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公开(公告)号：CN117008320A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310838942.6
申请日：2023-07-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B26/00
Abstract: 本发明涉及一种基于碳化硅色心的牛眼腔双轴应力调控装置及其制备方法，首次提出碳化硅色心双轴应力调控的方案，可以同时在色心与牛眼腔微腔耦合的同时对色心进行调控。双轴应力调控相比与单轴应力调控自由度更大，调制幅度更大。本发明有效验证了应力场下色心哈密顿量和自旋量子态的理论模型，对碳化硅色心超高精度量子传感应用具有重大意义。
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公开(公告)号：CN115274943A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210932216.6
申请日：2022-08-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种混合集成单光子LED器件的制备方法，包括步骤：S1依次在第一衬底上生长缓冲层、牺牲层和P‑I‑N结构，得到第一薄膜；S2沉积第一金属图案，并进行腐蚀或刻蚀，获得第二薄膜；S3对牺牲层进行湿法腐蚀或干法刻蚀，获得第三薄膜；S4拾起第三薄膜并翻转180°；S5在第二衬底上沉积第二金属图案；S6将第一金属图案与第二金属图案对准与接触，进行金‑金键合，得到第四薄膜；S7沉积第三金属图案，得到混合集成单光子LED器件。本发明的混合集成单光子LED器件的制备方法，利用金‑金键合方式解决了转移后的薄膜与衬底之间的粘附性不足的问题，且后续的电极工艺无需生长绝缘层，有效地简化了工艺流程。
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公开(公告)号：CN114142946A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111436608.5
申请日：2021-11-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请实施例所公开的一种集成量子纠缠光源的光量子芯片的制备方法及其结构，制备方法包括获取待刻蚀结构和待转移结构，该待刻蚀结构自下而上依次包括基底、牺牲层和待刻蚀层，待转移结构的上表面包括待转移区域和待刻蚀区域，进而对待刻蚀结构进行刻蚀处理，使得在待刻蚀层形成波导光栅耦合结构，得到待腐蚀结构，并对待腐蚀结构进行腐蚀处理，去除牺牲层，得到量子点薄膜，之后将量子点薄膜转移至待转移结构上的待转移区域，并在待刻蚀区域刻蚀出待施压区域，得到光量子芯片。基于本申请实施例通过在待刻蚀区域上刻蚀待施压区域以施加驱动电压，通过压电效应来调控精细结构分裂，提高量子纠缠光源的产率，实现片上量子纠缠光源的光量子芯片。
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公开(公告)号：CN115356806B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202210926873.X
申请日：2022-08-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种能够控制铌酸锂波导侧壁倾角的刻蚀方法，包括：提供预先制备的LNOI片作为衬底；在LNOI片的表面沉积SiO2层，作为刻蚀波导层的SiO2硬掩模；在SiO2层的表面旋涂双层电子束胶，并在LNOI片上限定出波导图案；在双层电子束胶的表面以及曝光出波导图案的区域沉积金属层，并将波导图案转移至金属层，作为刻蚀SiO2层的金属硬掩模；使用SF6和O2的混合气体对SiO2层进行刻蚀，并去除剩余的金属硬掩模；使用氯基气体和氩气的混合气体对波导层进行刻蚀，并调节氯基气体和氩气的比例，以对铌酸锂波导的侧壁倾角进行控制；去除剩余的SiO2硬掩模，并使用RCA标准清洗法进行清洗，获取最终的基于LNOI的铌酸锂波导。
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公开(公告)号：CN114137660A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111437447.1
