公开(公告)号：CN118629871B

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202411095260.1

申请日：2024-08-12

申请人： TCL环鑫半导体(天津)有限公司

发明人： 张敬伟 ,  敖松泉 ,  杜宏强 ,  张新玲 ,  赵宇轩 ,  徐长坡 ,  黄鑫 ,  印小松 ,  沙世奇

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/266

摘要： 本申请提供一种碳化硅超结MOSFET的制作方法，步骤包括：获取在外延片正面具有P‑well、N+和P+源区结构的基片；从基片背面离子注入P型柱，使P型柱与P‑well区相交，以获得具有MOSFET超结结构的基体；对外延片中的离子进行激活；再依次制作正面及背面电极。本申请一种碳化硅超结MOSFET的制作方法，在不影响器件结构的基础上，在外延层背面进行减薄刻蚀获得P型柱研磨图形，并通过在背面注入Al离子获得P型柱，以此获得具有MOSFET超结结构的基体，不仅刻蚀难度低，而且各工艺步骤简单、安全可控，亦不会出现填充空洞以及离子损伤的问题，还不会影响正面器件结构的性能，制作成本低，质量好。

公开(公告)号：CN118629871A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202411095260.1

申请日：2024-08-12

申请人： TCL环鑫半导体(天津)有限公司

发明人： 张敬伟 ,  敖松泉 ,  杜宏强 ,  张新玲 ,  赵宇轩 ,  徐长坡 ,  黄鑫 ,  印小松 ,  沙世奇

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/266

摘要： 本申请提供一种碳化硅超结MOSFET的制作方法，步骤包括：获取在外延片正面具有P‑well、N+和P+源区结构的基片；从基片背面离子注入P型柱，使P型柱与P‑well区相交，以获得具有MOSFET超结结构的基体；对外延片中的离子进行激活；再依次制作正面及背面电极。本申请一种碳化硅超结MOSFET的制作方法，在不影响器件结构的基础上，在外延层背面进行减薄刻蚀获得P型柱研磨图形，并通过在背面注入Al离子获得P型柱，以此获得具有MOSFET超结结构的基体，不仅刻蚀难度低，而且各工艺步骤简单、安全可控，亦不会出现填充空洞以及离子损伤的问题，还不会影响正面器件结构的性能，制作成本低，质量好。

公开(公告)号：CN117364239A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202311353765.9

申请日：2023-10-17

申请人： TCL环鑫半导体(天津)有限公司

发明人： 赵晓丽 ,  张馨予 ,  杜宏强 ,  刘丽媛 ,  杜晓辉 ,  黄鑫 ,  王鑫 ,  邢锡祥 ,  于波 ,  王维 ,  印小松 ,  戴明磊 ,  郑志远 ,  高雪峰

IPC分类号： C30B28/14 ,  C30B29/06

摘要： 本申请提供一种掺杂多晶硅薄膜生长加工工艺，步骤包括：沉积时，控制第一组气体和第二组气体在反应炉之外先进行混合，混合后的气体再通入至反应炉内，直至生长结束。本申请一种掺杂多晶硅薄膜生长加工工艺，在进入反应炉之前预先将两种特定的气体混合好，然后再进入反应炉中，可保证生成的掺杂多晶硅薄膜片内厚度的均匀性小于1.5％，且退火后的RS值在15±5Ω·cm范围内。

公开(公告)号：CN221344773U

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202322786291.9

申请日：2023-10-17

申请人： TCL环鑫半导体(天津)有限公司

发明人： 赵晓丽 ,  张馨予 ,  杜宏强 ,  刘丽媛 ,  杜晓辉 ,  黄鑫 ,  王鑫 ,  邢锡祥 ,  于波 ,  王维 ,  印小松 ,  戴明磊 ,  郑志远 ,  高雪峰

IPC分类号： C30B28/12 ,  C30B29/06

摘要： 本申请提供一种掺杂多晶硅生产用通气结构，包含若干与反应腔进气口连通的管道，其中，有一个管道与其它所有管道互通连接；且所有管道在通入反应腔进气口之前汇入同一管道，并通过同一管道与反应腔进气口连通。本申请一种掺杂多晶硅生产用通气结构，管路设计简单且布局合理，可将所有气体在通入反应腔之前即可混合均匀，不仅可保证反应腔内掺杂多晶硅生产所用混合气体的纯度，而且还可保证任一管路流通的通畅性、连续性和稳定性，提高混合效率，保证掺杂多晶硅膜厚生长的均匀性。