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公开(公告)号：CN114498281B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202210134222.7
申请日：2022-02-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种采用P型衬底的半导体激光器，包括：P型衬底；在P型衬底上依次外延生长有P型缓冲层、P型传输层、P型限制层；在P型限制层上形成有P型波导层；在P型波导层上形成有有源层；在有源层上形成有N型波导层，N型波导层的厚度大于P型波导层的厚度；在N型波导层上形成叠层结构，叠层结构包括依次形成的N型限制层、N型缓冲层、N型欧姆接触层；其中，从叠层结构表面对叠层结构进行刻蚀以形成脊型波导，使脊型波导相对于P型波导层更靠近N型波导层。本发明提供的激光器，通过设计脊型波导相对于P型波导层更靠近N型波导层，使得脊型波导距离光场更近，从而对光场有更好的反馈。
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公开(公告)号：CN114498281A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210134222.7
申请日：2022-02-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种采用P型衬底的半导体激光器，包括：P型衬底；在P型衬底上依次外延生长有P型缓冲层、P型传输层、P型限制层；在P型限制层上形成有P型波导层；在P型波导层上形成有有源层；在有源层上形成有N型波导层，N型波导层的厚度大于P型波导层的厚度；在N型波导层上形成叠层结构，叠层结构包括依次形成的N型限制层、N型缓冲层、N型欧姆接触层；其中，从叠层结构表面对叠层结构进行刻蚀以形成脊型波导，使脊型波导相对于P型波导层更靠近N型波导层。本发明提供的激光器，通过设计脊型波导相对于P型波导层更靠近N型波导层，使得脊型波导距离光场更近，从而对光场有更好的反馈。
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公开(公告)号：CN114300923A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111680297.7
申请日：2021-12-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S3/098
Abstract: 本发明提供一种半导体可饱和吸收镜及其制备方法，包括：衬底，依次叠设于衬底上的缓冲层、分布式布拉格反射镜层、下隔离层、应变补偿多量子阱层、上隔离层、下介质膜层、上介质膜层。其中应变补偿多量子阱层为张应变量子垒层和压应变量子阱层交叉叠设而成，应变补偿多量子阱层外表面均布置为张应变量子垒层。下隔离层、应变补偿多量子阱层、上隔离层的总光学厚度为λ、1.5λ、2λ的一种，其中，λ为掺Yb超快光纤激光器的激射波长。本发明半导体可饱和吸收镜具有较高的调制深度，应用于掺Yb光纤超快激光器可实现自动锁模，重复周期稳定。
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公开(公告)号：CN109217108B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201710530774.9
申请日：2017-06-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/34
Abstract: 本发明公开了一种利用杂质诱导混杂技术制作半导体激光器的方法，包括：制备外延片；在外延片上刻蚀出电流注入区和非电流注入区；在电流注入区光刻出前腔面处窗口区；在前腔面处窗口区上沉积一层铜，作为促进蓝移的金属膜；在电流注入区生长第一掩膜层，覆盖于铜的上方，在非电流注入区生长第二掩膜层，并进行退火处理，在前腔面处窗口区实现量子阱混杂；通过光刻将第一掩膜层刻蚀掉，将第二掩膜层保留，以提供电流限制作用；以及依次制作P面电极和N面电极，完成半导体激光器的制作。该方法退火温度低，掩膜的采用有效地防止砷等V族元素的外溢，保证了退火后外延片具有较高的晶体质量，工艺简单、重复性高、耗时短、成本低、利于大批量生产。
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公开(公告)号：CN103474873A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310403566.4
申请日：2013-09-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/042
Abstract: 本发明公开了一种窄脉宽的大功率半导体激光器驱动电路，该半导体激光器驱动电路包括脉冲控制电路、驱动电路、高压端、低压端、TTL信号端和接地端，其中，脉冲控制电路同时连接于驱动电路、低压端、TTL信号端和接地端，驱动电路同时连接于高压端、脉冲控制电路和接地端。利用本发明，可以实现上升沿5ns、脉宽11ns、重复频率1Hz-50KHz可调节的脉冲光信号，同时能提供较大的驱动电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102163804A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110064481.9
