本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种双向变掺杂终端结构及设计方法。本发明提供一种易于设计、电压适用范围广、具有高面积利用率和可靠性的双向变掺杂终端(Variation of two‑dimensional Doping，VTD)结构及设计方法。相比传统VLD终端结构，VTD终端在获得相同耐压的基础上节省了终端区域面积，或在相同终端面积条件下可获得更高耐压。此外，VTD终端受氧化层电荷影响更小，能够有效减小高温漏电从而提高器件的可靠性。该设计的实现无需增加额外工艺步骤且实现简单，具有良好的实用价值。