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公开(公告)号：CN118629871B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411095260.1
申请日：2024-08-12
申请人： TCL环鑫半导体(天津)有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/266
摘要： 本申请提供一种碳化硅超结MOSFET的制作方法，步骤包括：获取在外延片正面具有P‑well、N+和P+源区结构的基片；从基片背面离子注入P型柱，使P型柱与P‑well区相交，以获得具有MOSFET超结结构的基体；对外延片中的离子进行激活；再依次制作正面及背面电极。本申请一种碳化硅超结MOSFET的制作方法，在不影响器件结构的基础上，在外延层背面进行减薄刻蚀获得P型柱研磨图形，并通过在背面注入Al离子获得P型柱，以此获得具有MOSFET超结结构的基体，不仅刻蚀难度低，而且各工艺步骤简单、安全可控，亦不会出现填充空洞以及离子损伤的问题，还不会影响正面器件结构的性能，制作成本低，质量好。
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公开(公告)号：CN109473374B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN201710806283.2
申请日：2017-09-08
申请人： TCL环鑫半导体(天津)有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 一种带有药液循环装置的挖沟槽槽体，包括药液槽，所述药液槽底部设有药液槽进液系统，所述药液槽外部设有循环冷却系统，所述循环冷却系统的进口与所述药液槽连接；所述循环冷却系统的出口与循环泵浦连接，所述循环泵浦与所述药液槽进液系统连接；所述循环冷却系统与设置在所述药液槽旁边的冷水机组冷却连接。本申请的有益效果是：通过药液的外部循环和冷却，保证了药液浓度的均匀性以及药液温度的均匀性，从而更有利于刻蚀的均匀性，减少刻蚀深度的极差；进液口均匀孔的设计，进一步使得药液浓度和温度更具均匀性。
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公开(公告)号：CN111319346B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN201811533932.7
申请日：2018-12-14
申请人： TCL环鑫半导体(天津)有限公司
IPC分类号： B41F15/36
摘要： 本发明提供一种GPP芯片套印丝网印刷网版，包括第一印刷网版和第二印刷网版，所述第一印刷网版设有若干第一印刷沟道，所述第二印刷网版设有若干第二印刷沟道，所述第二印刷沟道宽度大于所述第一印刷沟道宽度。本发明还提供了一种GPP芯片套印丝网印刷工艺方法，依次分别通过第一印刷网版在硅片沟槽上印刷一层玻璃钝化层，通过第二印刷网版在硅片沟槽上再套印印刷一层蜡保护层，以保护沟槽上涂覆的玻璃钝化层，避免后续清洗硅片表面非沟槽部分上多余的玻璃浆料时受影响,可有效解决硅片表面上粘附多余玻璃浆料的问题，为后续硅片表面金属化扫清了障碍。本发明印刷效果可控，保证了GPP芯片的外观，提高了GPP芯片的电学性能，适合批量化生产。
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公开(公告)号：CN109473375B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN201710806305.5
申请日：2017-09-08
申请人： TCL环鑫半导体(天津)有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 一种利于均匀腐蚀的挖沟槽槽体，包括药液槽，所述药液槽内部设有旋转装置；所述药液槽底部设有药液槽进液系统；所述药液槽外部设有循环冷却系统，所述循环冷却系统的进口与所述药液槽连接；所述循环冷却系统的出口与循环泵浦连接，所述循环泵浦与所述药液槽进液系统连接；所述循环冷却系统与设置在所述药液槽旁边的冷水机组冷却连接。本申请的有益效果是：通过药液的外部循环和冷却，保证了药液浓度的均匀性以及药液温度的均匀性；硅片旋转装置的设计，可以使先进入药液进行腐蚀的硅片先被取出，从而保证了各个硅片腐蚀时间的一致，刻蚀深度更均匀，减少刻蚀深度的极差。
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公开(公告)号：CN109473373B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN201710805643.7
申请日：2017-09-08
申请人： TCL环鑫半导体(天津)有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/306
摘要： 一种用于挖沟槽的硅片旋转装置，包括槽体，所述槽体两端的底部分别设有固定架；所述固定架的内侧均设有翻转支座；所述固定架上设有传动机构，所述传动机构与对应的所述翻转支座固定连接；所述槽体两端侧壁外部均设有滚动调速马达，所述滚动调速马达与所述传动机构传动连接；所述翻转支座的两端分别设有锁紧机构。本申请的有益效果是：通过旋转装置带动硅片旋转，不仅可以搅拌挖沟槽槽体内的药液，使之更均匀，还可以将硅片翻转，底部硅片和顶部硅片进行位置调换，使先进入药液的硅片最先取出，从而保证硅片腐蚀时间的一致性；药液的均匀程度和硅片腐蚀时间的一致性都利于减少沟槽腐蚀深度的极差，从而提高整体挖沟槽品质。