申请日：2011-03-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明一种降低大功率半导体激光器发散角的窄波导结构，包括：一衬底；一N型限制层，该N型限制层制作在衬底上；一N型波导层，该N型波导层制作在N型限制层上；一量子阱层，该量子阱层制作在N型波导层上；一P型波导层，该P型波导层制作在量子阱层上；一P型限制层，该P型限制层制作在P型波导层上。
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公开(公告)号：CN102148479A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN201110052364.0
申请日：2011-03-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种宽面808nm分立模式半导体激光器的制备方法，包括如下步骤：步骤1：取一镓砷衬底；步骤2：在镓砷衬底上依次制备N型铝镓砷下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、第一P型上限制层、刻蚀截至层、第二P型上限制层和P型帽层；步骤3：采用光刻技术，在P型帽层的表面制备出刻蚀的掩膜图形；步骤4：在P型帽层上向下刻蚀，形成凸起的宽面结构，同时在凸起的宽面结构上面的一侧沿纵向刻蚀形成多个非周期分布的刻槽结构，刻槽结构的刻蚀深度到达刻蚀截至层的表面，完成器件的制备。
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公开(公告)号：CN101783478B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010106763.6
申请日：2010-02-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种光纤放大器种子源模块，包括：一激光器封装盒，一盒盖，盖合于激光器封装盒的开口处；一光纤输出半导体激光器，沿长度方向的一侧面内有两个电极，用于接入电源；一泵浦耦合系统，为圆柱体，该泵浦耦合系统固定在激光器封装盒端面的孔洞内；一热沉，为矩形体，该热沉固定在激光器封装盒内的底部靠近泵浦耦合系统的一侧；一声光调Q开关，为矩形体，该声光调Q开关固定在一热沉上，该热沉固定在激光器封装盒内底部的中间；一调谐架，该调谐架为一L型，该调谐架固定在激光器封装盒内底部，靠近声光调Q开关的另一侧；一光纤耦合器，为椭圆盘状，该光纤耦合器固定在激光器封装盒另一端面的孔洞内。
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公开(公告)号：CN117477350A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311428677.0
申请日：2023-10-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/22
Abstract: 一种半导体激光器，包括：衬底；N型电极，设置于衬底的第一表面上；N型限制层，设置于衬底的第二表面上；N型波导层，设置于N型限制层上；有源层，设置于N型波导层上；P型波导层，设置于有源层上；P型限制层，设置于P型波导层上，P型限制层上形成有间隔设置的四个凹陷区域，相邻的两个凹陷区域中间为脊波导；P型欧姆接触层，形成于脊波导上；P型电极，形成于P型欧姆接触层上以及凹陷区域上；其中，脊波导与设置于脊波导上的P型欧姆接触层形成脊型结构，位于两端的脊型结构上形成有间隔排列的孔洞，在孔洞中填充有填充层。本发明的半导体激光器能够使得激光的高阶模式损耗掉，进而输出功率较大的基模激光。
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公开(公告)号：CN113764968A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202111046426.7
申请日：2021-09-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/02
Abstract: 本发明公开了一种将外延片衬底完全去除的方法，外延片自下而上顺次包括衬底、腐蚀停止层、外延层，该方法包括如下制作步骤：对外延片的衬底进行切削，得到超薄衬底的外延片；将超薄衬底的外延片的外延层与临时牺牲片键合，得到键合外延片；利用腐蚀液对键合外延片进行腐蚀，直至暴露所述外延层，得到暴露外延层的键合外延片；以及对暴露外延层的键合外延片进行解键合，分离外延层和临时牺牲片。本发明能够将大功率半导体发光器件的衬底完全去除，降低器件热耗散，提高散热能力，从而增大器件输出功率和功率转换效率。
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