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公开(公告)号：CN118315465A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410397882.3
申请日：2024-04-03
Applicant: 东南大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/02 , G01J1/42
Abstract: 本发明公开了一种变沟道长度的光电导位置探测器及微弱光位置探测方法，包括：衬底、沟道材料和两个不相连的分叉电极；该衬底采用对光具有吸收作用的材料得到，沟道材料置于衬底上表面，两个不相连的分叉电极与沟道材料形成电学接触；沟道材料为高迁移率材料；本发明通过设计分叉电极，构造出光斑位置与沟道长度的依赖关系，得到光斑位置与光电导增益的函数关系，进而实现具备高增益的高灵敏位置探测。本发明具有高增益、大尺寸的优点，适用于微弱光位置探测，而且可选取具有不同光吸收的衬底，实现特定波段光的位置探测。
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