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公开(公告)号：CN119967830A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202411527480.7
申请日：2024-10-30
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明提供能够抑制振铃且容易制造的半导体装置。第一导电型的第一缓冲层(5)及第二缓冲层(6)的杂质浓度比第一导电型的漂移层(3)高。第一缓冲层(5)设置于漂移层(3)之中。第二缓冲层(6)设置于第二主面(SF2)与第一缓冲层(5)之间。在厚度方向上，第一缓冲层(5)具有杂质峰值浓度的位置与第二缓冲层(6)具有杂质峰值浓度的位置之间设置有分离距离(DS)。第一缓冲层(5)在厚度方向上具有杂质峰值浓度的位置在平面布局中具有分布部(PDa)及非分布部(PDb)。非分布部具有比分离距离(DS)小的有效宽度(WD)。有效宽度(WD)是平面布局的非分布部的距分布部(PDa)最远的最远距离的二倍。
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公开(公告)号：CN113451392B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202110297220.5
申请日：2021-03-19
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/739 , H01L27/06
Abstract: 提供提高了恢复动作时的破坏耐量的半导体装置。本发明涉及的半导体装置具有：半导体基板，其具有第1主面和第2主面；空穴注入区域，其具有在第1主面侧设置的第2导电型的空穴注入层及在第2主面侧设置的第2导电型的半导体层；二极管区域，其具有在第1主面侧设置的第2导电型的阳极层及在第2主面侧设置的第1导电型的阴极层，在阳极层的第2主面侧端部和第1主面之间没有第1导电型的半导体层；以及在第1主面侧设置的第2导电型的边界部半导体层、在边界部半导体层的表层设置的第1导电型的载流子注入抑制层及在第2主面侧从空穴注入区域伸出地设置的第2导电型的半导体层，它们设置于二极管区域和空穴注入区域之间。
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公开(公告)号：CN113394279B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202110244642.6
申请日：2021-03-05
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/861 , H01L29/08
Abstract: 提供提高了恢复动作时的破坏耐量的半导体装置。本发明涉及的半导体装置(100)构成为相邻地设置有绝缘栅型双极晶体管区域(1)和二极管区域(2)，绝缘栅型双极晶体管区域具有：第2导电型的基极层(9)，设置于第1主面侧的表层；以及第1导电型的发射极层(8)，选择性地设置于基极层(9)的第1主面侧的表层，俯视观察时在第1方向上具有宽度方向，二极管区域具有：第2导电型的阳极层(11)，设置于第1主面侧的表层；以及第1导电型的载流子注入抑制层(10)，选择性地设置于阳极层的第1主面侧的表层，俯视观察时在第2方向上具有宽度方向，俯视观察时第2方向上的载流子注入抑制层的宽度(W1)比第1方向上的发射极层的宽度(W2)窄。
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公开(公告)号：CN111193417B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN201911087202.3
申请日：2019-11-08
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02M7/00 , H01L29/739
Abstract: 提供抑制了内置的反向导通二极管正向导通时的导通损耗的开关元件的控制装置。对内置了反向导通二极管的开关元件进行控制的开关元件的控制装置具备：电压检测电路，其对开关元件的第1以及第2主电极之间的电压进行检测；比较器电路，其将由电压检测电路检测出的检测电压和阈值电压进行比较；以及驱动电路，其对开关元件的驱动进行控制，比较器电路在检测电压超过所述阈值电压的情况下，以不向开关元件赋予接通信号的方式对驱动电路进行控制。
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公开(公告)号：CN116169167A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202211446972.4
申请日：2022-11-18
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/423
Abstract: 本发明的目的在于在反向导通绝缘栅双极晶体管即RC‑IGBT中提高闩锁耐量并且降低接通电压。RC‑IGBT(101)具有：多个栅极电极(11a)，它们设置于多个栅极沟槽(11T)内；多个哑栅极电极(12a)，它们设置于多个哑沟槽(12T)内，具有位于与多个栅极电极的上表面相比靠下的位置处的上表面；层间绝缘膜(4)，其形成于半导体基板(50)的上表面，具有在各哑栅极电极的上方使各哑沟槽的至少一侧的侧壁露出的第1接触孔(17)；以及发射极电极(6)，其设置于层间绝缘膜之上及第1接触孔内，在从第1接触孔露出的各哑沟槽(12T)的侧壁处与基极层(15)电连接。在2个栅极沟槽之间配置至少1个哑沟槽。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115588669A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202210757283.9
