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公开(公告)号：CN115206811B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202110379342.9
申请日：2021-04-08
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明提供一种异质键合结构及制备方法，通过对异质衬底进行离子注入与退火，在异质衬底中形成结构松散层，以容纳亲水性键合过程中界面处产生的水汽，以及离子束剥离与转移工艺中键合界面处的离子和气体分子，解决了亲水性键合过程中键合界面处水汽聚集引起的起泡问题和利用离子束剥离与转移技术进行半导体材料异质集成时注入离子聚集在键合界面处引起的电场拥簇和起泡的问题，优化了异质键合工艺，提高了异质衬底与键合材料的界面质量，以及利用该异质键合结构制成的器件的可靠性，对由异质键合结构制成的器件的发展意义重大。
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公开(公告)号：CN117293019A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311232162.3
申请日：2023-09-21
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/18 , H01L21/324
摘要： 本发明涉及一种基于翘区的异质集成剥离方法，包括：步骤S1，提供晶圆样品，所述晶圆样品具有第一表面和第二表面；步骤S2，从所述晶圆样品的第一表面进行第一离子注入，形成具有翘区的晶圆样品；步骤S3，提供支撑衬底，所述支撑衬底具有第一表面和第二表面；步骤S4，所述从支撑衬底的第二表面进行第二离子注入，形成具有翘区的支撑衬底；步骤S5，将具有翘区的晶圆样品的第一表面与具有翘区的支撑衬底的第二表面进行键合，得到键合对；步骤S6，对所述键合对进行退火剥离处理，得到异质集成结构。本发明能够降低退火剥离过程中晶圆样品和衬底解键合的可能性。
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公开(公告)号：CN117080122A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311069154.1
申请日：2023-08-23
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种异质键合结构制备方法、异质键合结构及半导体器件。在第一衬底的预设深度形成缺陷层后，将第一衬底与第二衬底键合得到第一异质键合结构；将第一衬底减薄至目标厚度；刻蚀第一衬底，以在第一衬底上形成阵列沟槽；对所述第一异质键合结构进行退火处理，沿缺陷层剥离部分第一衬底，得到目标异质键合结构。通过在退火剥离之前先将第一衬底减薄，这样高温退火过程中尽可能大幅减小热失配应力，避免解键合情况的发生，在第一衬底上刻蚀形成阵列沟槽，吸收释放退火工艺引起的形变，进一步减小应力，避免第一衬底的碎裂。
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公开(公告)号：CN116759312A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310686283.9
申请日：2023-06-09
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L21/335 , H01L29/06 , H01L29/778
摘要： 本发明涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种氮化镓电流孔径垂直型电子器件的制备方法。通过在氮化镓单晶衬底中形成缺陷层，以及在氮化镓单晶衬底的存在预设间隔距离的两个预设区域分别制备一个电流阻挡结构；电流阻挡结构的材料包括介质材料和超宽禁带材料；将氮化镓单晶衬底的顶部与支撑衬底进行键合，并依次进行退火剥离和抛光处理，再依次外延氮化镓沟道层和铝镓氮势垒层和制备电极层。上述制备方法得到的器件具有能够承受较大的击穿电压，不易发生穿通漏电的特点。
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公开(公告)号：CN116631847A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310498119.5
申请日：2023-05-04
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L21/02 , C23C14/48 , C23C14/06 , C30B25/20 , C30B25/18 , C30B29/16 , H01L29/06 , H01L29/861 , H01L29/872
摘要： 本发明提供一种氧化镓异质集成结构及制备方法，通过对异质集成的氧化镓复合结构进行表面刻蚀，以基于NaOH溶液或KOH溶液对材料的各向异性刻蚀，在氧化镓复合结构的表面留下具有凹槽的绒面结构，以增加器件的总体有效散热面积，增强了基于此制备的氧化镓基器件的散热能力，以解决氧化镓基器件的散热问题，提高氧化镓基器件的使用寿命。
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公开(公告)号：CN111799367B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202010608583.1
申请日：2020-06-29
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L41/312 , H01L41/332 , H01L41/22 , H01L41/08
摘要： 本申请实施例所公开的一种基于同一衬底制备不同厚度薄膜的方法及其结构、及应用器件，通过在具有不同厚度介质层的压电衬底上注入种类、剂量和能量均相同的离子，使得在该衬底的不同深度处形成多个损伤层，可以在同一衬底的不同区域上得到间隔开的不同厚度的异质衬底薄膜，可以提高衬底的利用率，节约衬底制造成本，并且，利用间隔开的不同厚度的异质衬底薄膜增加应用器件的空气边界，可以提高声波在薄膜边界的反射系数，进而可以提高器件的品质因子。
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公开(公告)号：CN113097124A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110361588.3
申请日：2021-04-02
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/78
摘要： 本发明提供一种异质集成GaN薄膜及GaN器件的制备方法，基于剥离GaN单晶晶片可获得低位错密度、低缺陷密度、高质量的GaN单晶薄膜；GaN单晶薄膜先经离子束剥离转移到热失配较小的蓝宝石单晶晶片上，而后经激光剥离转移到支撑衬底上，制备过程中无需担心解键合的问题，可降低异质集成热失配较大或表面粗糙度较大的材质时的工艺难度；最终获得的GaN单晶薄膜的Ga极性面向上，可兼容目前主流的GaN器件，且GaN单晶薄膜表层区域的离子注入缺陷少、晶体质量好；可灵活选择支撑衬底，发挥支撑衬底优势，扩大应用；剥离后的GaN单晶晶片可回收利用，降低成本。本发明通过异质集成，可制备高导热、高性能的GaN器件。
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公开(公告)号：CN111081811B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201811229790.5
申请日：2018-10-22
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0236
摘要： 本发明提供一种陷光结构的制备方法及半导体陷光结构，制备包括：提供一衬底，至少包括第一化学元素及第二化学元素，第一化学元素具有第一饱和蒸气压，第二化学元素具有第二饱和蒸气压，第一饱和蒸气压小于第二饱和蒸气压；对衬底进行离子束辐照，使得所述第一化学元素逃逸出离子束辐照面，并基于第二化学元素于离子束辐照面上形成陷光结构。本发明通过离子辐照的技术，在衬底表面快速制备大面积陷光结构，且制绒高度可调，能够大大简化陷光结构的制备流程，降低成本，可以极大增加衬底光接收面积，减小光反射率，应用在太阳能电池中，能够有效降低光反射，提高转化率，只需要一步，大大简化了传统“制绒”方式，降低了成本，提高了可操控性。
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公开(公告)号：CN111817678A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010631496.8
申请日：2020-07-03
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本申请涉及一种单片式混合集成声波谐振器阵列及其制备方法，声波谐振器阵列包括支撑衬底；位于支撑衬底上表面的压电层；压电层包括多个厚度不相同的区域；压电层与支撑衬底接触的一面平整或压电层远离支撑衬底的一面平整；位于压电层上表面的叉指电极阵列；叉指电极阵列中几何特征相同的多个叉指电极与多个厚度不相同的区域一一对应；叉指电极阵列中几何特征不同的多个叉指电极在压电层上的对应区域的厚度相同；且几何特征不同的多个叉指电极对应的多个目标声波模式不同。本申请中声波谐振器阵列的工作频率可以同时覆盖低频、中频和高频频段，如此，可以解决实际应用中需要将分立声波谐振器进行系统级集成导致的工艺、设计复杂等问题。
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