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公开(公告)号：CN118629871A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202411095260.1
申请日：2024-08-12
申请人： TCL环鑫半导体(天津)有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/266
摘要： 本申请提供一种碳化硅超结MOSFET的制作方法，步骤包括：获取在外延片正面具有P‑well、N+和P+源区结构的基片；从基片背面离子注入P型柱，使P型柱与P‑well区相交，以获得具有MOSFET超结结构的基体；对外延片中的离子进行激活；再依次制作正面及背面电极。本申请一种碳化硅超结MOSFET的制作方法，在不影响器件结构的基础上，在外延层背面进行减薄刻蚀获得P型柱研磨图形，并通过在背面注入Al离子获得P型柱，以此获得具有MOSFET超结结构的基体，不仅刻蚀难度低，而且各工艺步骤简单、安全可控，亦不会出现填充空洞以及离子损伤的问题，还不会影响正面器件结构的性能，制作成本低，质量好。
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公开(公告)号：CN109560028B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN201710879175.8
申请日：2017-09-26
申请人： TCL环鑫半导体(天津)有限公司
IPC分类号： H01L21/673 , H01L21/677
摘要： 本发明提供圆形硅片装载装置，包括槽棍、第一吊装板和第二吊装板，第一吊装板和第二吊装板分别设置在槽棍两端，槽棍与第一吊装板、槽棍与第二吊装板均采用螺纹连接，第一吊装板和第二吊装板上均设置吊装口，吊装口设置在第一吊装板和第二吊装板的顶部，槽棍上设置片槽，片槽结构为下部具有固定槽的V形槽，固定槽的底部为平面。本发明的有益效果是两侧吊装板设置两处吊钩状吊装口，方便硅片装载装置的吊装运输，也能够保证硅片装载装置吊装过程的稳定性，同时留有导水口，装满硅片的硅片装载装置浸水时，减弱水浮力以及水对硅片挤压力，以防硅片被冲出硅片装载装置，致使不必要的损失。
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公开(公告)号：CN118866662A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410845140.2
申请日：2024-06-27
申请人： TCL环鑫半导体(天津)有限公司
IPC分类号： H01L21/04 , H01L23/373
摘要： 本申请提供一种提高碳化硅器件散热性能及导电性能的制备工艺，步骤包括：在衬底上刻蚀形成若干深孔槽；在深孔槽所在的表面制备一层石墨烯保护层。本申请一种提高碳化硅器件散热性能及导电性的制备工艺，在不影响正面工艺的基础上，在背面的碳化硅表面生长一层致密均匀的石墨烯，可大幅提高芯片的散热性能，增强其导热能力，保证芯片导热性和导电性的稳定性和可靠性，提高器件质量。
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公开(公告)号：CN118824847A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202411095261.6
申请日：2024-08-12
申请人： TCL环鑫半导体(天津)有限公司
IPC分类号： H01L21/266 , H01L21/329
摘要： 本发明提供一种改善碳化硅二极管表面接触的工艺方法，包括以下步骤，在衬底的外延层上制备掩膜层；进行第一次离子注入，形成第一离子注入区；对第一次离子注入后的衬底进行氧化，形成氧化层；进行第二次离子注入，形成第二离子注入区；去除掩膜层和氧化层。本发明的有益效果是掩膜层与未被掩膜层覆盖的外延层同时被氧化，形成氧化层，在第二次离子注入时，离子注入窗口的宽度减小，使得第二次掺杂区域位于第一次掺杂区域内部，不会出现在第一次掺杂区域与外延层相邻的边界区域，在得到欧姆接触面的同时不会破坏肖特基接触面额的表面状态，保证碳化硅二极管的生产良率。
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公开(公告)号：CN109560030B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN201710879428.1
申请日：2017-09-26
申请人： TCL环鑫半导体(天津)有限公司
IPC分类号： H01L21/677
摘要： 本发明提供一种自动圆形硅片倒片机，包括机架、第一处理室和第二处理室，第一处理室和第二处理室相对隔离设置，机架中间设置倒片部，倒片部包括第一倒片机构和第二倒片机构，第一倒片机构设置在第一处理室内，第二倒片机构设置在第二处理室内。本发明的有益效果是解决同节距同规格片篮倒片手动操作的不足并且避免了洁净区域片篮与金属区域片篮产生的金属污染问题，自动圆形硅片倒片机，使洁净区与金属区片篮的完全隔离，避免洁净区片篮金属沾污，实现稳定高效产出。
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