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公开(公告)号：CN118943211A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411026780.7
申请日：2024-07-30
申请人： 上海新微技术研发中心有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/09 , H01L31/032 , H01L31/0224 , H01L31/18
摘要： 本发明提供的一种非制冷红外探测器薄膜结构，包括已经完成下电极图形化的非制冷红外探测器晶圆，所述下电极的两端形成有台阶；所述下电极上部依次沉积有高温氮化硅层以及低温氮化硅层；所述低温氮化硅层以及所述高温氮化硅层上形成有通孔，所述低温氮化硅层以及所述通孔内沉积有氧化钒层。本发明通过上述的结构，可以显著的降低氧化钒层与金属电极导通问题的发生。本发明还提供了一种非制冷红外探测器薄膜结构的制造方法，可以用于制造非制冷红外探测器薄膜结构。
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公开(公告)号：CN118841464A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410923316.1
申请日：2024-07-10
申请人： 常熟理工学院
摘要： 本公开提出一种二维氧化物钙钛矿宽温光电探测器及其应用，属于光电探测器技术领域。光电探测器为LaNb2O7纳米片构筑形成；其中，所述光电探测器在温度范围为80K‑780K内，具有明显的光响应。本公开基于LaNb2O7纳米片构筑形成光电探测器，该光电探测器不仅室温性能良好，更具有超宽温光探测能力，极大地拓展了该二维氧化物钙钛矿宽温光电探测器在很多极端环境领域的应用。
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公开(公告)号：CN118431328B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410896719.1
申请日：2024-07-05
申请人： 国科大杭州高等研究院
IPC分类号： H01L31/09 , H01L31/109 , H01L31/0224 , H01L31/0203 , H01L31/028
摘要： 本发明提供的具有全光调控放大响应的超宽带探测器件及其应用，所述探测器件在覆盖氧化硅的硅衬底上依次转移黑磷层、石墨烯层和硒化铟层构成三明治结构，制备四叶草天线的四端电极以及相应的引线电极，四叶草天线的四端电极包括第一成对电极和第二成对电极，最后，在三明治结构与四叶草天线之上转移覆盖氮化硼绝缘层保护器件，防止器件导电沟道氧化。本发明的全光调控放大响应的超宽带探测器件及其应用，为实现复杂环境下微弱信号室温、集成化、高灵敏度、自适应、超宽带探测奠定了器件设计结构与光电转换理论基础。
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公开(公告)号：CN115468332B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202211034950.7
申请日：2022-08-26
申请人： 武汉高芯科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种节流制冷器，包括多个超微型制冷器，各超微型制冷器呈阵列布置，阵列布置的各超微型制冷器的膨胀腔聚集于一处形成供芯片安置的冷却区域。还提供一种节流制冷红外探测器，包括上述的节流制冷器、探测器芯片以及用于封装探测器芯片和节流制冷器的杜瓦组件，探测器芯片安置在节流制冷器的冷却区域，杜瓦组件为芯片提供真空环境。通过利用超微型制冷器替代传统的机械节流制冷器，具有工艺新颖、尺寸小、振动低和无磁性等特点；可以实现制冷器本身低热质量、小体积等目标，最终实现红外组件的小型化、低成本等；通过阵列的形式布置多个超微型制冷器，形成芯片安置的冷却区域，使得制冷工质能够全部用于冷却芯片，从而保证芯片的均温性。
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公开(公告)号：CN109659374B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN201811339767.1
申请日：2018-11-12
申请人： 深圳市灵明光子科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/09
摘要： 本发明涉及光子探测技术领域，特别是涉及一种光电探测器、光电探测器的制备方法、光电探测器阵列和光电探测终端。本申请实施例中提供了一种光电探测器，包括衬底和形成于该衬底之上的光学谐振腔：所述光学谐振腔可包括：光吸收层，具有相对的光线入射外表面和底部外部表面，以及位于所述光线入射表面与所述底部表面之间的外侧壁；陷光结构层，覆盖于所述光线入射表面；以及光反射结构层，覆盖于所述光吸收层的所述底部外表面和/或所述外侧壁上；其中，所述光反射结构层用于反射透过所述陷光结构层射入所述光学谐振腔中的外部光线，以增加该外部光线在所述光吸收层中的传播光程，进而有效提升光电探测器的光子吸收效率。
