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公开(公告)号：CN115206811B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202110379342.9
申请日：2021-04-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种异质键合结构及制备方法，通过对异质衬底进行离子注入与退火，在异质衬底中形成结构松散层，以容纳亲水性键合过程中界面处产生的水汽，以及离子束剥离与转移工艺中键合界面处的离子和气体分子，解决了亲水性键合过程中键合界面处水汽聚集引起的起泡问题和利用离子束剥离与转移技术进行半导体材料异质集成时注入离子聚集在键合界面处引起的电场拥簇和起泡的问题，优化了异质键合工艺，提高了异质衬底与键合材料的界面质量，以及利用该异质键合结构制成的器件的可靠性，对由异质键合结构制成的器件的发展意义重大。
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公开(公告)号：CN116631847A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310498119.5
申请日：2023-05-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02 , C23C14/48 , C23C14/06 , C30B25/20 , C30B25/18 , C30B29/16 , H01L29/06 , H01L29/861 , H01L29/872
Abstract: 本发明提供一种氧化镓异质集成结构及制备方法，通过对异质集成的氧化镓复合结构进行表面刻蚀，以基于NaOH溶液或KOH溶液对材料的各向异性刻蚀，在氧化镓复合结构的表面留下具有凹槽的绒面结构，以增加器件的总体有效散热面积，增强了基于此制备的氧化镓基器件的散热能力，以解决氧化镓基器件的散热问题，提高氧化镓基器件的使用寿命。
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公开(公告)号：CN115295404A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210943233.X
申请日：2022-08-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/18 , H01L21/283
Abstract: 本发明提供一种Ga2O3基异质集成pn结的制备方法，其包括将n型Ga2O3晶片和p型半导体晶片的至少一种作为待剥离材料，自待剥离材料的抛光面进行离子注入，形成缺陷层；将n型Ga2O3晶片与p型半导体晶片的抛光面键合；退火处理并沿缺陷层剥离，去除表面损伤层，进行同质外延，进行金属沉积并进行退火。本发明的制备方法通过离子束剥离与转移以及外延工艺，将n型Ga2O3转移到p型半导体晶片上，解决现有技术中Ga2O3材料p型掺杂困难，将n型Ga2O3材料与p型半导体材料进行异质集成后电学性能受限的问题，对Ga2O3材料在双极型器件领域的应用意义重大，大大拓展Ga2O3材料的应用范围。
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公开(公告)号：CN115206811A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202110379342.9
申请日：2021-04-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种异质键合结构及制备方法，通过对异质衬底进行离子注入与退火，在异质衬底中形成结构松散层，以容纳亲水性键合过程中界面处产生的水汽，以及离子束剥离与转移工艺中键合界面处的离子和气体分子，解决了亲水性键合过程中键合界面处水汽聚集引起的起泡问题和利用离子束剥离与转移技术进行半导体材料异质集成时注入离子聚集在键合界面处引起的电场拥簇和起泡的问题，优化了异质键合工艺，提高了异质衬底与键合材料的界面质量，以及利用该异质键合结构制成的器件的可靠性，对由异质键合结构制成的器件的发展意义重大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119517737A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411509691.8
申请日：2024-10-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/265 , H01L21/02 , H01L21/223 , H01L21/306 , H10D84/03
Abstract: 本申请实施例提供了一种碳基半导体薄膜材料的制备方法，首先通过键合经过离子注入的半导体和具有介质层的硅基衬底，得到硅基半导体材料，通过在硅基衬底上制备用于介质层释放的通孔，为介质层释放提供来自于支撑衬底的通孔，解决了现有技术中介质层释放需要通过将半导体薄膜图案化来提供通道的问题，突破了转印半导体薄膜的尺寸限制，进而实现大面积半导体异质集成材料的制备。此外，通过转印这种范德华集成方法制备的异质材料在界面处几乎没有非晶过渡区域，对于组成材料的种类没有限制，不受晶格失配、热失配等物理因素影响。
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公开(公告)号：CN115831877A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211599584.X
申请日：2022-12-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/8256 , H01L27/088 , H01L23/373
Abstract: 本发明提供一种基于异质集成的氧化镓cascade结构及制备方法，通过异质集成的方法将无法实现P型掺杂的氧化镓半导体材料与增强型器件相集成制备cascade结构，并且cascade结构是制备在兼具有高散热能力的衬底上，基于此可制备增强型级联功率器件、且可实现高导热，从而解决氧化镓无法制备常关器件和散热的问题。
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公开(公告)号：CN119943654A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411952083.4
申请日：2024-12-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/18 , H01L21/265
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种异质结构的制备方法及异质结构。通过将具有缺陷层的第一目标衬底与过渡衬底进行键合、退火剥离处理，得到中间异质结构，该中间异质结构包括层叠的过渡衬底和目标薄膜，后续，对中间异质衬底进行离子注入，并将中间异质衬底与第二目标衬底进行键合、退火剥离处理，并去除剥离处理后的所属过渡衬底的薄膜层，得到包括层叠的第二目标衬底和目标薄膜的目标异质结构。从而可以有效降低第一目标衬底的薄膜与第二目标衬底之间的异质界面应力，进而实现第一目标衬底的薄膜与第二目标衬底直接的异质集成。
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公开(公告)号：CN115295404B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202210943233.X
申请日：2022-08-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/18 , H01L21/283
Abstract: 本发明提供一种Ga2O3基异质集成pn结的制备方法，其包括将n型Ga2O3晶片和p型半导体晶片的至少一种作为待剥离材料，自待剥离材料的抛光面进行离子注入，形成缺陷层；将n型Ga2O3晶片与p型半导体晶片的抛光面键合；退火处理并沿缺陷层剥离，去除表面损伤层，进行同质外延，进行金属沉积并进行退火。本发明的制备方法通过离子束剥离与转移以及外延工艺，将n型Ga2O3转移到p型半导体晶片上，解决现有技术中Ga2O3材料p型掺杂困难，将n型Ga2O3材料与p型半导体材料进行异质集成后电学性能受限的问题，对Ga2O3材料在双极型器件领域的应用意义重大，大大拓展Ga2O3材料的应用范围。
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公开(公告)号：CN117577518A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311555216.X
申请日：2023-11-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02 , H01L23/373
Abstract: 本发明提供一种金刚石基氧化镓半导体结构及其制备方法，在金刚石衬底上制备碳化硅层，形成金刚石‑碳化硅复合结构，并将碳化硅层作为中间层，用于与氧化镓材料的异质集成，形成金刚石‑碳化硅‑氧化镓复合结构，从而可提供散热性能良好、易键合且键合强度高，可批量化生产的金刚石基氧化镓半导体结构。
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