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公开(公告)号：CN213459738U
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202021374523.X
申请日：2020-07-14
申请人： 意法半导体有限公司
IPC分类号： H01L27/092 , H01L21/84
摘要： 公开了一种集成电路。该集成电路包括位于绝缘体上硅(SOI)衬底的半导体膜中和半导体膜上的MOS晶体管。SOI衬底在掩埋绝缘体层下方具有第一背栅极区和两个第一辅助区，它们分别位于MOS晶体管的源极接触区和漏极接触区下方。两个第一辅助区的导电类型与第一背栅极区的导电类型相反。两个第一辅助区的导电类型与MOS晶体管的源极接触区和漏极接触区的导电类型相同。
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公开(公告)号：CN211238254U
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202020376744.4
申请日：2020-03-23
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
摘要： 本公开实施例公开了一种显示基板、显示基板母板及显示装置，涉及显示技术领域，用于提升显示基板的生产良率。该显示基板包括衬底基板、设置于衬底基板上的至少一层无机膜、设置于所述至少一层无机膜的背离衬底基板的一侧的至少一层金属图案、以及设置于每层金属图案的背离衬底基板的一侧的有机膜。所述至少一层无机膜位于非显示区内的至少一侧的边缘部分呈台阶状。每层金属图案均包括导电图案和残留图案，残留图案在衬底基板上的正投影位于所述至少一层无机膜的呈台阶状的边缘部分在衬底基板上的正投影内。每层有机膜的边缘部分包覆对应金属图案的残留图案。本公开实施例提供的显示基板采用激光切割工艺获得。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206301794U
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201720017369.2
申请日：2017-01-06
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种显示基板及显示装置。显示基板包括栅极、位于栅极之上的有源层，以及位于有源层之上的源极、漏极和数据线，其中，源极具有凹形口，漏极与源极相对设置且具有伸入凹形口的条状部，凹形口与条状部的间隙形成U形沟道，数据线搭接于源极远离凹形口的一端。相比现有技术，该方案将数据线搭接于源极远离凹形口的一端，可以使U形沟道底部的透光强度因金属线密度的影响而减弱，达到中和的效果，从而得到较为均一的膜层厚度，进而可以避免沟道短路的现象发生，提高了显示装置的产品品质。
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公开(公告)号：CN201204199Y
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200820045187.7
申请日：2008-03-21
申请人： 深超光电(深圳)有限公司
发明人： 蔡彦坚
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/77 , H01L21/84 , H01L21/311 , G02F1/136 , G02F1/1333
摘要： 本实用新型提供了一种液晶显示器基板蚀刻浸泡装置，包括蚀刻浸泡装置的外槽、内槽、基板传输装置、外槽内的液切风刀、集液槽和自动控制电路，在蚀刻浸泡装置外槽内上方设有喷洒装置，在内槽的入/出口处设有刮刀，在外槽的底部设有的排液孔、注液/排液孔，底部设有的排液孔、注液/排液孔分别通过集液管路、注液/排液管路连接供液压力调节管路和集液槽。它采用在基板蚀刻浸泡槽旁增设有一自动控制单元的供液压力调节管路，以控制对内槽停止注液时能维持加压泵的稳定输出，有效地节省蚀刻液，在基板蚀刻浸泡槽内还增设一刮刀，以对基板表面之蚀刻液进行有效的清除，解决了基板蚀刻浸泡槽的蚀刻液无谓耗损大而造成浪费的问题。
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公开(公告)号：CN2710164Y
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200420047859.X
申请日：2004-04-01
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： H01L27/1203 , H01L21/84
摘要： 本实用新型揭示一种具有多方位的绝缘层上覆硅芯片。在单一绝缘层上覆硅芯片上形成有多种不同方位的孤立硅层，并且将P型晶体管设置于表面方位为(110)的孤立硅层上方，将N型晶体管设置于表面方位为(100)的孤立硅层上方。如此一来，P型晶体管会具有良好的电洞迁移率，N型晶体管会具有良好的电子迁移率。
