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公开(公告)号：CN102206856A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201110113282.2
申请日：2011-05-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种利用温度周期调制生长氧化锌材料的方法，该方法包括以下步骤：步骤1：选用一衬底，并在MOCVD设备的低温生长区中对衬底进行锌化处理；步骤2：用载气将含锌源的金属有机化合物和笑气分别通入MOCVD设备的低温生长区中，在低温生长区对衬底进行一层低温氧化锌材料的生长；步骤3：关闭金属有机化合物和笑气，通过MOCVD设备的传动装置，将低温下生长的氧化锌材料从反应室的低温生长区移动至高温退火区，进行高温快速退火；步骤4：通过传动装置，将高温快速退火之后生长有氧化锌材料的衬底从高温退火区移动至低温生长区，重复步骤2、步骤3若干次；步骤5：待低温生长区温度降至室温后，利用传动装置将生长有氧化锌材料的衬底移动至取样区，取出样品，完成氧化锌材料的生长。
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公开(公告)号：CN102191540A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110119981.8
申请日：2011-05-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种在非极性蓝宝石衬底上生长水平排列氧化锌纳米线的方法，包含以下步骤：步骤1：取一衬底放入MOCVD设备中；步骤2：在MOCVD设备中利用载气通入锌源，在衬底上生长一层锌隔离层；步骤3：在MOCVD设备中利用载气通入锌源和氧源，使得在锌隔离层上得到氧化锌薄膜和氧化锌薄膜上面的平行于衬底表面排列的氧化锌纳米线。
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公开(公告)号：CN101242079A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200710063710.9
申请日：2007-02-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种半导体激光器热沉，其特征在于，包括：一底座，该底座为矩形，该底座的下面有一凹槽；一主体，该主体的两侧纵向分别有一凹缺；该主体的两侧横向分别有一凹部；该主体上部有半圆形缺口，该半圆形缺口用于排列半导体激光器的bar条；该主体两侧的凹部的两端处有两个对称的圆孔，该对称的圆孔用于通水；该主体和底座的连接处有中心繁衍对称的两个缺口，该对称的两个缺口用于和其他部件固定，以便引出电极。
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公开(公告)号：CN101201558A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200610165109.6
申请日：2006-12-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G03F7/42 , G03F7/36 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 本发明一种等离子去胶台可调式载片体，用于等离子去胶台中承载并固定待清洗或去胶的外延片，其特征在于，包括：一承载体，该承载体为一矩形，该承载体的上面中间两侧分别有一螺孔；两探针架，该两探针架类似于套管天线的结构，其长度可以伸缩调节，该两探针架的一端分别用螺丝固定在承载体上面的螺孔上；两探针，该探针为细丝状，该两探针的一端分别固定在两探针架的另一端。
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公开(公告)号：CN1917313A
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200510090639.4
申请日：2005-08-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种大功率980nm量子阱半导体激光器半无铝结构，其特征在于，包括：一衬底，该衬底用于在其上进行激光器各层材料外延生长；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上，为N－镓砷材料；一N型下限制层，该N型下限制层制作在缓冲层上；一下波导层，该下波导层制作在下限制层上；一量子阱层，该量子阱层制作在下波导层上；一上波导层，该上波导层制作在量子阱层上；一P型上限制层，该P型上限制层制作在上波导层上；一过渡层，该过渡层制作在P型上限制层上；一电极接触层，该电极接触层制作在过渡层上，形成量子阱半导体激光器半无铝结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1866653A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200510072923.9
申请日：2005-05-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及半导体激光器技术领域，一种高可靠性980nm大功率量子阱半导体激光器结构。包括衬底1，缓冲层2，N型下限制层3，下波导层4，下垒层5，量子阱层6，上垒层7，上波导层8，P型上限制层9，过渡层10，电极接触层11。它能够得到高质量的外延层材料，有效降低各种载流子复合热效应导致的温升，提高激光器的可靠性。
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公开(公告)号：CN114678264A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210220200.2
申请日：2022-03-08
Applicant: 北京邮电大学 , 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/20 , H01L21/324
Abstract: 本发明提供一种硅基III‑V族半导体材料的制备方法，该方法包括在硅衬底上至少两次重复生长以弱关联晶化为特征的III‑V族半导体基本外延结构单元。每个基本外延结构单元自下而上都包括低温层、中温层和高温层三层，且在高温层生长过程中须插入热循环退火。该方法使得低温层的顶部与底部区域实现彼此弱关联的晶化，同时使得高温层连同中温层的顶部区域与中温层底部区域实现彼此弱关联的晶态纯化，从而实现高温层晶体质量的优化。基于类似的机理，该基本外延结构单元的重复生长可进一步提高目标外延层(即完整结构顶部外延层)的晶体质量。采用本方法可制备穿透位错密度极低的硅基III‑V族半导体材料。
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公开(公告)号：CN102191540B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110119981.8
申请日：2011-05-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种在非极性蓝宝石衬底上生长水平排列氧化锌纳米线的方法，包含以下步骤：步骤1：取一衬底放入MOCVD设备中；步骤2：在MOCVD设备中利用载气通入锌源，在衬底上生长一层锌隔离层；步骤3：在MOCVD设备中利用载气通入锌源和氧源，使得在锌隔离层上得到氧化锌薄膜和氧化锌薄膜上面的平行于衬底表面排列的氧化锌纳米线。
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公开(公告)号：CN102130423B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110033774.0
申请日：2011-01-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光二极管发光单元及器件。该发光单元输出激光的功率大于0.2W，其结构自下往上包括：第一限制层、第一波导层、量子阱层、第二波导层和第二限制层，其中：第一限制层和第二限制层，用于形成PN结进行载流子输入；第一波导层和第二波导层的厚度均介于400～600nm之间，用于形成激光传输的通路；量子阱层，用于作为有源区产生激光。本发明通过增加发光单元中波导层的厚度，能够有效地提高半导体激光二极管的COD阈值。
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