申请日：2021-11-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请实施例所公开的一种混合集成光量子芯片的制备方法及其结构，其中制备方法包括获取待刻蚀结构和待转移结构，待刻蚀结构包括量子点层，待转移结构包括待转移区域，进而对待刻蚀结构进行刻蚀处理，使得在量子点层形成波导结构，之后利用聚合物拾取波导结构，并转移至待转移结构的待转移区域上，得到光量子芯片。基于本申请实施例利用聚合物拾取波导结构，并转移至待转移结构的待转移区域上，得到光量子芯片，可以提高耦合效率，减小芯片的体积。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111564534B
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202010264527.0
申请日：2020-04-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种单光子源的制备方法及单光子源和集成光学器件，本发明通过在SiC晶圆 面形成氧化硅保护层；在氧化硅保护层上制备掩膜；对SiC晶圆进行离子注入形成缺陷层；去除掩膜；将注入结构沿氧化硅保护层表面与另一带介质层的衬底键合；对键合结构退火；对剥离得到的表面SiC薄膜做后处理，再进行离子注入的方法步骤，将SiC薄膜经离子注入转移至衬底上，有利于避免注入损伤，有效克服了现有的SOI工艺制备的SiC薄膜因离子注入缺陷造成薄膜质量差、无法制备单光子源以及光损耗严重的问题，得到的单晶SiC薄膜和可控单光子源阵列具有高均匀性，高质量性，有利于制备高性能SiC基集成光学器件。
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公开(公告)号：CN111540684A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010393966.1
申请日：2020-05-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/10
Abstract: 本发明提供一种金刚石基异质集成氮化镓薄膜与晶体管的微电子器件及其制备方法，包括以下步骤：S1，提供具有注入面的氮化镓单晶晶片；S2，从注入面向氮化镓单晶晶片进行氢离子注入，使得注入离子到达预设深度并形成注入缺陷层，上方形成氮化镓单晶薄膜；S3，将氮化镓单晶薄膜与金刚石支撑衬底键合；S4，退火处理使沿着所述注入缺陷层剥离，注入缺陷层形成损伤层；S5，表面处理以除去损伤层；以及S6，在氮化镓单晶薄膜表面进行同质外延生长制备晶体管，即得。根据本发明制备的金刚石基氮化镓晶体管在性能上大大提升，具有高电子迁移率、散热能力强的特性，可在高频率、高功率状态下长时间稳定工作，相对现有技术具有非常显著的优越性。
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公开(公告)号：CN116880009A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310878973.4
申请日：2023-07-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及集成光子学技术领域，尤其涉及一种碳化硅微盘谐振器、制备方法及光通信设备。谐振器包括碳化硅器件层；碳化硅器件层包括微盘谐振腔、波导和至少一个光栅；微盘谐振腔内形成有预设类型的色心；波导包括连接端和至少一个光栅耦合端，连接端与微盘谐振腔的边沿相接，每个光栅耦合端对应连接一个光栅；波导用于将输入光栅的激发光波传输至微盘谐振器，以激发色心发光；波导还用于耦合色心所发出的色心荧光，并将色心荧光传输到光栅；光栅用于接收输入激发光波，以及将色心荧光发射出微盘谐振器。通过在碳化硅器件层中集成微盘谐振腔、波导和光栅，可以直接将预设类型色心发出的光耦合发射出来，实现对碳化硅材料中的自旋缺陷的利用。
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公开(公告)号：CN115320271B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202210933454.9
申请日：2022-08-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种半导体薄膜的转移印刷方法，包括步骤：S1获得具有第一图案的半导体薄膜；S2：在柔性材料表面加工出第二光刻胶；S3：将第二光刻胶与半导体薄膜对准并接触，然后加热并施压，使得第二光刻胶与半导体薄膜表面充分接触；S4：停止加热，降至室温后通过柔性材料将半导体薄膜拾起；S5：将半导体薄膜转移到第二衬底上，加热并施压，使部分第二光刻胶与第二衬底接触并覆盖半导体薄膜；S6：待第二衬底降至室温后将柔性材料缓慢提起；S7：洗去第二光刻胶，使半导体薄膜留在第二衬底上，完成转移。本发明的半导体薄膜的转移印刷方法，通过第二光刻胶与半导体薄膜粘接来进行辅助转移，能有效提高转移印刷的成功率。
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