公开(公告)号：CN116646247A

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN202310678551.2

申请日：2023-06-09

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 欧欣 ,  石航宁 ,  游天桂 ,  伊艾伦 ,  刘旭冬

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L29/32 ,  H01L21/265 ,  H01L21/266

Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种氮化镓高电子迁移率晶体管的制备方法。该制备方法包括先对氮化镓单晶衬底的顶面进行氧化处理，以形成氧化镓层，并通过离子注入，以及剥离转移、抛光工艺得到抛光后结构，在抛光后结构的氮化镓层上依次生长氮化镓沟道层和铝镓氮势垒层，得到第一结构；在第一结构的顶面制备源电极、漏电极和栅电极。上述制备方法得到的氮化镓高电子迁移率晶体管具有器件的击穿电压高、防漏电性能好和散热能力强的特点。

公开(公告)号：CN117153673A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202311212465.9

申请日：2023-09-19

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 游天桂 ,  刘旭冬 ,  欧欣 ,  石航宁 ,  覃晴程

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/265

Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种异质键合结构、半导体器件及其制备方法。方案包括获取器件晶片；朝向器件晶片的第一键合面进行第一离子注入形成预设深度的体积型缺陷；第一离子注入的离子是与器件晶片的材料元素相同的离子；朝向第一键合面进行第二离子注入，以在体积型缺陷处形成缺陷层；获取支撑衬底，支撑衬底具有第二键合面，通过第一键合面与第二键合面将器件晶片与支撑衬底键合，得到第一异质键合结构；将第一异质键合结构沿缺陷层剥离部分器件晶片，得到目标异质键合结构。本发明可控制第二离子注入的离子注入剂量不会过高；且第二离子注入的离子能够增大体积型缺陷内部的压强，提高异质键合结构中薄膜剥离转移的效率及质量。

公开(公告)号：CN117373912A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202311508833.4

申请日：2023-11-13

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 游天桂 ,  覃晴程 ,  欧欣 ,  石航宁 ,  刘旭冬

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/265

Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种异质衬底的制备方法及异质衬底、半导体器件。通过先在异质衬底中的氮化铝或者氮化镓中进行离子注入，以在氮化铝或者氮化镓中形成缺陷层，将其与支撑衬底进行键合后，再利用激光剥离的方法使氮化铝或者氮化镓转移到支撑衬底上，由于无需通过高温退火剥离阶段，避免极大热应力的产生，激光作用于损伤层，提高氮化铝或者氮化镓吸收激光的效率，实现高效率剥离。

公开(公告)号：CN117711925A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202311740473.0

申请日：2023-12-18

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 游天桂 ,  丁佳欣 ,  欧欣 ,  石航宁 ,  刘旭冬

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/78 ,  H01L29/20

Abstract: 本发明涉及一种GaN衬底的制备方法，使用本发明方法获得的低质量GaN上键合高质量GaN的衬底，既能保持GaN衬底的特性，又能有一层高质量的GaN层，高质量GaN层有助于后续的外延等工作。

公开(公告)号：CN117293019A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202311232162.3

申请日：2023-09-21

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 欧欣 ,  刘旭冬 ,  石航宁 ,  游天桂 ,  覃晴程

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/18 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明涉及一种基于翘区的异质集成剥离方法，包括：步骤S1，提供晶圆样品，所述晶圆样品具有第一表面和第二表面；步骤S2，从所述晶圆样品的第一表面进行第一离子注入，形成具有翘区的晶圆样品；步骤S3，提供支撑衬底，所述支撑衬底具有第一表面和第二表面；步骤S4，所述从支撑衬底的第二表面进行第二离子注入，形成具有翘区的支撑衬底；步骤S5，将具有翘区的晶圆样品的第一表面与具有翘区的支撑衬底的第二表面进行键合，得到键合对；步骤S6，对所述键合对进行退火剥离处理，得到异质集成结构。本发明能够降低退火剥离过程中晶圆样品和衬底解键合的可能性。

公开(公告)号：CN117080122A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202311069154.1

申请日：2023-08-23

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 欧欣 ,  石航宁 ,  游天桂 ,  覃晴程 ,  刘旭冬

IPC: H01L21/67 ,  H01L23/00

Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种异质键合结构制备方法、异质键合结构及半导体器件。在第一衬底的预设深度形成缺陷层后，将第一衬底与第二衬底键合得到第一异质键合结构；将第一衬底减薄至目标厚度；刻蚀第一衬底，以在第一衬底上形成阵列沟槽；对所述第一异质键合结构进行退火处理，沿缺陷层剥离部分第一衬底，得到目标异质键合结构。通过在退火剥离之前先将第一衬底减薄，这样高温退火过程中尽可能大幅减小热失配应力，避免解键合情况的发生，在第一衬底上刻蚀形成阵列沟槽，吸收释放退火工艺引起的形变，进一步减小应力，避免第一衬底的碎裂。