公开(公告)号：CN120063089A

公开(公告)日：2025-05-30

申请号：CN202510155166.9

申请日：2025-02-12

Applicant: 东南大学

Inventor： 吕俊鹏 ,  刘凯阳 ,  王文辉 ,  倪振华

IPC: G01B7/004 ,  G01S5/02 ,  G06F17/18

Abstract: 本发明公开了一种基于位置探测器的非像素化多目标探测系统及方法，包括：高频闪烁光源、位置灵敏探测器和成像镜头；所述高频闪烁光源置于成像镜头的前端，使高频闪烁光源投射到位置灵敏探测器的工作区域；高频闪烁光源用于向位置灵敏探测器的工作区域投射一组变化的由多个光点组成的图案，每个瞬间，高频闪烁光源中只有一个光点发光，其余光点不发光；根据位置灵敏探测器产生的电信号，确定当前发光的光点的横坐标和纵坐标。

公开(公告)号：CN119133300A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202411276479.1

申请日：2024-09-12

Applicant: 东南大学

Inventor： 倪振华 ,  张芃 ,  王文辉 ,  吕俊鹏

IPC: H01L31/112 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/028 ,  H01L31/032

Abstract: 本发明公开了一种基于界面态诱导栅控的宽波段、高速、高灵敏的全二维光电探测器，从下至上依次包括：作为吸光层的二维材料薄膜层、作为绝缘层的本征氧化层界面和作为读出层的沟道材料层；在沟道材料层的上表面布置有源漏电极，源漏电极与沟道材料层形成良好的电学接触；在源漏电极之间施加一个固定偏压，当光入射时，在二维材料薄膜层中产生光生载流子，光生载流子在本征氧化层界面处的内建电场进行有效分离，光生载流子中的电子向二维材料薄膜层内部运动，光生载流子中的空穴在本征氧化层界面处局域化，通过调控沟道材料层的电导率来实现信号的检测；本发明提出的光电探测器可以实现从可见到近红外的宽波段、高速、高灵敏光探测。

公开(公告)号：CN116565054A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202310446432.4

申请日：2023-04-24

Applicant: 东南大学

Inventor： 陶立 ,  杜如霞 ,  王文辉 ,  倪振华 ,  顾星

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/028 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种位置调控的石墨烯‑硅异质结光致阻变器及其制备方法。属于半导体光电子器件和传感器领域，所述光致阻变器包括轻掺杂的硅衬底、石墨烯、金属电极以及给两电极提供电压的电源。本发明制备的石墨烯和硅的异质结可有效分离光生载流子，并在横向光电效应的作用下产生横向光生电动势；配合外部电源给石墨烯上两电极施加的电压可得到随位置变化的光致阻变器。本发明获得的光致阻变器件，在光照下，通过调节电压，不仅可在弱光下实现电阻随位置的线性变化，还可实现超过5个数量级电阻的突变，响应频率最高可达10kHz，且工作波长覆盖可见‑近红外波段。该器件在空间位移精密探测器、光电存储、光电逻辑操作等方向具有应用潜力。

公开(公告)号：CN118315465A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202410397882.3

申请日：2024-04-03

Applicant: 东南大学

Inventor： 倪振华 ,  曾培宇 ,  王文辉 ,  吕俊鹏

IPC: H01L31/09 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/02 ,  G01J1/42

Abstract: 本发明公开了一种变沟道长度的光电导位置探测器及微弱光位置探测方法，包括：衬底、沟道材料和两个不相连的分叉电极；该衬底采用对光具有吸收作用的材料得到，沟道材料置于衬底上表面，两个不相连的分叉电极与沟道材料形成电学接触；沟道材料为高迁移率材料；本发明通过设计分叉电极，构造出光斑位置与沟道长度的依赖关系，得到光斑位置与光电导增益的函数关系，进而实现具备高增益的高灵敏位置探测。本发明具有高增益、大尺寸的优点，适用于微弱光位置探测，而且可选取具有不同光吸收的衬底，实现特定波段光的位置探测。

公开(公告)号：CN114755273A

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202210527249.2

申请日：2022-05-13

Applicant: 东南大学

Inventor： 倪振华 ,  白琳 ,  王文辉

IPC: G01N27/12 ,  C01B32/194

Abstract: 本发明公开了一种石墨烯湿度传感器及其制备方法，石墨烯湿度传感器包括SiO2/Si衬底，所述SiO2/Si衬底上设置有等离子体改性的石墨烯，所述等离子体改性石墨烯两端设有平行的金属电极，所述等离子体改性石墨烯为单层或少层石墨烯。制备方法主要包括如下步骤：在所述SiO2/Si衬底上制备石墨烯；通过电子光束曝光法和金属薄膜沉积技术在石墨烯两端沉积两个平行的金属电极；通过等离子体改性调控石墨烯状态。本发明具有响应速度快、灵敏度高的优点而且有助于实现湿度传感器的小型化和集成化。

公开(公告)号：CN120076472A

公开(公告)日：2025-05-30

申请号：CN202510221843.2

申请日：2025-02-27

Applicant: 东南大学

Inventor： 吕俊鹏 ,  刘凯阳 ,  王文辉 ,  倪振华

IPC: H10F77/14 ,  H10F77/12 ,  H10F30/222 ,  H10F71/00 ,  H10F39/18 ,  H10F39/00

Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯/硅异质结的空间信息提取器，包括感光区域、环形电极和半导体衬底；感光区域由P型表面层和石墨烯薄膜组成，环形电极均匀分布在感光区域的四周；P型表面层和石墨烯薄膜形成光载流子的横向传输路径；本发明还公开了一种动作感知的方法，在目标动作的多个关键点处均布置一LED光源，使目标的光学图像投射到空间信息提取器的感光区域，通过环形电极得到与目标相关联的电压及其分布；将与目标相关联的电压映射到极坐标中，根据与目标相关联的电压分布，得到极坐标中的形状信息；从中提取趋势相关的参量和形状相关的参量，得到趋势因子和形状因子；根据趋势因子和形状因子，实现对单帧目标进行识别和目标动作进行感知。