于大规模低成本生产封装的特点，能够达成高质量、高泵浦利用率的多频激光输出。
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公开(公告)号：CN118693608A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410940686.6
申请日：2024-07-15
申请人： 中国科学院半导体研究所
摘要： 本公开提供了一种线性渐变深度的锥形放大结构及其制备方法，可以应用于半导体激光器领域。该锥形放大结构包括：衬底；外延层，自衬底向上依次包括第一限制层、第一波导层、有源层、第二波导层、第二限制层以及欧姆接触层；其中，外延层表面设置有锥形区域，锥形区域的刻蚀深度呈线性渐变。
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公开(公告)号：CN118661352A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202280091327.7
申请日：2022-12-13
申请人： 艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司
发明人： 胡贝特·哈尔布里特 , 阿德里安·斯特凡·阿夫拉梅斯库 , 克里斯托夫·艾希勒
摘要： 本发明涉及一种光电子半导体激光器构件(1)。光电子半导体激光器构件(1)包括具有有源区域(103)的外延半导体层序列(10)，所述有源区域设计用于产生第一波长范围的第一电磁辐射。光电子半导体激光器构件(1)还包括形成二维光子晶体的光子半导体层(20)，并且所述光子半导体层设计用于构成用于第一电磁辐射的谐振器，还包括转换元件(30)，所述转换元件设计用于将第一电磁辐射转换为第二波长范围的第二电磁辐射。发射方向(E)横向于外延半导体层序列(10)的主延伸平面定向。第一电磁辐射从光子半导体层(20)沿发射方向(E)射出。第一波长范围处于蓝色或紫外光谱范围内。本发明还涉及一种光电子装置(2)。
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公开(公告)号：CN111711064B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202010187368.9
申请日：2020-03-17
申请人： 马维尔亚洲私人有限公司
发明人： 拉达克里希南·L·纳加拉扬
IPC分类号： H01S5/02251 , H01S5/026 , H01S5/06 , H04B10/40 , H04B10/50 , H04B10/532 , H04B10/548 , H04B10/61 , G02B6/42
摘要： 本公开涉及一种集成相干光学收发器、光引擎。相干收发器包括单硅光子基板，该基板被配置为集成倒装的并与波长调谐部耦接的激光二极管芯片以提供具有调谐波长的激光输出，该波长以X：Y比例被部分分成本地振荡器信号进入相干接收器块和光源进入相干发射器块。相干接收器包括将相干输入信号分成分别由两个90度混合接收器检测到的TE模式信号和TM*模式信号的偏振光束分离器旋转器，和由两个来自可调谐激光器装置的本地振荡器信号辅助的倒装TIA芯片。相干发射器包括倒装在硅光子基板上的驱动器芯片以驱动一对Mach‑Zehnder调制器和正交相位分支中的90度相移通过I/Q调制将激光输出调制为两个偏振信号，并使用偏振光束旋转器组合器将它们组合为相干输出信号。
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公开(公告)号：CN118589296A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410630017.9
申请日：2024-05-21
申请人： 中国科学院半导体研究所 , 湖南汇思光电科技有限公司
摘要： 本申请提出一种有源反馈激光器的制作方法及有源反馈激光器，其中，方法包括：在去氧化衬底上依次生长缓冲层和有源区结构得到激光器生长结构；将激光器生长结构划分为DFB区域和IFB区域，通过区域退火将IFB区域的量子点有源区进行带隙蓝移得到第一阶段激光器结构，再依次进行脊形波导刻蚀和共面N型电极区域刻蚀，对应DFB区域的脊型波导上进行侧壁光栅刻蚀；并在DFB区域和IFB区域的相邻处进行电隔离刻蚀，得到有源反馈激光器。通过集成量子点DFB激光器和经过带隙蓝移的量子点IFB区域得到有源反馈激光器，解决了由于量子点增益介质激光器的调制带宽较低，很难满足其在低成本高速直调方面的应用的问题，实现了高速直调量子点激光器的低成本需求。
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公开(公告)号：CN118539284A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410657701.6
申请日：2024-05-26
申请人： 华夏芯智慧光子科技(北京)有限公司
IPC分类号： H01S5/026 , H01S5/02216 , H01S5/0232 , H01S5/0235 , H01S5/024
摘要： 本发明公开了一种蝶形激光器，包括热沉、激光芯片、电容、第一导电区；所述第一导电区设置在所述热沉上，所述激光芯片设置在所述第一导电区；其中，所述电容与所述热沉为一体结构，所述电容的第一电极通过第一导电区连接蝶形激光器的第一管脚，所述电容的第二电极与所述激光芯片的第一电极连接。这样简化了制备工艺，提升了产品性能。
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公开(公告)号：CN118249193B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410671952.X
申请日：2024-05-28
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明公开了一种晶圆级硅基III‑V族异质集成器件及其制备方法，属于半导体器件领域，器件包括：键合硅区，以及分别键合在键合硅区上下两侧的器件硅区和有源器件区；器件硅区包括硅硅耦合器和硅基调制器；有源器件区采用III‑V族化合物半导体材料，包括：p型包层、有源层、n型包层、p面电极、n面散热电极和气密保护材料；p型包层、有源层、n型包层和n面散热电极依次设置在键合硅区的一侧；p面电极设置在p型包层上；气密保护材料包裹p型包层、有源层、n型包层、p面电极和n面散热电极。可实现高兼容、高可靠的硅基集成有源器件，可提供片上光源、片上放大及光学非线性变换等功能。
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