一种降低异质结构薄膜退火热应力的方法

    公开(公告)号:CN111799215A

    公开(公告)日:2020-10-20

    申请号:CN202010602620.8

    申请日:2020-06-29

    Abstract: 本发明涉及半导体技术领域,本发明公开了一种降低异质结构薄膜退火热应力的方法。该方法的具体步骤如下:提供异质衬底和支撑衬底;通过低热导率介质对该异质衬底和该支撑衬底进行键合,形成介质层键合衬底;将该介质层键合衬底置于退火炉中进行退火,该异质衬底的退火曲线满足第一预设公式,该支撑衬底的退火曲线满足第二预设公式,以使该异质衬底退火时的热膨胀量等于该支撑衬底退火时的热膨胀量。本发明提供的上述降低异质结构薄膜退火热应力的方法具有降低薄膜退火热应力,进而提高不同衬底之间的键合力和薄膜质量的特点。

    氧化镓半导体结构、垂直型氧化镓基功率器件及制备方法

    公开(公告)号:CN111223782B

    公开(公告)日:2020-10-20

    申请号:CN201911174463.9

    申请日:2019-11-26

    Abstract: 本发明提供一种氧化镓半导体结构、垂直型氧化镓基功率器件及制备方法,通过键合和减薄,将非故意掺杂的氧化镓层转移到高掺杂、高导热的异质衬底上,通过对氧化镓层的表面处理及离子注入,可获得重掺氧化镓层,制备包括依次叠置异质衬底、氧化镓层及重掺氧化镓层的氧化镓半导体结构;在基于氧化镓半导体结构制备的垂直型氧化镓基功率器件中,由于中间层为较厚的氧化镓层,且相较于重掺氧化镓层,载流子浓度较低,设计上增加了器件的击穿电压,且由于高导热的异质衬底可提高器件的散热能力,其次器件多Fin的结构可提供大电流,对未来垂直型氧化镓基高功率器件的发展有极其重要的意义。

    氧化镓半导体结构、MOSFET器件及制备方法

    公开(公告)号:CN110854062A

    公开(公告)日:2020-02-28

    申请号:CN201911175985.0

    申请日:2019-11-26

    Abstract: 本发明提供一种氧化镓半导体结构、MOSFET器件及制备方法,其中,氧化镓半导体结构包括硅衬底、介电层及氧化镓薄膜,通过具有高介电常数的介电层,将氧化镓单晶晶片与具有高热导率的硅衬底键合,采用该方法键合技术成熟,且介电层可阻挡电子向衬底迁移,能够有效解决高温环境下器件性能下降的问题,从而可制备具有高导热性、耐击穿电压高及高温下性能稳定的氧化镓半导体结构。本发明解决了氧化镓同质衬底导热性差、氧化镓与硅衬底耐击穿电压低及氧化镓与氧化硅衬底键合技术不成熟等问题,极大的提高了氧化镓器件的性能和设计灵活性,且采用业界最重要的硅衬底,对氧化镓器件的快速发展意义重大。

    一种硅基激光器及其制备、解理方法

    公开(公告)号:CN111262125B

    公开(公告)日:2021-05-11

    申请号:CN202010062567.7

    申请日:2020-01-19

    Abstract: 本申请涉及一种硅基激光器及其制备、解理方法,该解理方法通过获取硅衬底;将硅衬底的顶面沿第一方向刻蚀出多个第一脊条,得到刻蚀后的硅衬底;在硅衬底上形成Ⅲ‑Ⅴ族薄膜层;在Ⅲ‑Ⅴ族薄膜层外延生长形成激光器层;将激光器层的顶面沿第二方向刻蚀出多个第二脊条,得到硅基激光器;第二方向与第一方向互相垂直;将硅基激光器沿第二方向进行分割,得到多个硅基激光器长条。对于多个硅基激光器长条的每个硅基激光器长条:由于相邻的第一脊条之间有沟槽,硅衬底在沟槽底部较薄,因此在多个第一脊条中相邻的两个第一脊条之间施加外力,使得硅基激光器长条沿第一方向自然解理,如此,可以获得平整的激光器腔面,可以提高硅基激光器的解理效率。

