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    一种碳化硅超结MOSFET的制作方法
    3.
    发明授权
    一种碳化硅超结MOSFET的制作方法 有权

    公开(公告)号：CN118629871B

    公开(公告)日：2024-11-12

    申请号：CN202411095260.1

    申请日：2024-08-12

    申请人： TCL环鑫半导体(天津)有限公司

    发明人： 张敬伟 ,  敖松泉 ,  杜宏强 ,  张新玲 ,  赵宇轩 ,  徐长坡 ,  黄鑫 ,  印小松 ,  沙世奇

    IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/266

    摘要： 本申请提供一种碳化硅超结MOSFET的制作方法，步骤包括：获取在外延片正面具有P‑well、N+和P+源区结构的基片；从基片背面离子注入P型柱，使P型柱与P‑well区相交，以获得具有MOSFET超结结构的基体；对外延片中的离子进行激活；再依次制作正面及背面电极。本申请一种碳化硅超结MOSFET的制作方法，在不影响器件结构的基础上，在外延层背面进行减薄刻蚀获得P型柱研磨图形，并通过在背面注入Al离子获得P型柱，以此获得具有MOSFET超结结构的基体，不仅刻蚀难度低，而且各工艺步骤简单、安全可控，亦不会出现填充空洞以及离子损伤的问题，还不会影响正面器件结构的性能，制作成本低，质量好。

    一种LVFF碳化硅场效应管及制备工艺
    4.
    发明授权
    一种LVFF碳化硅场效应管及制备工艺 有权

    公开(公告)号：CN117995841B

    公开(公告)日：2024-11-12

    申请号：CN202410398863.2

    申请日：2024-04-03

    申请人： 深圳市至信微电子有限公司

    发明人： 张爱忠 ,  杨彪 ,  张天畅

    IPC分类号： H01L27/07 ,  H01L21/82 ,  H01L21/266 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

    摘要： 本发明属于半导体技术领域，公开了一种LVFF碳化硅场效应管及制备工艺，包括碳化硅MOSFET元胞和碳化硅SBD元胞；碳化硅MOSFET元胞包括SiC外延层，SiC外延层的第一表面上设有栅极结构，SiC外延层的第一表面上的非栅极区域的预设位置设有SBD沟槽，碳化硅SBD元胞集成于SBD沟槽内或第一表面上的非栅极区域；由于SBD被直接集成到MOSFET芯片内部，降低封装成本，不需要额外的外部器件和其引脚，可以大幅减小器件的尺寸，提高芯片的集成度；且SBD反向导通时电流分布也更加均匀，消除了二极管与MOSFET的相互连接导致的寄生参数，降低了系统的开关损耗，提高了功率转换效率，提高了器件的整体性能。

    半导体装置的制造方法
    5.
    发明授权
    半导体装置的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN115132575B

    公开(公告)日：2024-11-12

    申请号：CN202210268777.0

    申请日：2022-03-18

    申请人： 三菱电机株式会社

    发明人： 西康一 ,  曾根田真也 ,  小西和也

    IPC分类号： H01L21/266 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

    摘要： 本发明的目的在于针对具有沟槽型MOS栅极构造的半导体装置，削减用于形成杂质层的掩模数量并且减小杂质层的分布的波动。半导体装置的制造方法具有：工序(b)，使用第1掩模注入p型杂质离子，在有源区域(10)处的漂移层(1)的第1主面(S1)侧形成基极层(15)；工序(c)，使用第1掩模注入n型杂质离子，在基极层(15)的第1主面(S1)侧形成发射极层(13)；工序(d)，在工序(b)及(c)后形成沟槽(11c)；工序(e)，在沟槽(11c)内隔着栅极绝缘膜(11b)埋入栅极电极(11a)；工序(g)，使用第2掩模(61)注入高剂量的p型杂质离子，将发射极层(13)的一部分变换为第1接触层(14a)。

    一种定点掺杂单个原子或少数几个原子的方法
    6.
    发明公开
    一种定点掺杂单个原子或少数几个原子的方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN118800648A

    公开(公告)日：2024-10-18

    申请号：CN202310389663.6

    申请日：2023-04-12

    申请人： 上海交通大学

    发明人： 但亚平 ,  樊正方 ,  刘雨萌

    IPC分类号： H01L21/266 ,  H01L21/205 ,  H01L21/324 ,  C23C16/455 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/268

