公开(公告)号：CN118969924A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202410063695.1

申请日：2024-01-16

申请人： 苏州立琻半导体有限公司 ,  中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

发明人： 孙秀建 ,  黄应南 ,  孙钱 ,  刘建勋 ,  冯美鑫 ,  杨辉 ,  许奇明 ,  沈雁伟 ,  魏永强

IPC分类号： H01L33/14 ,  H01L33/02 ,  H01L31/102 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0304

摘要： 本发明公开了一种紫外光电子器件的外延结构及其应用。该层叠结构包括层叠设置的n型半导体结构层、功能层和p型半导体结构层，p型半导体结构层包括沿选定方向层叠设置的电子阻挡层、空穴运输层和接触层；p型半导体结构层还包括黑线层，黑线层设置在空穴运输层和接触层之间，电子阻挡层、空穴运输层和黑线层均是由含Al的III族氮化物半导体材料形成的，接触层是由含Al或不含Al的III族氮化物半导体材料形成的，并且，黑线层的带隙高于接触层、空穴运输层中任一者的带隙。本发明提供的一种层叠结构可以有效地阻挡低温的接触层的杂质和空位等缺陷向功能层扩散，有效地改善器件可靠性和工作寿命。

公开(公告)号：CN118969877A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202411300077.0

申请日：2024-09-18

申请人： 英利能源发展有限公司

发明人： 孟庆超 ,  王子谦 ,  张磊 ,  赵亮 ,  闫美楠 ,  邢博 ,  李永康 ,  张伟 ,  李晨曦 ,  夏新中 ,  于波 ,  史金超 ,  刘莹 ,  麻超

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

摘要： 本发明提供了一种太阳能电池结构及其制备方法，属于太阳能电池制作技术领域，包括：半导体基板、发射极、背场以及隔离部分，半导体基板具有第一导电类型；背场位于所述半导体基板的背面，且具有第一导电类型；所述背场上设置有第一电极；发射极位于所述半导体基板的正面并延伸至所述半导体基板的侧面，所述发射极具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型；所述发射极上设置有第二电极；隔离部分位于所述背场与所述发射极之间，以将所述背场与所述发射极隔离；所述隔离部分覆盖有绝缘钝化膜。本发明前结电池正面的发射极向半导体基板的侧面甚至背面延伸，最大化发射极面积，增加了发射极面积，从而提升了电池效率。

公开(公告)号：CN118957749A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202411016947.1

申请日：2024-07-29

申请人： 中国科学院上海技术物理研究所

发明人： 顾溢 ,  刘博文 ,  于春蕾 ,  马英杰 ,  李淘 ,  邵秀梅 ,  李雪 ,  龚海梅

IPC分类号： C30B25/18 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/0352 ,  C30B25/16 ,  C30B29/40

摘要： 本发明公开了一种基于大过冲快速递变的铟镓砷材料结构及其制备方法，所述材料结构自上而下包括InwAl1‑wAs固定组分接触层、InxGa1‑xAs固定组分吸收层、InwAl1‑wAs固定组分缓冲层、InyAl1‑yAs固定组分弛豫层、InzAl1‑zAs大过冲快速递变线性缓冲层、In0.52Al0.48As晶格匹配缓冲层和InP同质缓冲层。所述InwAl1‑wAs固定组分接触层、InxGa1‑xAs固定组分吸收层和InwAl1‑wAs固定组分缓冲层三者晶格匹配，其中0.52＜w≤0.85、0.53＜x≤0.85。所述InyAl1‑yAs固定组分弛豫层的组分为w+0.05≤y≤1，所述InzAl1‑zAs大过冲快速递变线性缓冲层自下而上的组分由0.52线性递增至y，递变速率为v，0.4/h≤v≤0.6/h。本发明的材料结构设计可促进铟镓砷吸收层处于完全弛豫状态下生长，大幅降低晶圆翘曲，提高铟镓砷少子寿命，以此材料结构制备焦平面探测器时，有利于获得较高的信噪比。

