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公开(公告)号：CN107622987A
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201710575698.3
申请日：2017-07-14
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 小西康雄
IPC: H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 目的在于提供可提高将在电极产生的热量向散热板散热时的散热性而不损害电极和导线的接合性的技术。半导体装置具备散热板(1)、绝缘基板(4)、半导体元件(5)、树脂制壳体(10)以及具有存在于由壳体(10)包围的内侧区域的部分的电极(6、8)。就半导体装置而言，在电极(6、8)的存在于由壳体(10)包围的内侧区域的部分，在连接有导线(7、9)的位置的另一面即下表面，分别配置有从壳体(10)内壁向散热板(1)上表面侧延伸的树脂部(10a、10b)，在电极(6、8)的存在于由壳体(10)包围的内侧区域的部分，在未连接导线(7、9)的位置的另一面即下表面分别配置有导热特性比树脂部(10a、10b)高的导热部件(11、12)。
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公开(公告)号：CN115810629A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202211102670.5
申请日：2022-09-09
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/06 , H01L29/739 , H01L29/861
Abstract: 提供使dV/dt的控制性提高，降低了导通损耗的半导体装置。在共通的半导体基板形成晶体管和二极管，具有晶体管区域和二极管区域，二极管区域具有：n型的第1半导体层，其设置于半导体基板的第2主面侧；n型的第2半导体层，其设置于第1半导体层之上；p型的第3半导体层，其与第2半导体层相比设置于半导体基板的第1主面侧；第1主电极，其对二极管赋予第1电位；第2主电极，其对二极管赋予第2电位；以及哑有源沟槽栅极，其是以从半导体基板的第1主面到达第2半导体层的方式设置的，哑有源沟槽栅极在两个侧面的至少一者侧具有未被赋予第1电位而是成为浮置状态的第3半导体层，对哑有源沟槽栅极赋予晶体管的栅极电位。
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公开(公告)号：CN107622987B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201710575698.3
申请日：2017-07-14
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 小西康雄
IPC: H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 目的在于提供可提高将在电极产生的热量向散热板散热时的散热性而不损害电极和导线的接合性的技术。半导体装置具备散热板(1)、绝缘基板(4)、半导体元件(5)、树脂制壳体(10)以及具有存在于由壳体(10)包围的内侧区域的部分的电极(6、8)。就半导体装置而言，在电极(6、8)的存在于由壳体(10)包围的内侧区域的部分，在连接有导线(7、9)的位置的另一面即下表面，分别配置有从壳体(10)内壁向散热板(1)上表面侧延伸的树脂部(10a、10b)，在电极(6、8)的存在于由壳体(10)包围的内侧区域的部分，在未连接导线(7、9)的位置的另一面即下表面分别配置有导热特性比树脂部(10a、10b)高的导热部件(11、12)。
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公开(公告)号：CN119967830A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202411527480.7
申请日：2024-10-30
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明提供能够抑制振铃且容易制造的半导体装置。第一导电型的第一缓冲层(5)及第二缓冲层(6)的杂质浓度比第一导电型的漂移层(3)高。第一缓冲层(5)设置于漂移层(3)之中。第二缓冲层(6)设置于第二主面(SF2)与第一缓冲层(5)之间。在厚度方向上，第一缓冲层(5)具有杂质峰值浓度的位置与第二缓冲层(6)具有杂质峰值浓度的位置之间设置有分离距离(DS)。第一缓冲层(5)在厚度方向上具有杂质峰值浓度的位置在平面布局中具有分布部(PDa)及非分布部(PDb)。非分布部具有比分离距离(DS)小的有效宽度(WD)。有效宽度(WD)是平面布局的非分布部的距分布部(PDa)最远的最远距离的二倍。
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