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公开(公告)号：CN118671890A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202310258944.8
申请日：2023-03-16
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种非对称定向耦合器及制备方法，通过两个对称耦合直波导、两个具有不同宽度的相位控制直波导、四个锥形波导和四个弯曲波导构建非对称定向耦合器的主体结构，来自输出端的TE模式光源或TM模式光源进入波导后，在对称耦合直波导传播时，光将从一个波导耦合到另一个波导，在经过非对称的相位控制波导部分时，限制在每个波导中的光在没有耦合的情况下传播产生光波相移，之后再耦合，并最终从两个输出端输出，通过使用不对称波导可在两个对称的耦合直波导之间引入小的相移，以补偿对称耦合器的波长相关耦合比，本发明在解决偏振依赖性的基础上，可进一步构成宽带低损耗的非对称定向耦合器，且整体器件尺寸较小。
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公开(公告)号：CN116169023A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202111404497.X
申请日：2021-11-24
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L21/3213 , H01L21/3205
Abstract: 本发明提供一种台阶金属结构及硅光子器件的制备方法，包括：1)在基底上形成台阶结构；2)于台阶结构上沉积隔离介质层；3)沉积金属层，顶面金属的厚度大于侧壁金属的厚度；4)于金属层上形成图形阻挡层；5)干法刻蚀显露的顶面金属的第二部分，使顶面金属的第二部分与侧壁金属的第二部分的厚度概呈相等；6)采用各项同性刻蚀工艺去除显露的顶面金属的第二部分和侧壁金属的第二部分。本发明采用金属干法刻蚀和各向同性刻蚀工艺技术组合，通过进一步调整金属干法刻蚀和各向同性刻蚀的刻蚀厚度比例，可以使台阶结构顶面的断面位置的金属层横向腐蚀更小，金属层的横向腐蚀尺寸更可控。
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公开(公告)号：CN111290077B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN201811484632.4
申请日：2018-12-06
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种双层隔离层的SOI衬底，所述SOI衬底包括：衬底硅层；第一隔离层，位于所述衬底硅层之上，所述第一隔离层具有第一折射率；第二隔离层，位于所述第一隔离层之上，所述第二隔离层具有第二折射率；以及顶层硅层，位于所述第二隔离层之上；其中，所述第一折射率小于所述第二折射率。本发明的SOI衬底可用于制作硅光子器件，如在所有硅光子器件中都需要使用波导与光纤相互耦合的模斑转换器，可以使得模斑转换器具有低耦合损耗、大波长带宽、偏振不敏感、耦合容差大、便于与光纤封装等优点，在光通信领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN115598870A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202110776036.9
申请日：2021-07-08
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司(CN)
IPC: G02F1/035
Abstract: 本申请提供一种电光调制器及其制造方法，该电光调制器包括：多模干涉波导；输入波导；输出波导；第一相移波导；第一光反射结构；第二相移波导；第二光反射结构；平板区；覆盖层；以及电极，其设置于所述覆盖层表面，并贯穿所述覆盖层与所述平板区电接触，其中，所述第一相移波导和所述第二相移波导中的至少一者包括：两个以上的直线延伸部，各所述直线延伸部与所述第一方向平行，并且，在所述基板的横向上，两个以上的所述直线延伸部沿与所述第一方向垂直的第二方向分布；以及连接部，其连接所述第二方向上相邻的两个直线延伸部的端部。本申请能够降低电光调制器的尺寸，并且提高电光调制器的带宽。
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公开(公告)号：CN115407531A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202110586101.1
申请日：2021-05-27
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种硅基电光调制器的光波导掺杂结构，光波导掺杂结构包括：光波导脊及位于光波导脊两侧的第一导电类型平板区及第二导电类型平板区，光波导脊包括与第一导电类型平板区相连的第一导电类型掺杂区及与第二导电类型平板区相连的第二导电类型掺杂区，第一导电类型掺杂区及第二导电类型掺杂区的界面形成PN结，第一导电类型掺杂区为呈多个自第一导电类型平板区朝第二导电类型平板区凸起的掺杂结构，多个掺杂结构呈周期分布。本发明利用新型的光波导掺杂方式，可以提高PN结长度，增大光场与PN结接触面积，使得在一定波导长度下，PN结总长度明显增加，可以有效提高调制器的调制效率，从而缩短调制器尺寸，在硅光集成领域存在诸多潜在的应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112103275B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN201910461928.2