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公开(公告)号：CN211208447U
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202020209925.8
申请日：2020-02-26
申请人： 福建华佳彩有限公司
发明人： 李元行
摘要： 本实用新型公开一种氧化物半导体基板结构，其中制作方法包括如下步骤：步骤一：在基板上制作栅极；步骤二：在栅极上制作覆盖栅极的栅极绝缘层；步骤三：在栅极绝缘层上制作氧化物半导体层，导体化在栅极外侧的氧化物半导体层形成公共电极，未导体化的氧化物半导体层在栅极的上方；步骤四：沉积金属，在氧化物半导体层上形成源极和漏极，在公共电极上形成公共电极金属走线；步骤五：在源极、漏极和公共电极金属走线上制作覆盖源极、漏极和公共电极金属走线的钝化层；步骤六：在钝化层上制作像素电极，像素电极与漏极连接。此申请可以节省光罩的数量，减少制程的成本，并获得高分辨率和高稳定性的显示面板。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210837756U
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201921122297.3
申请日：2019-07-17
申请人： 上海新微技术研发中心有限公司
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/762 , H01L21/84
摘要： 本实用新型提供一种单晶硅局域SOI衬底及光电器件，单晶硅局域SOI衬底包括：硅衬底，所述硅衬底上具有局域SOI区域槽；介质层，填充于所述局域SOI区域槽中；以及单晶硅层，覆盖于所述硅衬底及所述介质层表面。本实用新型可以在体硅衬底上形成局域SOI，从而实现光芯片与电芯片的单片集成。
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公开(公告)号：CN210640253U
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201922160191.9
申请日：2019-12-05
申请人： 上海维安半导体有限公司
IPC分类号： H01L27/12 , H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/84
摘要： 本实用新型涉及一种基于SOI衬底的TVS器件，基本单元由二氧化硅埋层和二氧化硅深、浅槽构成隔离层，所述的二氧化硅埋层表面有依序第一二氧化硅深槽、第一N-区、N+区、第二二氧化硅深槽、第二N-区、NW区和第三二氧化硅深槽，包含二个结构相同且由P+/P-/N-区构成的降电容二极管一、二，且第一、二P+区二侧均有二氧化硅槽隔离；一个由NW/P+区构成TVS管。本实用新型基于SOI衬底的TVS器件大大减小了TVS器件在工作时的漏电损耗，超低电容，更低钳位电压和降低了体内寄生电阻，因此钳位电压也相应很低。比常规产品低20%左右。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209880619U
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201920604152.0
申请日：2019-04-29
申请人： 福建华佳彩有限公司
发明人： 不公告发明人
摘要： 本实用新型涉及微电子技术领域，特别涉及一种高分辨率AMOLED显示结构，包括TFT区域结构，所述TFT区域结构包括玻璃层、第一金属层、第一绝缘层、第一半导体层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层、第二半导体层、第三金属层、第四绝缘层、第一有机层、第四金属层、第二有机层和第五金属层，通过将第一半导体层和第二半导体层设置在不同结构层，能够缩小亚像素补偿电路设计需求的尺寸，从而提升面板的分辨率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208400850U
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201821176609.4
申请日：2018-07-24
申请人： 信利半导体有限公司
摘要： 本实用新型提供了一种像素结构、阵列基板及TN型显示面板，该像素结构包括：基板；栅极层和公共电极层，形成于所述基板上；第一绝缘层，形成于所述栅极层、基板和公共电极层上；有源层，形成于所述第一绝缘层上且对应栅极层设置；源极层和漏极层，形成于所述有源层上；第二绝缘层，形成于所述源极层、漏极层、第一绝缘层上；透明电极层，形成于所述第一绝缘层上且与所述公共电极层电性连接；第三绝缘层，形成于所述第二绝缘层和透明电极层上；透明像素电极层，形成于所述第三绝缘层上并与所述漏极层电性连接，且与所述透明电极层位置重叠形成存储电容。本实用新型提供的一种像素结构可以在保证像素结构开孔率的前提下有效增大存储电容。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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