公开(公告)号：CN118943235A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202310536767.5

申请日：2023-05-10

申请人： 一道新能源科技股份有限公司

发明人： 刘向东 ,  洪成浩 ,  蔡伦 ,  吴新荣 ,  闫用用

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/265 ,  H01L21/266 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0352

摘要： 本申请公开了一种阳能电池制备方法及阳能电池，阳能电池制备方法包括：对硅衬底进行制绒得到硅基体；采用预制工装对硅基体进行磷离子注入，以在硅基体表面的第一掺杂区形成第一掺杂层，以及在硅基体表面的第二掺杂区形成第二掺杂层，第一掺杂层的磷原子浓度大于第二掺杂层的磷原子浓度；对硅基体进行镀膜及印刷烧结，以得到太阳能电池；其中，预设工装包括工装本体，工装本体上沿第一方向开设有多个第一注料孔和多个第二注料孔，第一注料孔和第二注料孔沿第二方向交替设置，第二方向垂直于第一方向；沿第一方向，第一注料孔的长度大于第二注料孔的长度；第一注料孔用于向第一掺杂区注入磷离子，第二注料孔用于向第二掺杂区注入磷离子。

公开(公告)号：CN118919596A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202411205043.3

申请日：2024-08-29

申请人： 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 ,  扬州阿特斯太阳能电池有限公司

发明人： 陈海燕 ,  邓伟伟 ,  叶晓亚

IPC分类号： H01L31/068 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18

摘要： 一种太阳能电池，位于硅衬底背面的P型掺杂结构、位于硅衬底背面的N型掺杂结构、位于所述P型掺杂结构和所述N型掺杂结构之间的间隔区、位于所述P型掺杂结构背面的第一电极、位于所述N型掺杂结构背面的第二电极，沿硅衬底的正面向背面的方向上，所述P型掺杂结构高于所述N型掺杂结构。本发明的太阳能电池，通过P型掺杂结构高于N型掺杂结构，一方面增大了整个背面的表面积，扩大了受光面积；另一方面，P型掺杂结构的背面、侧面均向外暴露，增加了P型掺杂结构的吸光面积，能够产生并成功收集到更多的载流子，提高电池效率。

公开(公告)号：CN118919595A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202411007182.5

申请日：2024-07-25

申请人： 上海交通大学

发明人： 丁东 ,  沈文忠 ,  李正平 ,  黄环佩

IPC分类号： H01L31/068 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

摘要： 一种改进型IBC太阳电池及其制备方法，该太阳电池包括：n型晶硅衬底、依次设置于衬底前表面的p+漂浮结FFE层、氧化铝钝化层和氢化氮化硅减反射层以及依次设置于衬底背表面的隧穿氧化层、n+非晶硅层、n+微晶硅层、p+非晶硅层、p+微晶硅层、氢化氮化硅减反射层和金属电极。本发明通过在IBC晶硅太阳电池前表面制备硼掺杂的漂浮结FFE层，利用FFE层不同区域电压梯度所形成的泵浦效应把电池背表面场区域载流子长距离抽送到发射极区域，提高载流子传输距离，让更多光生载流子进入硅片背面p+和n+区域被有效收集，以获得更高的短路电流密度，从而提升太阳电池的转换效率。

公开(公告)号：CN118899363A

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202410845987.0

申请日：2024-06-27

申请人： 宁波大学 ,  北京铭镓半导体有限公司

发明人： 刘家宝 ,  王旭 ,  孟冬冬 ,  陈政委

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/102 ,  H01L27/144 ,  B33Y10/00 ,  B33Y30/00 ,  B33Y80/00 ,  H01L21/67

