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公开(公告)号：CN118969640B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411449882.X
申请日：2024-10-17
Applicant: 无锡市华辰芯光半导体科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种半导体结构外延层的再生长方法，包括：提供刻蚀后的半导体结构；配制自组装有机溶液；将刻蚀后的半导体结构放入自组装有机溶液中，自组装有机溶液在半导体结构表面形成自组装单层膜，自组装单层膜作为钝化膜；将形成有自组装单层膜的半导体结构放入生长设备，加热至第一温度去除自组装单层膜；第一温度为自组装单层膜的分解温度；加热至第二温度在半导体结构表面进行再生长形成外延层；第二温度为外延层的生长温度。本发明提供的半导体结构外延层的再生长方法可以保证半导体结构表面形成外延层之前不会产生氧化层，提高外延层和半导体结构之间的界面质量，提高外延层生长的质量与效率，进而提升最终形成器件的电学性能和光学性能。
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公开(公告)号：CN119422298A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202380051922.2
申请日：2023-07-04
Applicant: 米尔森公司
Abstract: 一种半导体激光器芯片（101），包括：·衬底（105），所述衬底包括：o两个侧面（107），o下表面（109），o上表面（108），·至少两个半导体激光器（102），这两个激光器（102）分布在所述两个侧面（102）之间，其中两个相邻激光器（102）之间具有间距（E），所述衬底（101）具有宽度（l）和厚度（e），所述宽度（l）是所述衬底（105）的所述两个侧面（107）之间的距离，所述厚度（e）是垂直于所述宽度（l）在所述衬底（105）的所述下表面（109）和所述上表面（108）之间测量的距离，所述宽度（l）小于或等于所述厚度（e）的4倍。
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公开(公告)号：CN109378702B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN201811459288.3
申请日：2018-11-30
Applicant: 华天科技(西安)有限公司
Inventor： 庞宝龙
IPC: H01S5/02 , H01S5/0235 , H01S5/02208 , H01S5/02315 , H01S5/02345 , H01S5/40 , H01S5/42
Abstract: 本发明公开了一种VCSEL传感器封装结构及其封装方法，该结构将多个封装结构的基板集合在一块底板上，将多个封装结构的侧壁也集成在一个侧板上，该封装方法能够一次形成多个封装结构，且形成的封装结构尺寸一致，使得同时形成多个封装结构，效率高的同时，封装结构的尺寸一致，良品率高，成本降低。
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公开(公告)号：CN119401204A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411343071.1
申请日：2024-09-25
Applicant: 广西飓芯科技有限责任公司
Abstract: 本发明属于半导体激光器技术领域，具体涉及一种无损伤的半导体激光器腔面制备方法。该方法包括：定位半导体晶圆的晶向，得到半导体晶圆的最易解离面；刻蚀出平行于最易解离面的解离引导槽，在刻蚀过程中对解离引导槽的脊形保护区域的棱角处进行圆弧化过渡处理；利用解离引导槽，通过划片工艺和裂片工艺使半导体晶圆自然解离，得到光滑的半导体激光器腔面。本发明提供两种解离引导槽转折处圆弧过渡的技术方案，能够得到光滑平整无损伤高质量的半导体激光器腔面，在其镀完腔面膜后能够避免氮化镓等半导体材料与空气中的水汽、氧气等气体发生反应，提高了氮化镓等半导体激光器的使用寿命，能够得到可靠稳定的半导体激光器。
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公开(公告)号：CN119362136A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411930583.8
申请日：2024-12-26
Applicant: 湖南汇思光电科技有限公司
Abstract: 一种基于应力补偿技术的多层量子点激光器生长方法，包括：S1、将N型衬底去除氧化层，并分别进行N型GaAs缓冲层、N型AlvGa1‑vAs限制层以及GaAs波导层一生长；S2、在GaAs波导层一上分别进行InwGa1‑wAs量子阱、InAs量子点、InxGa1‑xAs盖层、GaAs盖层、GaAs间隔层一等的生长；S3、循环S2设定次数，从而实现多层量子点材料的生长；S4、在GaAs间隔层二上分别进行GaAs波导层二、P型AlzGa1‑zAs限制层以及P型GaAs金属接触层生长。本发明利用晶格常数较小的GaAsP材料，减少了InGaAs材料所带来的应力，以提高多层量子点激光器结构的均匀性和质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119050812A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411168520.3