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公开(公告)号：CN114361275B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202111558649.1
申请日：2021-12-17
申请人： 南昌大学
IPC分类号： H01L31/032 , H01L31/036 , H01L31/0392 , H01L31/09 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了基于带晶界的铅盐半导体薄膜的室温超快红外探测器及其探测方法，包括基底、半导体薄膜、两个电极，基底贴合在半导体薄膜下方，半导体薄膜上左右两端各有一电极，半导体薄膜为单晶且有晶界的铅盐半导体薄膜，半导体薄膜形成光热电转化层。探测器受光激发，电子跃迁到光热电转化层导带边上方，具有过剩能量的热载流子在皮秒量级时间内通过电子‑电子相互作用产生热电子，电极两端形成较稳定的温度梯度，以纳秒尺度的时间量级在材料两端形成稳定的电场，从而实现材料无需外部供电的自驱动超快探测。相比于现有光热电探测器，本发明不仅简化了制备工艺，缩小了器件体积，降低了大规模集成的难度，还提高了量子效率，缩短了响应时间。
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公开(公告)号：CN118486751A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410917639.X
申请日：2024-07-10
申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院
摘要： 本发明公开了具有红外波段光电探测功能的硅基光电探测器的制备方法，其为：对硅纳米粉进行表面氧化处理后获得硅/氧化硅核壳纳米粉，以硅/氧化硅核壳纳米粉作为光敏材料构建硅基光电探测器，对硅/氧化硅核壳纳米粉施加外部压力，硅基光电探测器的光电探测性能随着压力的改变而改变，且硅基光电探测器在压力作用下具备了红外波段光电探测功能。本发明的方法成本低、效率高，为设计新型高效硅基光电探测器提供了新的思路。
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公开(公告)号：CN118448486A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202310771395.4
申请日：2023-06-28
申请人： 常熟理工学院
IPC分类号： H01L31/032 , H01L31/09 , H01L31/18
摘要： 本发明公开一种新型高性能柔性透明H4Nb6O17紫外探测器及其制备方法，包括如下步骤：(a)H4Nb6O17纳米片的制备方法。(b)H4Nb6O17纳米片薄膜器件的制备方法。(c)H4Nb6O17纳米片薄膜紫外探测器的高透明性和柔性光电性能。本发明首次公开一种新型的高性能柔性透明H4Nb6O17紫外探测器，该H4Nb6O17纳米片薄膜紫外探测器具有制备简易，成本低廉，高透明性以及良好的柔性光电性能。这项工作首次提出高性能H4Nb6O17纳米片薄膜紫外探测器，并表明其在未来可穿戴电子器件中的潜在应用前景。
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公开(公告)号：CN118367049A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410791786.7
申请日：2024-06-19
申请人： 苏州大学
IPC分类号： H01L31/09 , H01L31/0352 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种光电导圆偏振光探测器及其制备方法，涉及光电探测领域，光电导圆偏振光探测器包括至少一个纳米手性结构；光敏层，其将所述纳米手性结构包覆且与所述纳米手性结构一一对应；所述光敏层的两端分别具有第一电极和第二电极。本发明将光电导与纳米手性结构进行结合所形成的光电导圆偏振光探测器具有较高的响应度和稳定性，同时能够较好地区分左旋圆和右旋圆偏振光。
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公开(公告)号：CN118315465A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410397882.3
申请日：2024-04-03
申请人： 东南大学
IPC分类号： H01L31/09 , H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/02 , G01J1/42
摘要： 本发明公开了一种变沟道长度的光电导位置探测器及微弱光位置探测方法，包括：衬底、沟道材料和两个不相连的分叉电极；该衬底采用对光具有吸收作用的材料得到，沟道材料置于衬底上表面，两个不相连的分叉电极与沟道材料形成电学接触；沟道材料为高迁移率材料；本发明通过设计分叉电极，构造出光斑位置与沟道长度的依赖关系，得到光斑位置与光电导增益的函数关系，进而实现具备高增益的高灵敏位置探测。本发明具有高增益、大尺寸的优点，适用于微弱光位置探测，而且可选取具有不同光吸收的衬底，实现特定波段光的位置探测。
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