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公开(公告)号：CN108206685B
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201711376938.3
申请日：2017-12-19
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03K17/0812 , H03K17/0814
Abstract: 得到一种具有电绝缘性、小型且低价的电平移位电路及驱动电路。电热变换元件(5)将以第一基准电位为基准的第一电信号变换为热。热电变换元件(6)将来自电热变换元件(5)的热变换为以与第一基准电位不同的第二基准电位为基准的第二电信号。绝缘区域(7)将电热变换元件(5)和热电变换元件(6)电绝缘。
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公开(公告)号：CN107251433B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201580076281.1
申请日：2015-02-16
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03K17/16 , H03K17/687
Abstract: 半导体器件驱动电路具有第1驱动电路(2a)以及第2驱动电路(5)。第1驱动电路(2a)生成对电压控制型开关元件进行控制的控制信号。第1驱动电路(2a)与输入至第1驱动电路(2a)的电压信号同步地生成控制信号。第1驱动电路(2a)具有与电压信号的大小相应的输出电流能力。第2驱动电路(5)向第1驱动电路(2a)输出电压信号。第2驱动电路(5)包含对电压信号的大小进行调整的输出调整电路(4a)。
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公开(公告)号：CN108337922A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201580083994.0
申请日：2015-10-19
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 半导体器件驱动电路对半导体开关元件进行驱动，该半导体开关元件具备第1电极、第2电极、以及对所述第1电极及第2电极的电连接进行控制的控制电极。所述半导体器件驱动电路具备：输入端子，其接收输入信号；电平移位部，其将所述输入信号的电压电平进行移位，输出应向所述控制电极赋予的驱动信号；第1电阻，其根据施加于所述第1电极的第1电压生成第1电流；第2电阻，其根据施加于所述第2电极的第2电压生成第2电流；以及电压差判定部，其在所述第1电流和所述第2电流的差大于或等于预先设定的不饱和判定值时，发出检测信号。所述半导体器件驱动电路构成为，所述电平移位部、所述第1电阻、所述第2电阻及所述电压差判定部设置于1个集成电路芯片。
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公开(公告)号：CN108206685A
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201711376938.3
申请日：2017-12-19
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03K17/0812 , H03K17/0814
CPC classification number: H03K17/08122 , G01J5/061 , G01J5/12 , G01J5/16 , H03K17/08142 , H03K2017/0806
Abstract: 得到一种具有电绝缘性、小型且低价的电平移位电路及驱动电路。电热变换元件(5)将以第一基准电位为基准的第一电信号变换为热。热电变换元件(6)将来自电热变换元件(5)的热变换为以与第一基准电位不同的第二基准电位为基准的第二电信号。绝缘区域(7)将电热变换元件(5)和热电变换元件(6)电绝缘。
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公开(公告)号：CN107425701A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710357964.5
申请日：2017-05-19
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 在使用简单的结构的同时精密地校正来自半导体开关元件的输出相对于输入信号的信号宽度偏差。延迟时间校正电路(601)使输入信号(IN)延迟而生成向驱动部(500)提供的预驱动信号(VPD)，驱动部生成驱动信号(VG)。暂态变化检测部(2)检测导通动作及截止动作中的一方动作的暂态变化。校正信号生成部(3)基于输入信号和由暂态变化检测部检测出的暂态变化生成校正信号(AS)。延迟输出部(4)使用校正信号而使输入信号延迟，由此生成与预驱动信号对应的输出信号。在延迟输出部中，使得对导通动作以及截止动作中的与一方动作不同的另一方动作进行指示的输出信号，对应于此前最近进行的一方动作的暂态变化的期间的长度而相对于输入信号延迟。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114204785A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202110961842.3