    氧化镓半导体结构、日盲光电探测器及制备方法

    公开(公告)号:CN111312852B

    公开(公告)日:2020-10-20

    申请号:CN201911174467.7

    申请日:2019-11-26

    Abstract: 本发明提供一种氧化镓半导体结构、日盲光电探测器及制备方法,通过将氧化镓单晶晶片与绝缘体上硅中的顶层硅进行键合,可成功转移氧化镓薄膜,键合技术成熟,且通过将绝缘体上硅中的顶层硅氧化,能够有效解决漏电问题,可制备高质量、防漏电的氧化镓半导体结构,提高基于氧化镓半导体结构制备的器件性能,重要的是将氧化镓薄膜转移到硅衬底上,使得器件不仅能与CMOS工艺兼容,而且可以实现量产,对于基于氧化镓薄膜制备的日盲光电探测器的快速发展意义重大。

    一种硅基激光器及其制备、解理方法

    公开(公告)号:CN111262125A

    公开(公告)日:2020-06-09

    申请号:CN202010062567.7

    申请日:2020-01-19

    Abstract: 本申请涉及一种硅基激光器及其制备、解理方法,该解理方法通过获取硅衬底;将硅衬底的顶面沿第一方向刻蚀出多个第一脊条,得到刻蚀后的硅衬底;在硅衬底上形成Ⅲ-Ⅴ族薄膜层;在Ⅲ-Ⅴ族薄膜层外延生长形成激光器层;将激光器层的顶面沿第二方向刻蚀出多个第二脊条,得到硅基激光器;第二方向与第一方向互相垂直;将硅基激光器沿第二方向进行分割,得到多个硅基激光器长条。对于多个硅基激光器长条的每个硅基激光器长条:由于相邻的第一脊条之间有沟槽,硅衬底在沟槽底部较薄,因此在多个第一脊条中相邻的两个第一脊条之间施加外力,使得硅基激光器长条沿第一方向自然解理,如此,可以获得平整的激光器腔面,可以提高硅基激光器的解理效率。

    一种SiC基InP光子集成模块及其制备方法

    公开(公告)号:CN111146681A

    公开(公告)日:2020-05-12

    申请号:CN201911320620.2

    申请日:2019-12-19

    Abstract: 本申请提供一种SiC基InP光子集成模块的制备方法,包括以下步骤:获取单晶SiC衬底层;在单晶SiC衬底层上制备Fe掺杂的InP薄膜层,形成异质衬底;在异质衬底上采用异质外延生长方法依次层叠制备波导层和有源层;对有源层进行光栅刻蚀并在有源层上制备电极接触层;对波导层、有源层和电极接触层进行刻蚀,制备分布式反馈激光器,并制备放大器和调制器中的任意一种;采用选区外延方法在Fe掺杂的InP薄膜层上依次制备波导接触层和探测器结构;对探测器结构进行刻蚀,制备探测器。本申请实施例提供的SiC基InP光子集成模块的制备方法中,将InP与SiC基衬底结合,制备了低热阻,低失配的SiC基InP光子集成模块。

    一种降低异质结构薄膜退火热应力的方法

    公开(公告)号:CN111799215B

    公开(公告)日:2021-05-11

    申请号:CN202010602620.8

    申请日:2020-06-29

    Abstract: 本发明涉及半导体技术领域,本发明公开了一种降低异质结构薄膜退火热应力的方法。该方法的具体步骤如下:提供异质衬底和支撑衬底;通过低热导率介质对该异质衬底和该支撑衬底进行键合,形成介质层键合衬底;将该介质层键合衬底置于退火炉中进行退火,该异质衬底的退火曲线满足第一预设公式,该支撑衬底的退火曲线满足第二预设公式,以使该异质衬底退火时的热膨胀量等于该支撑衬底退火时的热膨胀量。本发明提供的上述降低异质结构薄膜退火热应力的方法具有降低薄膜退火热应力,进而提高不同衬底之间的键合力和薄膜质量的特点。

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