公开(公告)号：CN116487340A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202310474680.X

申请日：2023-04-27

申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

发明人： 欧欣 ,  赵天成 ,  游天桂 ,  徐文慧

IPC分类号： H01L23/367 ,  H01L23/46 ,  H01L27/088

摘要： 本发明提供一种具有微流道的异质集成氧化镓场效应晶体管及制备方法，通过在氧化镓异质集成结构中直接制备嵌入式的微流道，可使得冷却介质直接靠近热源流过，从而实现高效的散热，降低场效应晶体管的沟道温度，优化器件的热性能。本发明的基于内嵌微流道和异质集成的氧化镓场效应晶体管，具有结构紧凑，传热效率高，冷却系统能耗低等优点。

公开(公告)号：CN116631847A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202310498119.5

申请日：2023-05-04

申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

发明人： 欧欣 ,  瞿振宇 ,  游天桂 ,  徐文慧 ,  赵天成

IPC分类号： H01L21/02 ,  C23C14/48 ,  C23C14/06 ,  C30B25/20 ,  C30B25/18 ,  C30B29/16 ,  H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

摘要： 本发明提供一种氧化镓异质集成结构及制备方法，通过对异质集成的氧化镓复合结构进行表面刻蚀，以基于NaOH溶液或KOH溶液对材料的各向异性刻蚀，在氧化镓复合结构的表面留下具有凹槽的绒面结构，以增加器件的总体有效散热面积，增强了基于此制备的氧化镓基器件的散热能力，以解决氧化镓基器件的散热问题，提高氧化镓基器件的使用寿命。

公开(公告)号：CN117577518B

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202311555216.X

申请日：2023-11-20

申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

发明人： 欧欣 ,  赵天成 ,  徐文慧 ,  游天桂 ,  瞿振宇

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L23/373

摘要： 本发明提供一种金刚石基氧化镓半导体结构及其制备方法，在金刚石衬底上制备碳化硅层，形成金刚石‑碳化硅复合结构，并将碳化硅层作为中间层，用于与氧化镓材料的异质集成，形成金刚石‑碳化硅‑氧化镓复合结构，从而可提供散热性能良好、易键合且键合强度高，可批量化生产的金刚石基氧化镓半导体结构。