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公开(公告)号：CN119967830A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202411527480.7
申请日：2024-10-30
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明提供能够抑制振铃且容易制造的半导体装置。第一导电型的第一缓冲层(5)及第二缓冲层(6)的杂质浓度比第一导电型的漂移层(3)高。第一缓冲层(5)设置于漂移层(3)之中。第二缓冲层(6)设置于第二主面(SF2)与第一缓冲层(5)之间。在厚度方向上，第一缓冲层(5)具有杂质峰值浓度的位置与第二缓冲层(6)具有杂质峰值浓度的位置之间设置有分离距离(DS)。第一缓冲层(5)在厚度方向上具有杂质峰值浓度的位置在平面布局中具有分布部(PDa)及非分布部(PDb)。非分布部具有比分离距离(DS)小的有效宽度(WD)。有效宽度(WD)是平面布局的非分布部的距分布部(PDa)最远的最远距离的二倍。
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公开(公告)号：CN118826423A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410433912.1
申请日：2024-04-11
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本公开的目的在于提供防止半导体模块的大型化的半导体装置的控制系统。本公开的半导体装置的控制系统具备取得部、检测部、判断部及输出部，检测部由设置于双面印刷电路基板的线圈构造、去路以及归路构成，线圈构造包括双面印刷电路基板的表面层以及背面层和内侧贯通孔以及外侧贯通孔，去路及归路设置为在俯视观察时在表面层或背面层进行环绕，内侧贯通孔及外侧贯通孔沿着环绕以等间隔设置，去路和归路中的一方在表面层及背面层连接于内侧贯通孔和外侧贯通孔，且除内侧贯通孔或外侧贯通孔的周边以外的至少一部分在俯视观察时重叠，去路和归路中的另一方设置为在相对于内侧贯通孔或外侧贯通孔而言与线圈构造相反的一侧，沿着去路和归路中的一方。
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公开(公告)号：CN118553773A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410183457.4
申请日：2024-02-19
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L23/29 , H01L21/331
Abstract: 半导体装置具备半导体基板、TEOS膜以及电极。半导体基板具有第1主面和作为第1主面的相反面的第2主面。半导体基板在沿着第2主面的法线方向观察第2主面时具有活性区域和包围活性区域的终端区域。TEOS膜配置于第2主面的处于活性区域的部分之上。
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公开(公告)号：CN116264200A
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202211574121.8
申请日：2022-12-08
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/49
Abstract: 获得成品率高、容易制造的半导体装置。在半导体芯片(1)的第1主面形成有第1主电极(10)和第1控制电极焊盘(15)。在半导体芯片(1)的第2主面形成有第2主电极(29)和第2控制电极焊盘(31)。第2主电极(29)和第2控制电极焊盘(31)分别接合到绝缘基板(36)的第1金属图案(39)以及第2金属图案(40)。第1导线(42)以及第2导线(43)的键合部在俯视观察时与第2主电极(29)或第2控制电极焊盘(31)的接合部重叠。第1金属图案(39)以及第2金属图案(40)的厚度小于等于0.2mm。
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公开(公告)号：CN118198114A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202311679162.8
申请日：2023-12-08
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/423
Abstract: 提供即使是在背面侧具有栅极电极的结构也能够实现量产化的半导体装置。具有：用于通断的第1控制电极及第2控制电极，它们分别设置于半导体衬底的第1主面及第2主面；第1控制电极焊盘，其与第1控制电极电连接；第1贯通孔，其将半导体衬底沿厚度方向贯通，在内部具有将第1主面与第2主面之间电连接的导电体；以及第2控制电极焊盘，其设置于第1主面之上，经由第1贯通孔与第2控制电极电连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117790549A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311230441.6
申请日：2023-09-22
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/06 , H01L29/423
Abstract: 本发明涉及半导体装置及半导体装置的控制方法。提供容易控制的半导体装置。具有第1开关器件和第2开关器件，该第1开关器件和第2开关器件串联连接于第1电位和比第1电位低的第2电位之间，第1开关器件及第2开关器件均具有晶体管区域、与晶体管区域反并联电连接的二极管区域，晶体管区域包含由第1栅极信号控制的第1栅极，二极管区域包含由二极管栅极信号控制的二极管栅极。
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公开(公告)号：CN115775829A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202211071292.9
申请日：2022-09-01
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 目的在于提供能够使半导体装置的电压施加的控制容易的技术。半导体装置在对第1栅极电极及第2栅极电极中的一个栅极电极施加正的栅极电压且电流从集电极电极流至发射极电极的情况下，对第1栅极电极及第2栅极电极中的另一个栅极电极施加正的栅极电压。在对一个栅极电极施加正的栅极电压且电流从发射极电极流至集电极电极的情况下，对另一个栅极电极施加小于或等于基准电压的电压。
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公开(公告)号：CN118248727A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202311729826.7
申请日：2023-12-15
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 涉及半导体装置、半导体电路及半导体装置的控制方法。目的在于提供能够降低半导体装置的接通电阻的技术。半导体装置具有：第1导电部，其隔着第1绝缘膜而设置于第2半导体层的一部分之上；第2导电部，其隔着第2绝缘膜而设置于第3半导体层的一部分之上；第1主电极；以及第2主电极。在向第1导电部及第2导电部的一者输入了接通控制信号的情况下，第1主电极与第2主电极之间通过双极动作而导通，在向第1导电部及第2导电部这两者输入了接通控制信号的情况下，第1主电极与第2主电极之间通过单极动作而导通。
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公开(公告)号：CN116564904A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310052575.7
申请日：2023-02-02
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L29/872 , H01L29/78 , H01L21/329 , H01L21/336
Abstract: 提供绝缘可靠性高的半导体装置。还涉及电力变换装置及半导体装置的制造方法。半导体装置具有：场绝缘膜(3)，其形成于第1导电型的外延层(32)之上；表面电极(4)，其搭至场绝缘膜(3)的内周端部处；以及外周电极(5)，其搭至场绝缘膜(3)的外周端部处。在外延层(32)的表层部形成有与表面电极(4)连接且与表面电极(4)的外周端部相比延伸至外侧的第2导电型的末端阱区域(2)。半绝缘膜(7)形成为与表面电极(4)及外周电极(5)分离，将场绝缘膜(3)的一部分覆盖。半绝缘膜(7)在与末端阱区域(2)的外周端相比更靠内侧的区域及外侧的区域的每一者，通过形成于场绝缘膜(3)的开口部与外延层(32)连接。
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公开(公告)号：CN116013979A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211259363.8
申请日：2022-10-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L23/00 , H01L21/331
Abstract: 本发明的目的在于提供能够对耐压及耐湿的降低进行抑制的半导体装置。本发明涉及的半导体装置具有：P层；绝缘膜；电极；多个P‑层，其设置于P层的末端区域侧；N‑层，其设置于P‑层的末端区域侧；N++层，其设置于N‑层的末端区域侧；绝缘膜，其在N‑层及N++层之上连续地设置；电极，其在绝缘膜及N++层之上连续地设置；高介电常数层，其至少设置于各P‑层之上；以及低介电常数层，其设置于高介电常数层之上，绝缘膜的有源区域侧的端部与最靠末端区域侧的P‑层的末端区域侧的端部之间的间隔大于0μm且小于或等于10μm，绝缘膜的有源区域侧的端部与电极的有源区域侧的端部之间的间隔大于或等于50μm。
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