公开(公告)号：CN117711925A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202311740473.0

申请日：2023-12-18

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 游天桂 ,  丁佳欣 ,  欧欣 ,  石航宁 ,  刘旭冬

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/78 ,  H01L29/20

Abstract: 本发明涉及一种GaN衬底的制备方法，使用本发明方法获得的低质量GaN上键合高质量GaN的衬底，既能保持GaN衬底的特性，又能有一层高质量的GaN层，高质量GaN层有助于后续的外延等工作。

公开(公告)号：CN117637476A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311746500.5

申请日：2023-12-19

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 游天桂 ,  丁佳欣 ,  欧欣 ,  石航宁 ,  覃晴程

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/778 ,  H01L21/683 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明涉及一种晶圆键合方法，通过在外延生长GaN/AlN的过程中，引入富氢的GaN/AlN介质层，进一步达到降低剥离过程中离子注入剂量的方法，以提高剥离下来的GaN/AlN薄膜的质量，达到更好的异质集成效果。

公开(公告)号：CN117293031A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202311280397.X

申请日：2023-09-28

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 欧欣 ,  石航宁 ,  游天桂 ,  丁佳欣 ,  伊艾伦

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/778 ,  H01L29/10

Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种Ga极性氮化镓电子器件的制备方法及器件。该方法包括：获取第一器件结构；将第一器件结构与第二支撑衬底键合，并去除第一支撑衬底，得到第二器件结构；根据第三支撑衬底的热膨胀系数和氮化镓的热膨胀系数，确定目标键合温度控制方式；将第三支撑衬底与第二器件结构中暴露的氮化镓薄膜表面进行键合，解除目标键合温度控制方式后，异质结结构中的氮化镓沟道层受到压应力；去除第二支撑衬底，得到Ga极性氮化镓电子器件。该方法可以增强氮化镓的极化效应，提高异质结结构中二维电子气的密度，进而提升Ga极性氮化镓电子器件的性能。

公开(公告)号：CN116613057A

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202310588832.9

申请日：2023-05-23

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 欧欣 ,  石航宁 ,  丁佳欣 ,  游天桂 ,  伊艾伦

IPC: H01L21/18

Abstract: 本申请涉及芯片领域，本申请公开了一种晶圆键合方法、结构及半导体器件，该方法包括：提供第一晶圆及第二晶圆，其中，第一晶圆具有第一键合面，第二晶圆具有第二键合面；在第一晶圆的第一键合面上刻蚀，得到第一凹凸结构；第一凹凸结构包含第一凸起和第一凹槽；在第二晶圆的第二键合面上刻蚀，得到第二凹凸结构；第二凹凸结构包含第二凸起和第二凹槽；基于第一凹凸结构和第二凹凸结构，将第一晶圆和第二晶圆对准后键合，其中，第一凸起对准第二凹槽，第一凹槽对准第二凸起。通过第一凹凸结构和第二凹凸结构之间凹凸对准且键合，能够降低晶圆键合强度对退火温度的依赖、提高键合强度和稳定性。

公开(公告)号：CN117153674A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202311213692.3

申请日：2023-09-19

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 游天桂 ,  覃晴程 ,  欧欣 ,  石航宁 ,  丁佳欣

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/265

Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种异质集成结构制备方法、异质集成结构及半导体集成器件。方案包括获取预设数量的第一晶片，将每个第一晶片进行图形化切割，得到预设数量的第二晶片；将预设数量的第二晶片的第一面按照预设排列方式贴合在晶片载具上；朝向每个第二晶片进行离子注入，形成缺陷层；获取支撑衬底，将预设数量的第二晶片的第二面分别与支撑衬底进行键合，得到第一异质集成结构；将第一异质集成结构沿每个第二晶片的缺陷层进行剥离，以去除每个第二晶片的部分以及晶片载具，得到目标异质集成结构。本发明能减小离子注入引起的形貌变化，减小热失配应力，避免解键合，解决小尺寸晶片工艺不兼容的问题，实现异质集成。