公开(公告)号：CN118966128A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202411027386.5

申请日：2024-07-30

申请人： 电子科技大学

发明人： 任敏 ,  郭霄 ,  刘思为 ,  皮蒙 ,  周建宇 ,  李泽宏 ,  张波

IPC分类号： G06F30/39 ,  H01L29/06 ,  H01L21/266 ,  G06F30/392 ,  G06F119/02

摘要： 本发明提供一种降低氧化层电荷影响的横向变掺杂(Variation of Lateral Doping，VLD)终端设计方法，对氧化层电荷的影响进行模型建立并定量分析，通过增加第二次离子注入来削弱氧化层电荷的影响。通过该方法设计的横向变掺杂终端，能够有效减小氧化层电荷的影响，提高器件长期工作中的可靠性，具有良好的实用价值。

公开(公告)号：CN117272898A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202311094445.6

申请日：2023-08-28

申请人： 电子科技大学

发明人： 任敏 ,  郭霄 ,  周建宇 ,  皮蒙 ,  周子怡 ,  李泽宏 ,  张波

IPC分类号： G06F30/367 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36

摘要： 本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种横向变掺杂终端设计方法。本发明基于数学分析和理论建模，提出一种易于设计的通用的平方根分布VLD杂质分布模型，并基于该模型提出一种横向变掺杂终端设计方法。利用该方法设计的VLD终端，在获得高耐压的同时，也能改善场氧化层电荷带来的可靠性问题，无需增加额外工艺步骤且实现简单，并能极大程度地节省终端区面积。

公开(公告)号：CN118472007A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202410483307.5

申请日：2024-04-22

申请人： 电子科技大学

发明人： 任敏 ,  周建宇 ,  郭霄 ,  刘思为 ,  皮蒙 ,  李泽宏 ,  张波

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  G06F30/20 ,  G06F17/10

摘要： 本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种双向变掺杂终端结构及设计方法。本发明提供一种易于设计、电压适用范围广、具有高面积利用率和可靠性的双向变掺杂终端(Variation of two‑dimensional Doping，VTD)结构及设计方法。相比传统VLD终端结构，VTD终端在获得相同耐压的基础上节省了终端区域面积，或在相同终端面积条件下可获得更高耐压。此外，VTD终端受氧化层电荷影响更小，能够有效减小高温漏电从而提高器件的可靠性。该设计的实现无需增加额外工艺步骤且实现简单，具有良好的实用价值。