    摘要： 本发明提出了一种定点掺杂单个原子或少数几个原子的方法，包括如下步骤：步骤a：通过原子层沉积工艺在样品表面形成若干个原子层厚度的掩膜层以阻挡后续掺杂源向基底扩散；步骤b：对所述样品用离子注入机在所需位置进行单离子注入，注入的离子会在所述掩膜层产生缺陷或通道；步骤c：通过原子层沉积工艺在所述掩膜层表面形成含有掺杂剂的纳米或原子级厚度的掺杂原子层作为掺杂源；步骤d：通过原子层沉积工艺在所述掺杂原子层上形成纳米级厚度的介质保护层；以及步骤e：对所述经过离子注入后的样品进行脉冲激光或闪光退火以使所述掺杂原子层的原子沿着所述缺陷或通道进入所述样品的基底中，从而在所述样品的基底中定点掺杂单个或少数几个原子。

    肖特基MOSFET的形成方法
    7.
    发明公开
    肖特基MOSFET的形成方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN118538608A

    公开(公告)日：2024-08-23

    申请号：CN202410372538.9

    申请日：2024-03-28

    申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司

    发明人： 颜树范 ,  张鑫 ,  胡瑞华

    IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/266

    摘要： 本发明提供了一种肖特基MOSFET的形成方法，包括：在外延层内形成多个间隔的沟槽；在每个沟槽的上部分两侧的外延层内形成侧壁阱；在沟槽内依次形成栅介质层和栅多晶硅，栅介质层覆盖沟槽的侧壁及底壁；将每个侧壁阱均沿着远离沟槽的方向推进，从而形成更宽的侧壁阱，推进处理后的相邻侧壁阱之间具有一定的距离，从而形成多个间隔的阱区；在靠近阱区表面的阱区内形成源区；在源区的表面形成层间介质层；在层间介质层内形成通孔，通孔同时贯穿源区，延伸至相邻侧壁阱之间的外延层内；从通孔向通孔底部的外延层注入离子，以形成肖特基注入区域。本发明没有采用光刻胶遮盖外延层的表面也能形成间隔的阱区。从而减少了掩膜板的使用。同时，没有受到肖特基MOSFET尺寸的限制。

    用于半导体器件的漂移区的制造方法
    8.
    发明授权
    用于半导体器件的漂移区的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN112928019B

    公开(公告)日：2024-06-25

    申请号：CN202110094799.5

    申请日：2021-01-25

    申请人： 杰华特微电子股份有限公司

    发明人： 韩广涛

    IPC分类号： H01L21/266 ,  H01L21/822 ,  H01L29/06

    摘要： 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种用于半导体器件的漂移区的制造方法，在实现稳定的互为反版的不同注入区中，利用图案化掩膜版蚀刻一介质层形成开口区域，并在开口区域经第一次离子注入形成第一注入区；再去除该图案化掩膜版后在开口区域淀积形成另一介质层，使该另一介质层填充该开口区域；而后去除该开口区域外的前一介质层，再以该另一介质层为阻挡经第二次离子注入在第一注入区两侧形成第二注入区；最后蚀刻去除衬底表面的介质层，以此形成漂移区，使形成有该漂移区的衬底表面为平坦的平面，且两次注入离子的掺杂类型相反。由此一方面能减少光刻工艺步骤，节省制造成本，另一方面也能使衬底表面平坦化，提高成型器件的电性能。

    一种异质薄膜结构及其制备方法
    9.
    发明授权
    一种异质薄膜结构及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN112382559B

    公开(公告)日：2024-06-11

    申请号：CN202011271579.7

    申请日：2020-11-13

    申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

    发明人： 欧欣 ,  孙嘉良 ,  林家杰 ,  游天桂

    IPC分类号： H01L21/18 ,  H01L21/265 ,  H01L21/266 ,  H01L21/78 ,  H01L29/267

    摘要： 本发明公开了一种异质薄膜结构及其制备方法，所述方法包括：提供一III‑V族化合物衬底，于III‑V族化合物衬底的注入面沉积保护层；于III‑V族化合物衬底的背面沉积辅助剥离层，背面与注入面相对，辅助剥离层的热膨胀系数小于III‑V族化合物衬底的热膨胀系数；自注入面进行离子注入，在III‑V族化合物衬底内部形成缺陷层；去除注入面上的保护层；提供一硅衬底，将硅衬底与III‑V族化合物衬底的注入面进行键合，得到键合结构；对键合结构进行加热退火处理，沿缺陷层剥离部分键合结构，得到异质结构；对异质结构进行后处理，得到异质薄膜结构。本发明能够解决现有技术中的离子束剥离技术存在的因离子注入剂量过大导致的转移薄膜质量较差的技术问题。