-
公开(公告)号：CN117153673A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311212465.9
申请日：2023-09-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/18 , H01L21/265
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种异质键合结构、半导体器件及其制备方法。方案包括获取器件晶片；朝向器件晶片的第一键合面进行第一离子注入形成预设深度的体积型缺陷；第一离子注入的离子是与器件晶片的材料元素相同的离子；朝向第一键合面进行第二离子注入，以在体积型缺陷处形成缺陷层；获取支撑衬底，支撑衬底具有第二键合面，通过第一键合面与第二键合面将器件晶片与支撑衬底键合，得到第一异质键合结构；将第一异质键合结构沿缺陷层剥离部分器件晶片，得到目标异质键合结构。本发明可控制第二离子注入的离子注入剂量不会过高；且第二离子注入的离子能够增大体积型缺陷内部的压强，提高异质键合结构中薄膜剥离转移的效率及质量。
-
公开(公告)号：CN117637476A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311746500.5
申请日：2023-12-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L21/683 , H01L21/78
Abstract: 本发明涉及一种晶圆键合方法，通过在外延生长GaN/AlN的过程中，引入富氢的GaN/AlN介质层，进一步达到降低剥离过程中离子注入剂量的方法，以提高剥离下来的GaN/AlN薄膜的质量，达到更好的异质集成效果。
-
公开(公告)号：CN117153674A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311213692.3
申请日：2023-09-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/18 , H01L21/265
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种异质集成结构制备方法、异质集成结构及半导体集成器件。方案包括获取预设数量的第一晶片，将每个第一晶片进行图形化切割，得到预设数量的第二晶片；将预设数量的第二晶片的第一面按照预设排列方式贴合在晶片载具上；朝向每个第二晶片进行离子注入，形成缺陷层；获取支撑衬底，将预设数量的第二晶片的第二面分别与支撑衬底进行键合，得到第一异质集成结构；将第一异质集成结构沿每个第二晶片的缺陷层进行剥离，以去除每个第二晶片的部分以及晶片载具，得到目标异质集成结构。本发明能减小离子注入引起的形貌变化，减小热失配应力，避免解键合，解决小尺寸晶片工艺不兼容的问题，实现异质集成。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117373912A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311508833.4
申请日：2023-11-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/18 , H01L21/265
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种异质衬底的制备方法及异质衬底、半导体器件。通过先在异质衬底中的氮化铝或者氮化镓中进行离子注入，以在氮化铝或者氮化镓中形成缺陷层，将其与支撑衬底进行键合后，再利用激光剥离的方法使氮化铝或者氮化镓转移到支撑衬底上，由于无需通过高温退火剥离阶段，避免极大热应力的产生，激光作用于损伤层，提高氮化铝或者氮化镓吸收激光的效率，实现高效率剥离。
-
公开(公告)号：CN117293032A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311280434.7
申请日：2023-09-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/10
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种N极性氮化镓电子器件的制备方法及器件。该方法包括：获取第一器件结构；所述第一器件结构包括第一支撑衬底、氮化镓薄膜和铝镓氮背势垒层；将所述第一器件结构与第二支撑衬底键合，并去除所述第一支撑衬底和所述氮化镓薄膜，得到第二器件结构；根据第三支撑衬底的热膨胀系数和铝镓氮的热膨胀系数，确定目标键合温度控制方式；基于所述目标键合温度控制方式，将所述第三支撑衬底与所述第二器件结构中暴露的铝镓氮背势垒层表面进行键合；去除所述第二支撑衬底，得到氮化镓电子器件。该方法能够增强异质结结构中氮化镓的极化效应，提高异质结结构中二维电子气的密度，进而提升氮化镓电子器件的性能。
-
公开(公告)号：CN117293019A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311232162.3
申请日：2023-09-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/265 , H01L21/18 , H01L21/324
Abstract: 本发明涉及一种基于翘区的异质集成剥离方法，包括：步骤S1，提供晶圆样品，所述晶圆样品具有第一表面和第二表面；步骤S2，从所述晶圆样品的第一表面进行第一离子注入，形成具有翘区的晶圆样品；步骤S3，提供支撑衬底，所述支撑衬底具有第一表面和第二表面；步骤S4，所述从支撑衬底的第二表面进行第二离子注入，形成具有翘区的支撑衬底；步骤S5，将具有翘区的晶圆样品的第一表面与具有翘区的支撑衬底的第二表面进行键合，得到键合对；步骤S6，对所述键合对进行退火剥离处理，得到异质集成结构。本发明能够降低退火剥离过程中晶圆样品和衬底解键合的可能性。
-
公开(公告)号：CN117080122A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311069154.1
申请日：2023-08-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种异质键合结构制备方法、异质键合结构及半导体器件。在第一衬底的预设深度形成缺陷层后，将第一衬底与第二衬底键合得到第一异质键合结构；将第一衬底减薄至目标厚度；刻蚀第一衬底，以在第一衬底上形成阵列沟槽；对所述第一异质键合结构进行退火处理，沿缺陷层剥离部分第一衬底，得到目标异质键合结构。通过在退火剥离之前先将第一衬底减薄，这样高温退火过程中尽可能大幅减小热失配应力，避免解键合情况的发生，在第一衬底上刻蚀形成阵列沟槽，吸收释放退火工艺引起的形变，进一步减小应力，避免第一衬底的碎裂。
-
公开(公告)号：CN116759312A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310686283.9
申请日：2023-06-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/335 , H01L29/06 , H01L29/778
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种氮化镓电流孔径垂直型电子器件的制备方法。通过在氮化镓单晶衬底中形成缺陷层，以及在氮化镓单晶衬底的存在预设间隔距离的两个预设区域分别制备一个电流阻挡结构；电流阻挡结构的材料包括介质材料和超宽禁带材料；将氮化镓单晶衬底的顶部与支撑衬底进行键合，并依次进行退火剥离和抛光处理，再依次外延氮化镓沟道层和铝镓氮势垒层和制备电极层。上述制备方法得到的器件具有能够承受较大的击穿电压，不易发生穿通漏电的特点。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.044 seconds)