申请日：2021-08-20
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02M1/088 , H02M7/5387
Abstract: 目的在于得到能够实现高速动作的驱动电路及逆变器装置。本发明涉及的驱动电路具有：第1驱动部，其对逆变器电路的上桥臂的通断进行控制；第2驱动部，其对逆变器电路的下桥臂的通断进行控制；第1开关元件，其具有与向第1驱动部供给的电源连接的第1端子、与向第2驱动部供给的电源连接的第2端子、控制端子；升压电路，其对在下桥臂为接通状态时是高电平、在下桥臂为断开状态时是低电平的控制信号进行升压而使第1开关元件接通；第2开关元件，其在控制信号为高电平时使控制端子与升压电路之间导通，在控制信号为低电平时将控制端子与升压电路之间断开；以及第1开关部，其在控制信号为低电平时将控制端子与接地用端子短接。
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公开(公告)号：CN107112995B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201480084149.0
申请日：2014-12-17
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03K19/0185 , H01L21/822 , H01L27/04
Abstract: 初级侧电路(2a)对应于输入信号(IN)而输出第1基准电位(GND)下的第1信号。电平移位主电路(3)通过将从初级侧电路(2a)接收到的第1信号的基准电位(GND)向第2基准电位(VS)变换，从而输出第2基准电位(VS)下的第2信号。次级侧电路(4a)通过使用第2信号而生成第2基准电位(VS)下的输出信号(OUT)。至少1个整流性元件电路(23)设置在初级侧电路(2a)和次级侧电路(4a)之间。初级侧电路(2a)及次级侧电路(4a)的至少任一者具有至少1个检测电路(24、25)，该至少1个检测电路(24、25)通过对在整流性元件电路(23)流动的电流的变化进行检测，从而对与第2基准电位(VS)相对应的电位(VE2)是否小于或等于与第1基准电位(GND)相对应的电位(VE1)进行检测。
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公开(公告)号：CN106663595B
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201480081664.3
申请日：2014-09-01
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 半导体装置(301、303)使用了半导体芯片组之中的至少1个。半导体装置具有半导体芯片组所包含的一个半导体芯片(201、202)和封装件(401)。一个半导体芯片具有记录有第1识别信息的信息记录区域(250)，该第1识别信息表示半导体芯片组之中的一个半导体芯片以第1分类为基准属于哪个组。信息记录区域具有与第1识别信息相对应地选择性地熔断后的多个熔断器。在封装件显示有第2识别信息，该第2识别信息表示半导体芯片组之中的一个半导体芯片以第2分类为基准属于哪个组。通过将第1及第2识别信息相互组合，从而能够从半导体芯片组确定一个半导体芯片。
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公开(公告)号：CN107251433A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201580076281.1
申请日：2015-02-16
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03K17/16 , H03K17/687
Abstract: 半导体器件驱动电路具有第1驱动电路(2a)以及第2驱动电路(5)。第1驱动电路(2a)生成对电压控制型开关元件进行控制的控制信号。第1驱动电路(2a)与输入至第1驱动电路(2a)的电压信号同步地生成控制信号。第1驱动电路(2a)具有与电压信号的大小相应的输出电流能力。第2驱动电路(5)向第1驱动电路(2a)输出电压信号。第2驱动电路(5)包含对电压信号的大小进行调整的输出调整电路(4a)。
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公开(公告)号：CN106663595A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201480081664.3
申请日：2014-09-01
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 半导体装置(301、303)使用了半导体芯片组之中的至少1个。半导体装置具有半导体芯片组所包含的一个半导体芯片(201、202)和封装件(401)。一个半导体芯片具有记录有第1识别信息的信息记录区域(250)，该第1识别信息表示半导体芯片组之中的一个半导体芯片以第1分类为基准属于哪个组。信息记录区域具有与第1识别信息相对应地选择性地熔断后的多个熔断器。在封装件显示有第2识别信息，该第2识别信息表示半导体芯片组之中的一个半导体芯片以第2分类为基准属于哪个组。通过将第1及第2识别信息相互组合，从而能够从半导体芯片组确定一个半导体芯片。
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