申请日：2019-05-30
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L31/0203 , H01L23/498
Abstract: 本发明提供一种硅光模块的封装方法及硅光模块，其优点在于，该封装方法是晶圆级扇出形封装的方法，其能够提高带宽、提高集成度、改善散热、降低功耗、降低封装成本；同时该封装方法还形成了用于光纤插入的凹口，其使得光纤能够与硅光模块进行光纤耦合。本发明封装方法在提供了良好的封装工艺的同时还保证光纤能够与硅光模块耦合。
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公开(公告)号：CN111755948B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201910242775.2
申请日：2019-03-28
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明涉及光电子技术领域，尤其涉及一种具有脊波导结构的GePb激光器及其形成方法。所述具有脊波导结构的GePb激光器，包括硅衬底以及位于所述硅衬底表面的脊波导结构；其中，所述脊波导结构包括：下接触层，位于所述硅衬底表面；有源层，凸设于所述下接触层表面，所述有源层采用Pb掺杂的Ge材料构成；上接触层，位于所述有源层表面。本发明有效提高了激光器的发射效率。
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公开(公告)号：CN112444372A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201910797728.4
申请日：2019-08-27
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: G01M11/02
Abstract: 本申请提供一种片上波导损耗测量方法、测量装置及其制造方法。该片上波导损耗测量装置包括：形成于绝缘体上的硅(SOI)衬底的顶层硅中的光耦合器；形成于所述顶层硅中的沿直线方向延伸的直线型波导，所述直线型波导的光入射端与所述光耦合器的光出射端在横向上对置；形成于所述顶层硅中的环形谐振腔，所述环形谐振腔与所述直线型波导之间的最小距离为第一距离；位于所述直线型波导的靠近所述光耦合器一侧的偏振调节元件，所述偏振调节元件调节所述直线型波导中的光的偏振态；光电探测器，其形成于所述顶层硅上，探测所述直线型波导的光输出端所输出的光并生成电流；以及加热器，其形成于所述环形谐振腔的预定距离处。
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公开(公告)号：CN112186050A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201910599543.2
申请日：2019-07-04
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/0304 , H01L31/107 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种基于晶圆键合技术的Ⅲ‑Ⅴ/Si异质结构及集成方法，集成方法包括：1)于硅波导层上形成介质层，于介质层中形成Ⅲ‑Ⅴ族材料异质集成窗口；2)于集成窗口内及介质层上形成非晶材料层并抛光，非晶材料层为非晶硅层或者非晶Ⅲ‑Ⅴ族材料层；3)键合Ⅲ‑Ⅴ族材料衬底及非晶材料层，并减薄Ⅲ‑Ⅴ族材料衬底；4)采用退火工艺实现非晶材料层的固相外延，形成单晶材料层，单晶材料层为单晶硅层或单晶Ⅲ‑Ⅴ族材料层。本发明通过将具有单晶结构的Ⅲ‑Ⅴ族材料衬底与硅直接键合方式集成，可获得高质量的Ⅲ‑Ⅴ族材料。本发明可有效发挥硅材料与Ⅲ‑Ⅴ族材料优势，形成Ⅲ‑Ⅴ族材料/硅异质结结构，大大提升光电器件的性能。
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公开(公告)号：CN112103275A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201910461928.2
申请日：2019-05-30
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L31/0203 , H01L23/498
Abstract: 本发明提供一种硅光模块的封装方法及硅光模块，其优点在于，该封装方法是晶圆级扇出形封装的方法，其能够提高带宽、提高集成度、改善散热、降低功耗、降低封装成本；同时该封装方法还形成了用于光纤插入的凹口，其使得光纤能够与硅光模块进行光纤耦合。本发明封装方法在提供了良好的封装工艺的同时还保证光纤能够与硅光模块耦合。
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