-
公开(公告)号：CN111834486B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN201910243160.1
申请日：2019-03-28
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/101 , H01L31/115 , H01L31/028 , H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及光电子技术领域，尤其涉及一种波导型GePb红外光电探测器及其制造方法。所述波导型GePb红外光电探测器，包括硅衬底以及均位于所述硅衬底表面的波导层和器件结构；所述器件结构包括沿垂直于所述硅衬底的方向依次叠置的下接触层、吸收层和上接触层，所述吸收层的材料为Ge1‑xPbx，其中，0
-
公开(公告)号：CN110797431B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN201810870394.4
申请日：2018-08-02
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/107 , H01L31/18 , H01L31/028
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种驰豫GeSn红外雪崩光电探测器及其制造方法。所述驰豫GeSn红外雪崩光电探测器，包括衬底以及沿垂直于所述衬底的方向依次层叠于衬底上的电荷倍增结构、缓冲层和吸收层；所述电荷倍增结构采用Si材料构成；所述吸收层采用驰豫Ge1‑xSnx材料构成，其中，0
-
公开(公告)号：CN110828626B
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201810901040.1
申请日：2018-08-09
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 该发明涉及一种半导体结构及其形成方法，其中，所述半导体结构的形成方法包括以下步骤：提供一衬底；在所述衬底表面形成缓冲层；在所述缓冲层表面形成应变层，且所述应变层的厚度小于弛豫临界厚度；刻蚀所述缓冲层，形成支撑柱，使所述应变层悬空，将所述应变层的应力完全释放；在应力完全释放的所述应变层表面外延生长弛豫层，且所述弛豫层的材料与所述应变层的材料相同。所述半导体结构包括衬底；位于所述衬底表面的支撑柱；位于所述衬底上方，由所述支撑柱支撑的应变层，所述应变层的厚度小于弛豫临界厚度；位于所述应变层表面的弛豫层，所述弛豫层的材料与所述应变层的材料相同。
-
公开(公告)号：CN110828626A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201810901040.1
申请日：2018-08-09
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 该发明涉及一种半导体结构及其形成方法，其中，所述半导体结构的形成方法包括以下步骤：提供一衬底；在所述衬底表面形成缓冲层；在所述缓冲层表面形成应变层，且所述应变层的厚度小于弛豫临界厚度；刻蚀所述缓冲层，形成支撑柱，使所述应变层悬空，将所述应变层的应力完全释放；在应力完全释放的所述应变层表面外延生长弛豫层，且所述弛豫层的材料与所述应变层的材料相同。所述半导体结构包括衬底；位于所述衬底表面的支撑柱；位于所述衬底上方，由所述支撑柱支撑的应变层，所述应变层的厚度小于弛豫临界厚度；位于所述应变层表面的弛豫层，所述弛豫层的材料与所述应变层的材料相同。
-
公开(公告)号：CN110797431A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201810870394.4
申请日：2018-08-02
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/107 , H01L31/18 , H01L31/028
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种驰豫GeSn红外雪崩光电探测器及其制造方法。所述驰豫GeSn红外雪崩光电探测器，包括衬底以及沿垂直于所述衬底的方向依次层叠于衬底上的电荷倍增结构、缓冲层和吸收层；所述电荷倍增结构采用Si材料构成；所述吸收层采用驰豫Ge1-xSnx材料构成，其中，0
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111755948B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201910242775.2
申请日：2019-03-28
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明涉及光电子技术领域，尤其涉及一种具有脊波导结构的GePb激光器及其形成方法。所述具有脊波导结构的GePb激光器，包括硅衬底以及位于所述硅衬底表面的脊波导结构；其中，所述脊波导结构包括：下接触层，位于所述硅衬底表面；有源层，凸设于所述下接触层表面，所述有源层采用Pb掺杂的Ge材料构成；上接触层，位于所述有源层表面。本发明有效提高了激光器的发射效率。
-
公开(公告)号：CN111785792A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201910272710.2
申请日：2019-04-04
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/028 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种锗铅合金材料的制备方法。该方法包括：在衬底上沉积基底介质层；在基底介质层中形成开孔所述衬底从所述开孔露出的部分被作为生长种子窗口；在所述基底介质层表面以及从所述开孔露出的衬底表面沉积包含锗(Ge)元素和铅(Pb)元素的材料层；在所述材料层表面沉积阻挡介质层；以及对所述衬底进行退火，在所述材料层中形成所述四族半导体锗铅合金材料。根据本申请，能够在衬底表面形成质量较高的GePb合金，并且，该方法与CMOS工艺的兼容性较好，有利于GePb合金在硅基器件中的应用。
-
公开(公告)号：CN110896112A
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201810958988.0
申请日：2018-08-22
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/103 , H01L31/0312 , H01L31/0232 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种波导集成的GeSn光电探测器及其制造方法。所述波导集成的GeSn光电探测器，包括GeSnOI衬底以及均位于所述GeSnOI衬底表面的光纤-波导模斑耦合器、SiN光波导和器件结构；所述器件结构，包括沿所述GeSnOI衬底的轴向方向设置于所述GeSnOI衬底上的GeSn吸收层；所述SiN光波导的输出端沿平行于所述GeSnOI衬底的方向与所述GeSn吸收层的中心对齐连接；所述光纤-波导模斑耦合器包括与所述SiN光波导的输入端连接的SiN反锥型波导，且所述SiN反锥型波导与所述SiN光波导同层设置。本发明能够有效避免光探测器速率与量子效率间相互制约的问题，提高了GeSn光电探测器的灵敏度以及稳定性。
-
公开(公告)号：CN110890436A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201811056068.6
申请日：2018-09-11
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/0336 , H01L31/028 , H01L31/11 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种波导型GeSn光电晶体管及其制造方法。所述波导型GeSn光电晶体管包括：SOI衬底，具有由所述SOI衬底的顶层硅形成的波导层；器件结构，位于所述SOI衬底表面，包括吸收区、集电极区、基极区和发射极区，其中：所述集电极区、所述吸收区和所述基极区均采用Ge1-xSnx材料构成、且沿平行于所述SOI衬底的方向依次排列；所述发射极区沿垂直于所述SOI衬底的方向层叠设置于所述基极区表面，以在所述发射极区与所述基极区之间形成异质结；其中，0
-
公开(公告)号：CN110767766A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201810836030.4
申请日：2018-07-26
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/09 , H01L31/028 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种应变平衡GeSn红外光电探测器及其制造方法。所述应变平衡GeSn红外光电探测器，包括硅衬底以及依次层叠于所述硅衬底上的Ge缓冲层和吸收层；所述吸收层，包括沿垂直于所述硅衬底的方向交替堆叠的拉应变Si1-x-yGexSny层与压应变Ge1-aSna层，以达到应变平衡；其中，0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
32
records
(took 0.041 seconds)