申请日：2024-08-23
Applicant: 中国科学院西安光学精密机械研究所
Abstract: 本发明涉及半导体激光器技术领域，具体涉及一种O波段硅基三五族量子点窄线宽激光器及其制备方法。该O波段硅基三五族量子点窄线宽激光器，包括硅衬底层，在硅衬底层上依次层叠有缓冲层、下波导层、下限制层、量子点有源层、上限制层、上波导层、欧姆接触层以及电极层；所述上波导层和欧姆接触层形成脊形波导和在脊形波导至少一侧的光栅；所述量子点有源层包括InAs量子点层/InGaAs势垒层。本发明的O波段硅基三五族量子点窄线宽激光器具有线宽窄，反射容忍度高，温度稳定性高，阈值电流密度低等优点。
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公开(公告)号：CN114988346B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202210368099.5
申请日：2022-04-08
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供了一种MEMS激光雷达用VCSEL光源和MEMS微执行器的集成结构。MEMS微执行器采用电磁驱动的单轴对称结构，即MEMS微执行器的承载面和外框的中心重合，且通过两个悬臂梁与外框连接；驱动线圈和VCSEL光源的键合锚点、引线焊接点均设置在承载面上；驱动线圈在通电状态下，受到固定磁场的磁力作用使得承载面绕悬臂梁扭转，进而相对于外框运动；VCSEL光源位于承载面的正中心位置，即悬臂梁的中心线和承载面纵向中心线相交的点；要求VCSEL光源和承载面的中心重合误差应在0～5μm。本申请能在一定程度上增加MEMS激光雷达的扫描角度；不涉及金属镜面的制备，进而规避金属镜面引入的组件稳定性问题。
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公开(公告)号：CN118472780B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202410939996.6
申请日：2024-07-15
Applicant: 长春中科长光时空光电技术有限公司 , 江苏长光时空光电技术有限公司
Inventor： 张星
Abstract: 本发明涉及芯片加工技术领域，具体公开了一种激光芯片加工装置，包括覆膜机，覆膜机包括工作台，所述工作台的后端安装有薄膜架，工作台的中部安装有置物盘，工作台上方设置有切膜装置，所述工作台上沿前后方向滑动安装有滑动架，所述滑动架的后侧安装有用于按压保护膜的压辊，所述滑动架的两端均安装有用于分别向拉动膜片的拉辊组件，所述拉辊组件包括固定轴，固定轴与滑动架之间安装有单向转动机构，传动组件使拉块沿闭环滑槽滑动，与保护膜相接触的扇形块被弹性件拉着向远离置物盘的方向运动，从而使保护膜两端受到相反方向的拉力，使保护膜保持紧绷，避免覆膜的时候出现皱褶。
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公开(公告)号：CN112117635B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202010080884.1
申请日：2020-02-05
Applicant: 富士胶片商业创新有限公司
Inventor： 井口大介
IPC: H01S5/02 , H01S5/0239 , H01S5/042 , H01S5/183
Abstract: 一种发光装置，发挥能够提供与将向发光元件供给驱动电流的电容元件设置于基板上的结构相比，驱动电路的电感减少的发光装置的效果。发光装置具备：基板；设置在所述基板上的发光元件、驱动该发光元件的驱动元件及连接该发光元件与该驱动元件的驱动配线；及以俯视观察时至少一部分与所述驱动配线重叠的方式设置在所述基板内部，并经由与所述驱动配线对置的所述基板内部的内部配线向所述发光元件供给驱动电流的电容元件。
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公开(公告)号：CN118825764A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202411302717.1
申请日：2024-09-19
Applicant: 安捷芯科技有限公司
IPC: H01S5/02
Abstract: 一种优化Bar条切割的加工方法，包括；S1，于贴片平台上贴付UV膜；S2，于UV膜上贴付玻璃底板；S3，利用玻璃底板增加的高度对整体Bar条进行切割，本申请主要针对切割工序芯片切割底部破损及提高物料利用率问题，通过结合现有切割方法，改善一种适合于芯片切割的加工方法，主要针对芯片切割底部破损和提高物料利用率，在有效减少芯片底部破损的同时提升产品良率、生产效率和降低成本。
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