申请日：2022-06-30
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/06 , H01L29/739 , H01L29/872
Abstract: 本申请说明书所公开的技术是用于对温度感测二极管的特性波动进行抑制的技术。就本申请说明书所公开的技术涉及的半导体装置而言，在温度检测区域设置在第1导电型的漂移层的表层设置的第2导电型的扩散层、设置于扩散层的表层且与阳极电极电连接的第1导电型的阱层、设置于阱层的表层且与阴极电极电连接的第1导电型的阴极层。
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公开(公告)号：CN114388610A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111202796.5
申请日：2021-10-15
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/739 , H01L29/861 , H01L27/07 , H01L21/329 , H01L21/331 , H01L21/822
Abstract: 涉及反向导通型半导体装置及反向导通型半导体装置的制造方法。提供避免制造成本的大幅增加，并且具有高闩锁耐量、低恢复损耗的反向导通型半导体装置。半导体基板(50)具有第1主面(F1)及第2主面(F2)。基极接触层(14)配置于基极层(15)和第1主面(F1)之间，构成第1主面(F1)的一部分。阳极接触区域(24)配置于阳极层(25)和第1主面(F1)之间，构成第1主面(F1)的一部分，阳极接触区域具有比阳极层(25)高的第2导电型杂质浓度峰值。阳极接触区域(24)包含第1阳极接触层(24b)，该第1阳极接触层具有比基极接触层(14)低的净浓度和比基极接触层(14)高的第1导电型杂质浓度。
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公开(公告)号：CN113745312A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110559128.1
申请日：2021-05-21
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/861 , H01L29/739 , H01L27/06
Abstract: 提供抑制了恢复动作中的雪崩动作，提高了恢复破坏耐量的RC‑IGBT。半导体装置在共通的半导体基板形成了晶体管和二极管，二极管区域具有：第2导电型的第5半导体层，其设置于半导体基板的第2主面侧；第2导电型的第2半导体层，其设置于第5半导体层之上；第1导电型的第3半导体层，其与第2半导体层相比设置于半导体基板的第1主面侧；第1导电型的第6半导体层，其设置于第3半导体层之上；第2电极，其与第6半导体层电连接；第1电极，其与第5半导体层电连接；以及寿命控制层，其到达比从第1主面侧起的第3半导体层的厚度方向端部和从第2主面侧起的第5半导体层的厚度方向端部之间的第2半导体层的中间位置深的位置，由晶体缺陷层构成。
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公开(公告)号：CN111193417A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201911087202.3
申请日：2019-11-08
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02M7/00 , H01L29/739
Abstract: 提供抑制了内置的反向导通二极管正向导通时的导通损耗的开关元件的控制装置。对内置了反向导通二极管的开关元件进行控制的开关元件的控制装置具备：电压检测电路，其对开关元件的第1以及第2主电极之间的电压进行检测；比较器电路，其将由电压检测电路检测出的检测电压和阈值电压进行比较；以及驱动电路，其对开关元件的驱动进行控制，比较器电路在检测电压超过所述阈值电压的情况下，以不向开关元件赋予接通信号的方式对驱动电路进行控制。
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公开(公告)号：CN110690119A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910576377.4
申请日：2019-06-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/48 , H01L23/488 , H01L21/329 , H01L29/861
Abstract: 提供一种能够提高半导体装置的耐久性的技术。半导体装置具备：半导体衬底、半导体衬底之上的电极、电极之上的焊料接合用金属膜、焊料接合用金属膜之上的防氧化用金属膜、以及防氧化用金属膜之上的焊料层。在从防氧化用金属膜侧俯视观察焊料接合用金属膜及防氧化用金属膜时，焊料接合用金属膜具有不与防氧化用金属膜重叠的第1部分。
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