摘要： 本发明公开了一种全角度光电探测器的制备方法、装置及全角度光电探测器。方法包括：在SiO2基板上旋涂光刻胶；采用飞秒激光双光子3D打印技术在光刻胶SiO2板上制造出圆柱体阵列；采用干法刻蚀机对光刻胶阵列SiO2板进行图形转移，将光刻胶上的图形转移到SiO2基板上；去除图形化光刻胶阵列SiO2板中的光刻胶，并进行薄膜沉积；使用飞秒激光双光子3D打印技术在带有薄膜的图形化阵列SiO2板上制作电极掩膜；对第一图形化电极阵列SiO2板进行金属银沉积，形成带有金属银薄膜的第二图形化电极阵列SiO2板；对第二图形化电极阵列SiO2板进行杂质去除，生成图形化器件阵列的全角度光电探测器。

公开(公告)号：CN118899361A

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202410824501.5

申请日：2024-02-07

申请人： 浙江晶科能源有限公司

发明人： 李慧敏 ,  徐孟雷 ,  杨洁 ,  张昕宇

IPC分类号： H01L31/068 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18 ,  H01L31/048

摘要： 本申请实施例提供一种太阳能电池，太阳能电池包括：具有相对的第一面和第二面的基底，第一面包括沿第一方向交替设置的第一区和第二区；第一掺杂部，第一掺杂部位于相应的第一区；第二掺杂部，第二掺杂部位于相应的第二区且与第一掺杂部相间隔，第二掺杂部与第一掺杂部中具有不同类型的掺杂元素；第一电极，第一电极位于相应的第一掺杂部表面上；位于相应的第一掺杂部的顶面上的第三掺杂部，且第一掺杂部上，第三掺杂部位于第一电极沿第一方向的至少一侧且与相邻的第一电极相间隔，第三掺杂部与第一掺杂部中具有不同类型的掺杂元素。本申请实施例可以提高太阳能电池的光电转换效率。

公开(公告)号：CN118367043B

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202410794820.6

申请日：2024-06-19

申请人： 隆基绿能科技股份有限公司

发明人： 李振国 ,  童洪波 ,  谭善 ,  孙恒 ,  於龙 ,  徐新星 ,  靳玉鹏

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/068

摘要： 本发明公开了一种太阳能电池和光伏组件，涉及光伏技术领域，以合理设置太阳能电池包括的所有导电半导体部对应的传输电阻发热功率（P1）和太阳能电池对应的反向漏电功率（P2）之间的比值关系，有效降低太阳能电池的反向击穿电压和热斑风险。所述太阳能电池中每个导电半导体部至少部分位于第一掺杂半导体部和第二掺杂半导体部之间，第一掺杂半导体部的仅部分区域和第二掺杂半导体部的仅部分区域通过上述至少一个导电半导体部电性连接。导电半导体部沿自身长度方向的不同区域的导电类型与第一掺杂半导体部和第二掺杂半导体部中的一者的导电类型相反。P1和P2的比值A大于等于2%、且小于等于50%。

公开(公告)号：CN118888629A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202410921206.1

申请日：2024-07-10

申请人： 福州大学

发明人： 邓辉 ,  程树英 ,  林霄 ,  康裕滨 ,  陈泽坤

IPC分类号： H01L31/109 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

摘要： 本发明涉及一种硫化锑双面光电探测器及其制备方法，属于光电探测领域。所述光电探测器从衬底到表面分别为FTO衬底、硒化锑插入层、硫化锑吸光层、CdS缓冲层、ZnO/ITO窗口层、金属电极。双面光电探测器结构为玻璃/FTO/Sb2Se3/Sb2S3/CdS/ZnO/ITO/Ag其中硫化锑和硒化锑薄膜采用快速热蒸发法制备，引入硒化锑作为空穴传输层，有利于提高载流子分离的效率，实现良好的能带匹配。本发明制备的硫化锑薄膜双面光电探测器，可实现自供电并探测双面光照信号，识别区分光源波段与光强，可应用于定位探测。该探测器制备成本低廉、绿色环保，应用前景大。