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公开(公告)号：CN116741634B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202310737343.5
申请日：2023-06-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请公开了一种双极型功率器件及其制备方法，该方法通过在高质量的碳化硅单晶衬底上的外延层与其中的剥离层之间制作嵌有掺杂子区的阱区，并与低质量的中间碳化硅衬底进行一次键合；沿剥离层剥离包含碳化硅单晶衬底在内的部分器件结构并对剥离表面进行后处理，暴露经剥离的外延层中的第二面并对其进行导电处理，形成第二器件结构；将具有双面注入层的硅衬底与倒置的第二器件结构进行二次键合；去掉中间碳化硅衬底并激活键合界面，并制备电极层以形成双极型功率器件。从而在克服硅基制备碳化硅材料困难的基础上，降低碳化硅单片成本，提供了一种用于低成本制备高耐压的双极型功率器件器件的解决方案。
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公开(公告)号：CN114527587B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202210099645.X
申请日：2022-01-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02F1/11
Abstract: 本申请公开了一种声光耦合衬底、器件及器件制备方法，其中，一种声光耦合衬底，包括依次层叠设置的衬底层、介质层、声学层和光学层：衬底层的材料包括硅；介质层的材料包括二氧化硅；声学层的材料包括高质量氮化铝，高质量是指在X射线衍射测试中，晶向半高宽小于150弧秒；光学层的材料包括碳化硅。本声光耦合衬底、器件通过直接键合形成，改善了目前利用离子束技术制备硅基碳化硅薄膜的离子损伤的问题，同时实现了硅基高单晶质量的声学器件层和光学器件层的晶圆级异质集成。
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公开(公告)号：CN117572561A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311597089.X
申请日：2023-11-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B6/12
Abstract: 本申请公开了一种异质集成结构及制备方法，包括提供第一衬底，所述第一衬底包括光电层、光学隔离层和基底，所述光学隔离层位于所述基底与所述光电层之间；在所述光电层背离所述光学隔离层的表面形成光场调控层；所述光电层和所述光场调控层中二者择一的热光系数为正值，另一的热光系数为负值。本申请采用其一热光系数为正值、另一为负值的光电层和光场调控层相结合，调节异质集成结构中的光场分布，以修正温度变化带来的光学性能改变及器件性能抖动，大大降低异质集成材料整体的温度敏感性，热稳定性好。
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公开(公告)号：CN111217359B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201811403473.0
申请日：2018-11-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明涉及一种Si基衬底异质集成石墨烯的制备方法，包括：提供一Si基衬底，在所述Si基衬底上表面形成介质层；提供一复合结构，所述复合结构包括牺牲衬底以及覆盖于所述牺牲衬底上表面的金属层；在所述复合结构上表面沉积石墨烯薄膜，形成覆盖所述金属层的石墨烯层；将所述Si基衬底覆盖有所述介质层的一面与所述复合结构上覆盖有所述石墨烯薄膜的一面进行键合；采用腐蚀工艺腐蚀所述金属层，以实现所述牺牲衬底的分离，使得石墨烯薄膜转移到Si基衬底上。本发明将石墨烯薄膜转移至Si基衬底上，解决了石墨烯薄膜与Si基衬底晶圆级集成的问题，为石墨烯在微电子器件领域的应用提供支撑。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116880009A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310878973.4
申请日：2023-07-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及集成光子学技术领域，尤其涉及一种碳化硅微盘谐振器、制备方法及光通信设备。谐振器包括碳化硅器件层；碳化硅器件层包括微盘谐振腔、波导和至少一个光栅；微盘谐振腔内形成有预设类型的色心；波导包括连接端和至少一个光栅耦合端，连接端与微盘谐振腔的边沿相接，每个光栅耦合端对应连接一个光栅；波导用于将输入光栅的激发光波传输至微盘谐振器，以激发色心发光；波导还用于耦合色心所发出的色心荧光，并将色心荧光传输到光栅；光栅用于接收输入激发光波，以及将色心荧光发射出微盘谐振器。通过在碳化硅器件层中集成微盘谐振腔、波导和光栅，可以直接将预设类型色心发出的光耦合发射出来，实现对碳化硅材料中的自旋缺陷的利用。
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公开(公告)号：CN116759312A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310686283.9
申请日：2023-06-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/335 , H01L29/06 , H01L29/778
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种氮化镓电流孔径垂直型电子器件的制备方法。通过在氮化镓单晶衬底中形成缺陷层，以及在氮化镓单晶衬底的存在预设间隔距离的两个预设区域分别制备一个电流阻挡结构；电流阻挡结构的材料包括介质材料和超宽禁带材料；将氮化镓单晶衬底的顶部与支撑衬底进行键合，并依次进行退火剥离和抛光处理，再依次外延氮化镓沟道层和铝镓氮势垒层和制备电极层。上述制备方法得到的器件具有能够承受较大的击穿电压，不易发生穿通漏电的特点。
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公开(公告)号：CN111564534A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010264527.0
申请日：2020-04-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种单光子源的制备方法及单光子源和集成光学器件，本发明通过在SiC晶圆 面形成氧化硅保护层；在氧化硅保护层上制备掩膜；对SiC晶圆进行离子注入形成缺陷层；去除掩膜；将注入结构沿氧化硅保护层表面与另一带介质层的衬底键合；对键合结构退火；对剥离得到的表面SiC薄膜做后处理，再进行离子注入的方法步骤，将SiC薄膜经离子注入转移至衬底上，有利于避免注入损伤，有效克服了现有的SOI工艺制备的SiC薄膜因离子注入缺陷造成薄膜质量差、无法制备单光子源以及光损耗严重的问题，得到的单晶SiC薄膜和可控单光子源阵列具有高均匀性，高质量性，有利于制备高性能SiC基集成光学器件。
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公开(公告)号：CN111540710A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010393159.X
申请日：2020-05-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/78 , H01L21/67 , H01L23/373 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及一种高导热氮化镓高功率HEMT器件的制备方法，其包括如下步骤：S1，提供生长有氮化镓的硅基异质集成碳化硅单晶薄膜结构，该生长有氮化镓的硅基异质集成碳化硅单晶薄膜结构包括氮化镓单晶薄膜、碳化硅单晶薄膜和第一硅支撑衬底；S2，通过柔性衬底或硬质衬底将氮化镓从第一硅支撑衬底转移到金属衬底上以得到高导热氮化镓高功率HEMT器件，该高导热氮化镓高功率HEMT器件包括氮化镓器件、碳化硅单晶薄膜和金属衬底。根据本发明的高导热氮化镓高功率HEMT器件的制备方法，通过转移将氮化镓转移到高绝缘高导热的金属衬底上，从而使得碳化硅单晶薄膜上生长的氮化镓器件在长时间工作状态下保持其器件性能。
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公开(公告)号：CN113130376B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202110395087.7
申请日：2021-04-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L21/78
Abstract: 本申请涉及一种多层异质单晶薄膜衬底的制备方法，该方法包括步骤S101～S107，通过该步骤S101～S107可以实现任意多层异质单晶薄膜衬底结构，且各异质单晶薄膜间的结合为范德华力结合，异质单晶薄膜之间的键合十分牢固；另外，本申请实施例提供的一种任意多层异质单晶薄膜衬底的制备方法，可将多种具有不同功能的薄膜集成于一片衬底，用于多功能三维异质集成芯片的实现。
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